、离子注入、激光掺杂等方式制备叉指 状 P+区与 N+区。同时,就背面金属化方面,IBC 电池主要采用丝网印刷、铜蒸镀两种方式。
①印刷源浆方式具有成本优势,但是容易造成电池表面缺陷,掺杂效果较难
。
核心工艺:制备背表面叉指状 P+与 N+区以及背面金属化是关键
对于 IBC 电池而言,背表面的叉指状 P+与 N+区结 构是影响电池性能的关键。一般而言,IBC 背面可采用印刷源浆、光刻
一、前言
在全球碳达峰和碳中和大趋势背景下,光伏产业迎来空前繁荣发展期。主流晶硅光伏已在全球绝大部分地区实现了发电侧平价上网,光伏度电成本仍需要进一步降低到0.05-0.15元/kWh区间内,在
储能的配合下,真正成为主力电力能源,光伏发电渗透率从3%提升至30%以上。在光伏平价时代,光伏转换效率的提升,显得尤为重要。一是因为高电价地区的土地和屋顶资源逐渐变得稀缺,二是因为光伏转换效率提升,可摊
能有现在运算速度更快、存储量更多的集成电路的发展。 光伏本身还是半导体领域里面比较小的一个部分,我们还是要往大处看待,在电池工艺路径选择上,我认为光伏电池去金属化的变革,在当前阶段可能高于光伏电池HJT、IBC或TOPCon的选择。
运算速度更快、存储量更多的集成电路的发展。光伏本身还是半导体领域里面比较小的一个部分,我们还是要往大处看待,在电池工艺路径选择上,我认为光伏电池去金属化的变革,在当前阶段可能高于光伏电池HJT、IBC或TOPCon的选择。
金属没有从金变成铜工艺,那我们就无法想象能有现在运算速度更快、存储量更多的集成电路的发展。光伏本身还是半导体领域里面比较小的一个部分,我们还是要往大处看待,在电池工艺路径选择上,我认为光伏电池去金属化的
出现石英加料桶卡料的情况。
西门子法未来仍是核心工艺,龙头生产厂商更具优势。下游电池及硅片产品迈向 N 型时代,对多晶硅料的品质纯度要求将由光伏级向电子级趋近,相比颗粒硅,块状致密硅料生产龙头通威股份
工信部发布的《光伏行业制造规范文件(2021 年本)》最新要求,新建多晶硅项目产品质量达到电子级 3 级品以上,因此预计改良西门子法仍将是核心的生产工艺。从硅料的生产厂商来看,通威股份、新特能源
显现。目前产业界主要从银浆、硅片及设备三方面着手:
1)银浆成本:低温银浆国产化+银包铜技术+SMBB技术,判断共同推动降本60%以上。①国内低温银浆实现国产化突破,且银包铜技术已经从实验室开始向量
国产化+银包铜技术+SMBB组合,银浆耗量可降至10mg/W,降本幅度超60%;
2)硅片成本:HJT硅片减薄降本提效,预计成本下降幅度超40%。薄片化有利于降低硅片成本,HJT电池是对称结构,易于
图形化和铜电镀金属化工艺。
据悉,该电池片电极由SunDrive利用独创的无种子层直接铜电镀工艺完成。该电池所有工艺制程均在可量产的设备上完成,意味着未来量产效率迈过25.5%大关可期
。
SunDrive成立于2015年,由Vince Allen及胡又中David创立,总部位于澳大利亚悉尼。团队绝大多数成员毕业于素有光伏界黄埔军校之称的澳大利亚新南威尔士大学。公司成立之初便致力于可用于产业化铜
上利用其自主研发的电镀工艺光电转换效率达到25.54%,创造了新的世界纪录。
此次纪录电池片由迈为股份提供蓝膜片全部工艺制程(含制绒清洗、CVD、PVD等),由SunDrive完成图形化和铜电镀金属化
于2015年,由Vince Allen及胡又中David创立,总部位于澳大利亚悉尼。团队绝大多数成员毕业于素有光伏界黄埔军校之称的澳大利亚新南威尔士大学。公司成立之初便致力于可用于产业化铜电镀技术的研发
、沉积镀膜与金属化技术进展 05. 超薄单晶硅片技术品质提升与降本路径 06. 靶材及其他辅材技术创新与供应链分析 07. 先进低温银浆、银包铜技术开发及进展 08. 铜电镀技术在异质结的应用优势