三菱电子

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中国质量认证中心发布光伏“领跑者”认证计划第一批申请企业名单来源:世纪新能源网 发布时间:2018-02-02 14:12:01

5. 东芝三菱电机产业系统株式会社
7. 台达电子工业股份有限公司 4个型号

大功率半导体,“湖南智造”领先世界——南车株所实现IGBT产业化来源:中国电子产业网 发布时间:2018-02-02 14:09:45

IGBT产业化基地。产业还将继续拓展。南车株洲所与中国科学院微电子研究所联合,组建新型电力电子器件研发中心,开展以碳化硅为基础材料的新型电力电子器件技术与产业化的研究。目前,中心已成功研制出样品,并组合

【盘点2011】太阳能电池篇:价格竞争激化,美国企业接连倒闭来源: 发布时间:2018-02-02 14:08:44

,也开始计划提高可靠性和转换效率。所以,为了提高成本竞争力,日本厂商中出现了积极在日本以外地区进行生产的现象。   2011年3月,三菱重工宣布将把薄膜硅太阳能电池生产线的大部分移交给台湾宇通光能
(Auria Solar)。三菱重工在利用剩余的13MW生产线继续进行开发研究的同时,还将生产面向日本市场的太阳能电池。   11月份,松下宣布将在马来西亚新建HIT太阳能电池一条龙生产工厂。现在的HIT

TMEIC嘉定新工厂成立,预计2015年底将生产207台逆变器来源:solarzoom 发布时间:2018-02-02 14:03:40

电力电子有限公司的开业意味着东芝三菱电机工业系统(中国)有限公司(TMEIC中国)迎来了她在中国的第二家工厂TMEIC嘉定新工厂。据悉这是目前为止TMEIC在中国唯一一家独资工厂,工厂将致力于生产
索比光伏网讯:2014年9月19日,国际领先的知名逆变器供应商TMEIC子公司上海提迈克电力电子有限公司在上海嘉定区举行了开业典礼,政府领导、TMEIC高层以及各个合作单位参加了开幕庆典。上海提迈克

商船三井的混合动力运输船配备太阳能电池和蓄电系统来源: 发布时间:2018-02-02 14:03:06

索比光伏网讯:日本商船三井的混合动力汽车运输船EMERALD ACE于2012年6月29日在三菱重工业神户造船所竣工下水。其最大特点是配备了商船三井、三菱重工业和松下共同开发的混合动力供电系统
计划在预定2013年竣工的铁矿石专用船上,配备将推进发动机的废气热能转换成电力以辅助螺旋桨旋转的技术。(记者:狩集 浩志,《日经电子》)

日本制造业衰落的光伏“样本”来源:高科智库 发布时间:2018-01-31 16:42:47

、东芝也在以往强势的消费电子领域一路溃败,夕日明星NEC已彻底退出智能手机领域 在这些明星企业日落西山的背后,则是冰冷的数据现实。在德勤发布的《2016全球制造业竞争力指数前十》榜单中,除了中国大陆
产业在国际市场上也具有强大的竞争力。2006年全球光伏产量为2500兆瓦,其中日本为920 兆瓦,占全球总产量的36.8%。在光伏产业中夏普、京瓷、三洋、三菱等知名企业起着重要的作用。 数据来源

日本东芝三菱电机将收购印度光伏逆变器企业以强化当地市场来源:日经BP社 发布时间:2018-01-25 13:41:12

索比光伏网讯:日本最大的光伏发电用大型逆变器(PCS)厂商东芝三菱电机产业系统公司(TMEIC)于2014年4月28日宣布,已与欧洲老牌功率电子企业荷兰AEG Power Solutions公司就

商船三井的混合动力汽车运输船配备160kW太阳能电池和2.2MWh锂电池来源: 发布时间:2018-01-23 16:50:51

索比光伏网讯:在混合动力汽车运输船EMERALD ACE于2012年6月29日竣工之前,商船三井在三菱重工业神户造船所举行了内览会。EMERALD ACE的特点是配备了商船三井、三菱重工业以及松下
转换成交流450V电力(输出功率为480kW),然后向船内供电。充电时,向电池组供应的是交流450V电力,通过电池组内的充电器转换成直流再进行充电。(记者:狩集 浩志,《日经电子》)

“王者”荣耀 ·2017年“光能杯”颁奖盛典圆满落幕 大咖精英云集共谱行业新未来来源:索比光伏网 发布时间:2017-11-02 14:19:11

陕西长岭光伏电气有限公司 东芝三菱电机工业系统(中国)有限公司 光伏商用逆变器的发展已经能够影响光伏产业的发展。伴随着产业的不断地升级,高端科技的不断应用,产业发展进入了黄金阶段,光伏企业需要
。 年度光伏材料企业 杜邦 Dupont 乐凯胶片股份有限公司 苏州赛伍应用技术股份有限公司 杭州福膜新材料科技有限公司 苏州中来光伏新材股份有限公司 无锡帝科电子材料科技有限公司

PERC之外,N型高效电池是个什么GUI?来源:摩尔光伏 发布时间:2017-10-18 17:21:39

料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力,相同电阻率的N型CZ硅片的少子寿命比P型硅片的高出1~2个数量级,达到毫秒级。且N型材料的少子空穴的表面复合速率低于P型材料中电子
表面复合速率,因此采用N型晶硅材料的少子空穴的复合将远低于P型的少子电子的复合。其次,N型硅片对金属污染的容忍度要高于P型硅片。如图3所示,Fe,Cr,Co,W,Cu,Ni等金属对P型硅片少子寿命的