光学晶体

、平板显示器、太阳能光伏发电及相关行业提供制造设备、 服务以及软件产品，其最早推出的 AKT 系列 PECVD 设备，应用于 TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)领域，可在 面积 1.6 到 5.7
的设计可有效降低等离子体对基片的损伤，低功率薄膜 钝化后的晶体硅少子寿命接近其本征寿命。载板温度均匀，沉积薄膜厚度均一性好。此外，硅片上下料已全部实现 自动化，生产效率高，载板单次可装载 144

在一起形成钙钛矿结构。 利用这种成分的灵活性，科学家可以设计钙钛矿晶体，使其具有多种物理，光学和电学特性。钙钛矿晶体如今在超声波机器，存储芯片以及现在的太阳能电池中都可以找到。 钙钛矿的清洁能源应用

和结构的优化，有效克服了不同晶体晶格错配问题，减少了内阻，抑制了相分离，使得电池器件性能显著提升，在聚光条件下器件获得了高达47.1%的认证效率(之前效率纪录是46.4%)，创造了有史以来太阳能电池
吕建中.油气行业技术创新变革加速.中国石油报,2019-07-09(006). 中国科学院西安光学精密机械研究所,国务院发展研究院中心国际技术经济研究所,中国科学技术信息研究所等.2019中国硬

晶体硅太阳能电池是一种同质结电池，即 PN 结是在同一种半导体材料上形成的，而异质结电池的 PN 结采用不同的半导体材料构成。日本三洋公司在 1990 年发明出 HIT 电池并申请为注册商标，因此
的晶体结构具有不连续性，悬挂键密度高导致缺陷密度大，非晶硅层通过降低表面悬挂键的密度实现优良的界面钝化;2)HIT 电池在单晶硅衬底和掺杂非晶硅薄膜之间插入了一层较薄的本征非晶硅薄膜，使得异质结界面的界面态

22.1%和22.4%的转换效率。当然，离子注入技术的量产化导入，设备和运行成本是考量的关键。 陷光与表面钝化技术 对于晶体硅太阳电池，前表面的光学特性和复合至关重要。对于IBC高效电池而言，更好的
太阳电池最显著的特点是PN结和金属接触都处于太阳电池的背部，前表面彻底避免了金属栅线电极的遮挡，结合前表面的金字塔绒面结构和减反层组成的陷光结构，能够最大限度地利用入射光，减少光学损失，具有更高的短路

提供了新路径。HIT 作为双极型晶体硅电池的最高形式，技术效率提升潜力巨大，电池厂 商纷纷布局寻求突破。 1、PERC 技术已成主流，工艺升级趋势下，生命力有望延续 相比 BSF，PERC
电池背表面 光反射，减少光损失，进而提高电池转换效率和电池性能。PERC 电池内部反射增强，有效降低了长波的光学损失， 背面钝化提升了开路电压和短路电流，使得电池转化效率相比传统 BSF 电池更高

黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.00.2 m，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅
四面体结构，晶体中多了1 个氧的负电荷，可将p 型电池的少子( 电子) 反射回去减少复合，实现电池背面的有效钝化。 峰值温度过高将导致Al-O4减少，氧化铝浆料烧结温度通常低于金属化烧结温度，介质

是晶体硅，不具有腐蚀性、易燃性、毒性、反应性和感染性。因此太阳能光伏组件报废后属于一般工业固体废物，光伏系统使用寿命25年，其中组件寿命25年，逆变器寿命25年，电缆使用寿命大于20年，除人为破坏外
位于光伏电站用地范围的西面和南面，敏感点所处位置不在光伏电池板漫反射的影响范围内，所以本项目营运期对居民的光污染影响较小。 根据现行国家标准《玻璃幕墙光学性能》(GB/T18091-2000)的相关规定

层可以增加光学内反射作用，因此电池的电流 ISC 也会有显著的提升。 作为第 3 代电池，目前 HJT(异质结)异质结电池研发进展迅速。PERC 快速 推广之后， N 型电池开始受到业内
和设备关键性能整体均处 于国际先进水平。管式PECVD设备主要采用业内领先的背面钝化叠层膜技术， 有效提高晶体硅电池的转换效率。公司研发技术及生产能力覆盖电池片前中端 生产所有核心设备，是国内仅有

转换效率突破25%：含本征非晶硅薄膜的非晶硅/晶体硅异质结(HIT/HJT)电池由于非晶硅薄膜优秀的钝化效果，转换效率近年在晶硅电池中位居前列，纯HJT电池的实验室转换效率已达到25.11%。 异质结是
半导体材料组成的太阳能电池均可称为异质结太阳能电池，与之相对的是同质结电池，即p-n结由同种半导体材料组成。目前实际商业应用的晶硅太阳能电池基本均为同质结电池(p-n结由晶体硅材料形成)，而产业中一般所提到的