低电阻

现有生产设备和生产工艺的基础上研究开发高方阻细栅密栅多晶硅太阳电池的制备技术。 该技术采用高方阻均匀发射极，掺杂浓度比常规扩散层低，能够降低载流子的表面复合速度，提高短路电流密度。需要采用新型正面
电极银浆料，调节烧结工艺，以避免正面电极烧穿p-n结。通过增加正面电极细栅线的数目，避免串联电阻增大、填充因子下降。 2013年晶澳太阳能、中利腾辉、尚德电力、力诺光伏、中电光伏等业内知名

高方阻均匀发射极，掺杂浓度比常规扩散层低，能够降低载流子的表面复合速度，提高短路电流密度。需要采用新型正面电极银浆料，调节烧结工艺，以避免正面电极烧穿p-n结。通过增加正面电极细栅线的数目，避免串联
电阻增大、填充因子下降。2013年晶澳太阳能、中利腾辉、尚德电力、力诺光伏、中电光伏等业内知名光伏公司纷纷推出了四主栅、五主栅电池及组件。其中力诺光伏自行设计、开发的四主栅电池片，主流档位封装组件功率

太阳电池生产总成本中己超二分之一，加之拉制的单晶硅棒呈圆柱状，切片制作太阳电池也是圆片，组成太阳能组件平面利用率低。因此，80年代以来，欧美一些国家投入了多晶硅太阳电池的研制。目前太阳电池使用的多晶硅
材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体，或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。其工艺过程是选择电阻率为100～300欧姆厘米的多晶块料或单晶硅头尾料，经破碎，用1：5的氢氟酸和硝酸混合液进行适当的

拉制的单晶硅棒呈圆柱状，切片制作太阳电池也是圆片，组成太阳能组件平面利用率低。因此，80年代以来，欧美一些国家投入了多晶硅太阳电池的研制。目前太阳电池使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体
，或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。其工艺过程是选择电阻率为100～300欧姆厘米的多晶块料或单晶硅头尾料，经破碎，用1：5的氢氟酸和硝酸混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干

的防静电的方法，因此在包装粉状物品时应引起注意。　　(1) PET高光亮光伏背板膜该薄光伏背板膜除具有普通聚酯薄光伏背板膜优良的物理机械性能外，还具有极好的光学性能，如透明度好、雾度低，光泽度高。它
光伏背板膜转移光伏背板膜又称热转印光伏背板膜，这种转移光伏背板膜的特点是拉伸强度高，热稳定性好、热收缩率低，表面平整光洁、剥离性好，可多次反复使用。它主要用做真空镀铝的载体，就是将PET光伏背板膜置于真空

PID试验发现，这种CIGS光伏电池板的抗PID性能高于硅类光伏电池板。此外，通过使用体积电阻率高的离聚物作为密封材料，进一步提高了抗PID性能。截至目前，日本的百万瓦级光伏电站还没有发现因PID现象导致
，可通过厚度仅2m的光吸收层实现充分的光吸收，并且基板还可使用便宜的玻璃和金属薄膜，因此作为成本低且可获得高转换效率的光伏电池备受关注。CIGS光伏电池方面，Solar Frontier(东京都港区)已启动年产900MW的量产工厂，日本的光伏电站也已陆续开始采用。

CIGS光伏电池板的抗PID性能高于硅类光伏电池板。此外，通过使用体积电阻率高的离聚物作为密封材料，进一步提高了抗PID性能。截至目前，日本的百万瓦级光伏电站还没有发现因PID现象导致劣化的案例。不过
光吸收层实现充分的光吸收，并且基板还可使用便宜的玻璃和金属薄膜，因此作为成本低且可获得高转换效率的光伏电池备受关注。CIGS光伏电池方面，Solar Frontier（东京都港区）已启动年产900MW的量产工厂，日本的光伏电站也已陆续开始采用。

试验发现，这种CIGS光伏电池板的抗PID性能高于硅类光伏电池板。此外，通过使用体积电阻率高的离聚物作为密封材料，进一步提高了抗PID性能。截至目前，日本的百万瓦级光伏电站还没有发现因PID现象导致劣化
厚度仅2m的光吸收层实现充分的光吸收，并且基板还可使用便宜的玻璃和金属薄膜，因此作为成本低且可获得高转换效率的光伏电池备受关注。CIGS光伏电池方面，Solar Frontier（东京都港区）已启动年产900MW的量产工厂，日本的光伏电站也已陆续开始采用。（记者：中西 清隆，日经BP清洁技术研究所）