低电阻

。娄军说，新电解质和反电极之间的电阻是“我们见过的最低的”，娄军说。 　　但是，还有很多工作要做。“碳纳米管和集电器之间，仍然有相当大的接触电阻，而且，从效果上看，结构上有缺陷的碳纳米管，相应的催化
性能还不完全清楚，但我们相信，一旦我们完成优化，就会取得理想的效率，使整个产品很实惠，”娄军说。“真正吸引人的是，它成本非常低，可替代硅太阳能电池。”

掺杂浓度的提高，开路电压Voc随之提高。二、高方阻的缺点串联电阻Rs=电极电阻+体电阻+薄层电阻+接触电阻。高方阻使得表面薄层电阻明显增加，增大了Rs，降低了FF。电流横向电阻：功率损耗：dP

%。SE电池的结构在太阳电池的众多参数中，发射极（dopantprofile）是最能影响转换效率的参数之一。适当提高方块电阻可提高开路电压和短路电流，但是在丝网印刷方式下，Ag电极与低表面掺杂浓度发射极的
，前栅接触电阻、体电阻和扩散层薄层电阻对串联电阻贡献最大。根据金属-半导体接触电阻理论，接触电阻与金属势垒（barrierheight）和表面掺杂浓度（Nb）有关，势垒越低，掺杂浓度越高，接触电阻越小

，继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能
四氯化硅-锌还原法，成本低，有希望成为实现太阳能级硅的大规模生产技术，会使太阳能级硅成为电子级硅生产的副产品。尽管我国目前的产业基础比较薄弱，但是可以探索该项技术的发展;6 CP法物理法的变体CP法

、智慧型光伏控制器和最大功率跟踪型光伏控制器。1、并联型光伏控制器。当蓄电池充满时，利用电子部件把光伏阵列的输出分流到内部并联电阻器或功率模组上去，然后以热的形式消耗掉。并联型光伏控制器一般用于小型、低

的填装方式如附图2a、2b所示，掺杂剂为硼、稼或磷，掺杂后目标晶体的电阻率为1.50～2.0.cm。装料后抽真空，控制功率进行加热;进入熔化阶段后，采用温度控制分段加温，到熔化最后一步将加热器控制温度
同样生产线的常规单晶硅片相当。5、准单晶硅片基本参数以凤凰光伏准单晶硅片为例，其基本参数是：1)导电类型：P型2)尺寸为156156mm3)电阻为0.53.cm，4)少子寿命2s，5)厚度为

导电银浆，此产品具有优良的欧姆接触特性及焊接性，低接触电阻和高导电率，与硅片的匹配性好，附着强度高； SDS-0020产品为单（多）晶硅太阳能电池的背面电极专用导电银浆；SDSPF-0030系列产品为

远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是
月份我国多晶硅进口6473吨，刷新了自2010年11月以来保持的6153吨最高纪录。在大量多晶硅流入中国市场，且价格低于国内的情况下，国内市场价格被再次拉低。与此同时，目前国内光伏产业仍整体面临较大的

生产成本以及高能量收集的低温度系数。Triex的无银技术不需要用到传统晶硅设备制造商所依赖的昂贵的银浆。通过使用一种低电阻率铜金属化工艺，Silevo再也不受市场上银价不断上涨的影响。目前Silevo
优势和能源收集性能，但效率较低，导致光伏系统成本偏高。相反，虽然高效晶体硅的光伏系统成本较低，但其生产成本较高，能源收集性能较差。凭借Triex技术，Silevo提供了三个最佳关键参数：高效率、低

更优化。浆料的高导电性，低接触电阻和在接触区域的低再结合性可以提高效率，并且与EWT电池结构有很好的附着力。 美国福禄的NS3165 EWT n型接触浆料有着良好的流变性，适用于穿孔应用
，可以印出良好栅线。并且有良好的二极管性能，低电阻损耗，低漏电性能，在烧结时通过钝化层。 美国福禄的PS2168EWTp型接触浆料主要特点是有大量p掺杂，从而产生超低的接触电阻。可以很好的烧穿