光刻胶

会迎刃而解。 光刻机不是唯一短板 但其实除了光刻机之外，在其他很多细分领域之中，我们还是存在着短板的，就比如说在光刻胶领域之中，光刻胶会被涂抹到硅片上，按照电路图曝光，形成电路的影印，进而成为芯片电路
，遮板最终帮助电路在硅片之中刻蚀出来。 光刻胶在芯片制造过程之中扮演着非常重要的角色，尤其是arf光刻胶，再过生产过程之中更是非常的重要。可偏偏在这一领域之中，我们是存在短短的，我们被垄断

。2017年全球半导体原材料市场规模约为271.25亿美元，其中硅片市场规模最大，达到87.13亿美元，占比为32.12%。除硅片外，电子气体、光掩模、光刻胶及其辅助材料、CMP抛光材料等也是半导体

前三季度净利润同比下滑47%。晶瑞股份主营业务涵盖光刻胶和锂电池、超净高纯试剂等，由于叠加了锂电池和光刻机题材，也频繁受到资金关注。 部分光伏概念股由于业绩大幅下滑，股价出现明显回落，如芯能科技、东旭蓝天

显示，晶瑞股份是一家专业从事微电子化学品的产品研发、生产和销售的企业，主导产品包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料、锂电池材料和基础化工材料等，广泛应用于半导体、锂电池、LED、平板显示和光伏太阳能电池等行业，具体应用到下游电子信息产品的清洗、光刻、显影、蚀刻、去膜等工艺环节。

，主导产品包括超高纯试剂、光刻胶、功能性材料、锂电池材料和基础化工材料等，相关产品被广泛应用于半导体、锂电池、LED、平板显示和光伏太阳能电池等行业。 作为本次收购的标的，载元派尔森同样是电子化
产品及服务，与晶瑞股份锂电池行业布局规划相吻合;在半导体和平板显示器应用方面，NMP作为重要原材料，广泛应用于光刻胶剥离液和有机物清洗液等产品，NMP既可以单独使用也是功能性化学品重要组分，因此对于

使用热生长在硅片两面得到2.2nm氧化层，LPCVD沉积本征多晶硅 使用硼离子注入将背面的多晶硅掺杂为p型 背面使用光刻技术开孔，留光刻胶作为阻隔层，两面离子注入进行磷掺杂，背面得到交错的p和n掺杂

关键点为氧化物的生长和本征多晶体硅的沉积。首先在硅片两面进行热氧化或是紫外臭氧氧化，生长氧化硅层。然后通过LPD技术沉积本征多晶硅，再运用离子注入技术，形成P、N型的多晶硅和单晶硅。 利用光刻胶作为

。然后通过LPD技术沉积本征多晶硅，再运用离子注入技术，形成P、N型的多晶硅和单晶硅。 利用光刻胶作为保护层，通过湿化学法对背面进行刻蚀，从而形成沟槽，将P、N型分离开后分别与金属电极接触，降低了载流子