光子损失

。3.1.2、光损失上述我们已经讨论过因为光损耗和复合损耗会使电池的输出的理想值减少.图3.1 阐述了一些关于在一块电池内光损耗的过程.图3.1: 电池的光损耗有;注：1.表面覆盖物的阻碍， 2.电池
表面反射， 3.背场的反射。来减少这些损失的方法有:(i)缩小表面覆盖物的面积(与串联电阻有联系)(ii)在电池表面使用减反射膜，使用一个波长1/4 的减反射膜，薄膜厚度d1 与波长和反射系数n1 的

Voc 定义为规格化开路电压：以上公式只能用于理想情况下，没有关联电阻损失，可以精确到1 位小数在这些情况下。2.2、光谱响应太阳能电池吸收入射光光子可以产生电子空穴对，只要光子能量Eph 大于能带能量

了氟碳键特征和含氟聚合物特性。 另外，通常太阳能中对有机物起破坏作用的是紫外光部分，即波长为700～200nm之间的光子，而全氟有机化合物的共价键能达544KJ/mol，接近220nm光子所
具有的能量。由于太阳光中能量大于220nm的光子所占比重极微，所以氟系涂料耐候性极好。 全氟碳链中，两个氟原子的范德华半径之和为0.27nm。基本上将CCC键包围填充。这种几乎无空隙的空间屏障使

效率上，主要包括：1、电站系统损失；2、直流侧损失；3、交流侧损失：4、其他损失。单、多晶光伏电站系统效率对比从光伏电站系统效率分析表中可以看出单多晶在发电效率方面因其晶体结构差异有4个方向存在不同：1

集中体现于电站系统效率上，主要包括： 1、电站系统损失；2、直流侧损失；3、交流侧损失：4、其他损失。单、多晶光伏电站系统效率对比 从光伏电站系统效率分析表中可以看出单多晶在发电效率方面因其晶体结构

提高光吸收率，仅活性层经常就达到数十m甚至更厚。这使得大多数波长短、能量高的光子在远离pn结的地方就变成热激子，在抵达pn结分离成电子和空穴之前，就已经因复合和热弛豫而产生损失。 过去的单结
，利用晶体内的极性，也就是自发极化引发的内部电场梯度来分离激子（成对的电子与空穴）。太阳能电池常用的材料Si没有极性，但不少化合物的晶体都具有强极性。当这些材料在内部电场梯度的作用下吸收光子生成激子后

电场梯度的作用下吸收光子生成激子后，电子与空穴将自发性地分离至不同方向。按照具体设想，太阳能电池元件的结构是在InN层与电极之间夹入300nm～350nm厚、带隙为0.92eV的InGaN层
。 举例来说，一般的Si类太阳能电池为了提高光吸收率，仅活性层经常就达到数十m甚至更厚。这使得大多数波长短、能量高的光子在远离pn结的地方就变成热激子，在抵达pn结分离成电子和空穴之前，就已经因复合和

电池型号为 SunPower A-300 的模块）的工作过程中，我们发现模块效率下降的速度越来越快。原因分析：除了来自光线的光子，ink"光伏效应还需要可以可隔离正负极载流子并阻止它们立即结合的电场
，还会引起极大的功率损失。原因分析：佛罗里达太阳能中心 (FSEC) 自 2000 年以来一直在对 TCO 腐蚀的原因进行研究。 研究结果显示，TCO 腐蚀主要发生于利用覆盖工艺制备的带有 a-Si

太阳电池的PMMA窗格时，CdSe量子点吸收光子，然后从CdS核心以不同的波长重新发射能量。 研究人员们证实了所取得的LSC设备可达到大约10%的光采集效率，以及几乎无损失的再吸收。经由模拟显示，这些
取得成功。其问题在于量子点重新吸收许多原应被边缘PV电池采集的再发射光子。为了解决这个问题，Klimov与其同事采用斯托克斯位移(Stokes-shift)法，开发出可改变再发射光子波长的量子点。 利用

量转移。该策略导致大量的斯托克斯位移，从而有助于减少吸收损失。当CdS内部核心嵌入可将太阳能导入窗缘太阳电池的PMMA窗格时，CdSe量子点吸收光子，然后从CdS核心以不同的波长重新发射能量。研究人员们
边缘围绕PV太阳电池的透明塑料中。量子点是高效率的发射器，可展现接近100%的发光效率，但以往尝试用于实际尺寸的LSC并未取得成功。其问题在于量子点重新吸收许多原应被边缘PV电池采集的再发射光子。为了