低电阻

挑战。各个公司都会遇到这一类的问题，我们怎么样把一些新的技术能够转化到生产中去，这个晶澳电池和组件的供应商，我们也面临这样的问题，怎么样保证我的效率领先的同时，能够保持低的成本，我们已经有好几代的产品
传统上大家能够接受的156的大小，180到200的厚度，一到三的电阻率，是均匀的发射极，我们在背面做了钝化工艺，大家可以看到电池的结构，这个剖面图可以看到它的结构，背面主要增加了钝化层，三氧化二铝钝化

浪费了我们在制造当中的一些材料，使成本上升，还有一个很大的原因，就是串联电阻会增加，你可以自己算一算，一米增加的长度会损失多少，这一年会让你少发多少电。如果说这一块我们按照你的要求来做，这个电线可以
的，这样就可以使成本大幅度降低，但是我们希望和你这个系统的应用当中，两家结合起来，这样就是说，我们也省钱，你也省钱，我们最后的用户就是用电的用户就拿到这个低的电价，不然的话还是按照老传统来做下去，没有

应首先考虑具有足够的额定功率，以满足最大负荷下设备对电功率的要求，以及系统的扩容及一些临时负载的接入。当用电设备以纯电阻性负载为生或功率因数大于0.9时，一般选取光伏逆变器的额定输出功率比用电设备总
%。3、整机效率整机效率表示光伏逆变器自身功率损耗的大小。容量较大的光伏逆变器还要给出满负荷工作和低负荷工作下的效率值。一般KW级以下的逆变器的效率应为80%~85%;10KW级的效率应为85%~90

效率，对低寿命衬底尤为重要；V型槽可使发射极横向电阻降低3倍。由于PESC电池的最佳发射极方块电阻在150 ／口以上，降低发射极电阻可提高电池填充因子。 　　在发射结磷扩散后，Al层沉积在电池背面，再

效率，对低寿命衬底尤为重要；V型槽可使发射极横向电阻降低3倍。由于PESC电池的最佳发射极方块电阻在150／口以上，降低发射极电阻可提高电池填充因子。在发射结磷扩散后，Al层沉积在电池背面，再热生长

硅单晶,同时降低了熔硅温度的波动,mcz硅单晶中的氧含量得到有效降低,电阻率的均匀性得到较为显著地改善,较常规掺硼太阳能电池转换效率的光衰减降低约40%,有效提高单晶电池的实际转化效率。 　　单晶炉热屏
。 　　经过公司定制和集成的设备,比市场上的通用拉晶设备具有更好的产品适应性(6寸到10寸硅棒)、更低的资本开支(单炉采购价格较同类国产设备低35%左右)、更好的自动化扩展潜力,有利于保证公司设备具备长期

更低。重掺杂的方块电阻越小，腐蚀后饱和电流越低。图五腐蚀后反射率的提高腐蚀后硅片反射率有明显的上升，主要在400～700nm和1100～1200nm的波段。图六反射率的提高对电池短路电流的影响腐蚀深度
更深。图三腐蚀后的少子寿命经过重掺杂再腐蚀，硅片的少子寿命显著提高。对于高的方块电阻，需要相应地调整SiNx镀膜工艺以达到更好的钝化效果。图四腐蚀后的饱和电流相同的方块电阻下，经过重掺杂再腐蚀的饱和电流

减反射膜。设想是先淀积一层高折射率n2的氮化硅可以更好地钝化电池的表面，然后生长低折射率n1的氮化硅用于降低表面反射率。这样的结构由Schmdt提出，但是他并没有讨论双层膜耦合后的光学性质以及电池片的工业
试制。本文侧重于双层氮化硅减反膜多晶太阳电池的工业研制，并借助Sentech公司的SE400adv、Varian的Cary5000研究了双层氮化硅对多晶电池电性能的影响。2实验156156cm、电阻

液界面中凸较为严重，料少时还可控制在较合理的范围之内，投料多就比较难控制，且中心和周边凝固的时间差比较大;上加热器+侧加热器固液界面的控制稍好，中心和周边凝固的时间差较小，但在电阻率均匀性上有
，占地面积小;6、加热器及碳毡更换维修方便;7、炉体底部采用铜砖铺砌，如果发生硅液泄漏，由于铜的熔点较不锈钢低很多，而且比热大，能迅速融化而吸收硅液的热量使其凝固，因此一般不会发生安全事故。浙江宏业

太阳收集器的撑杆和金属线等。作为一般原则，确定从上午9点～下午3点没有阴影为好。在冬季的月份当太阳的仰角低，电池板被遮挡经常是一个比较大的问题，应引起光伏系统设计者和光伏电站运行人员的重视。中国位于
，并可靠接地，同时保证接地点等电位连接。为防止雷电波侵人造成的危害，光伏控制器在光伏进线的人口处应该安装防雷器件，如压敏电阻或防雷模块，并可靠接地。5、逆变器叠加使用和控制逆变-体机的优缺点5.1逆