光刻胶
得到高速发展，它也带动了我国化合物半导体、蓝宝石等材料发展，开始大量迈入到半导体器件应用领域。我国半导体前工程加工辅助材料也有着不同程度的变化发展，包括靶材、光刻胶、超净高纯化学试剂、特气、IC光掩膜
等材料发展，开始大量迈入到半导体器件应用领域。我国半导体前工程加工辅助材料也有着不同程度的变化发展，包括靶材、光刻胶、超净高纯化学试剂、特气、IC光掩膜及其合成石英玻璃基板、碳化硅磨料、半导体级
机械工程系的研究人员称，这一途径的秘密在于蚀刻在硅表面的微型倒金字塔图案。他们使用了两束重叠的激光束，以便在沉积于硅之上的光刻胶的表面生成特别的微小刻痕。经过几个中间步骤后，氢氧化钾可溶解未被光刻胶覆盖的
的微型倒金字塔图案。他们使用了两束重叠的激光束，以便在沉积于硅之上的光刻胶的表面生成特别的微小刻痕。经过几个中间步骤后，氢氧化钾可溶解未被光刻胶覆盖的表面部分，从而在材料表面产生希望获得的金字塔图案
等离子体中，等离子体通过光刻胶中开出的窗口与材料发生物理或化学的反应，从而去掉暴露的材料。干法刻蚀又可分为物理性刻蚀与化学性刻蚀。物理性刻蚀是利用辉光放电将气体如氩(Ar)解离成带正电的离子，再利用
上的，光刻胶与欲刻蚀材料两者会同时被刻蚀，因而刻蚀选择性偏低。而且被击出的物质并非挥发性物质，这些物质容易沉积在被刻蚀薄膜表面及侧壁上，因此采用完全物理方式的刻蚀方法在半导体器件制程制造过程中很少
选择掩膜照明方式是可能的。采用交互建模方法，有可能获得想要的结果。“然而，建模极其复杂，”Meyerson说，“需要一台超级计算机。要模拟每堆栈层各点的发光，以及与光刻胶和图形间的交互作用，来画出真正
光刻胶剥离和清洗工艺之后残留的污染物，而且受到掩膜版的储藏条件和工作环境的影响。第二类雾状缺陷是羧酸和草酸铵等各种草酸。Kalk说：“这类缺陷一般只出现在少数几个晶圆厂内，原因尚不清楚。”第三类是
。虽然无硫工艺存在的问题是对残留物的去除效果不如光刻胶等物质，但是它还算勉强可用。
掩膜版上雾状缺陷的主要检查方法包括直接检查掩膜版和图像鉴定（检查晶圆上的光刻图形）。最近
