三栅线

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光伏行业的2017:疯狂的新技术迭代来源:三钱二两 发布时间:2017-12-13 09:24:25

引发的隐裂。 3)MBB多主栅技术 现在常规电池片多采用4~5主栅的技术,而多主栅技术使得单张电池片上的主栅数量达到12条;与之相对应,单条主栅的宽度只有常规电池片的三分之一,线遮挡不会使得线

光伏行业的2017: 疯狂的新技术迭代来源:三钱二两 发布时间:2017-12-12 23:59:59

相对应,单条主栅的宽度只有常规电池片的三分之一,线遮挡不会使得线背面的温度明显偏低。电池片更均衡的温度减少隐裂的发生。除此之外,多主栅技术有利于电池片上的电流搜集,所以即便产生细微隐裂,在多主栅技术

防患于未然!光伏组件这22个质量问题如何预防来源:索比光伏网 发布时间:2017-12-12 09:25:27

制程过程中成品外观检验。 4.严格控制助焊剂用量,尽量不超过主线两侧0.3mm。 (三)硅胶不良导致分层&电池片交叉隐裂纹 1.交联度不合格,如层压机温度低,层压时间短等造成。 2.EVA

干货|金刚线添加剂电池的工艺优化来源:摩尔光伏 发布时间:2017-12-08 12:23:50

丝网印刷及烧结金刚线多晶硅片粗线痕、浅损伤层不仅影响PECVD减反射膜的颜色等,还会增加丝网印刷的难度。金刚线直接添加剂法由于减重较低,难以有效去除硅片表面的切割线痕,因此印刷时需注意线痕与细栅的方向

20企39项新技术,2017协鑫、天合、特变、正泰、阳光等企业全年技术动向!来源:光伏头条 发布时间:2017-11-30 23:59:59

集成电路产业投资基金(大基金)联手保利协鑫共同投资成立江苏鑫华半导体材料科技有限公司,打造国内首条5000吨电子级多晶硅专用线,实现原料自主。 二代高效黑硅片 11月2日,保利协鑫重磅发布TS+系列第二代
。 12栅组件 3月,全球领先的光伏制造商协鑫集成(002506.SZ)宣布,该公司研发的12栅组件(简称MBB)产品顺利通过德国莱茵TV的多栅组件产品认证。表明多栅组件这一突破性创新技术获得权威认证

太阳能电池片科普系列——烧结篇来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2017-11-29 17:10:20

电极扩散进硅,同时电池片电极有优秀的电性能参数,经过烧结炉的氮化硅颜色应该均匀无色差,最后还要检测线是否有断裂、虚印等情况四、烧结工艺常见事项1、在设定温度的同时也要考虑到Al的沸点较低,当超过其
硅片底部的空气。 烧结温度曲线烧结各温区作用烘干区:使有机溶剂脱离浆料烧结区烧结区:使电极、背场可形成良好的欧姆接触,减小串阻三、理想的烧结效果正面电极烧穿氮化硅,镀膜产生的H扩散进硅,背面Ag、Al

【干货】光伏逆变器工作原理深度总结来源:索比光伏网 发布时间:2017-11-29 16:27:25

~60Hz的逆变器,中频逆变器的频率一般为400Hz到十几kHz,高频逆变器的频率一般为十几kHz到MHz。 2.按逆变器输出的相数可分为单相逆变器、三相逆变器和多相逆变器 3.按照逆变器输出电能的
、推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。 5.按逆变器主开关器件的类型可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器

太阳能电池片科普系列——丝网印刷篇来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2017-11-29 12:07:06

印刷行程。 二、丝网印刷流程三、银电极银电极的主要作用是输出电流。与电池PN结两端形成欧姆接触,P型区接触的电极为电流输出的正极,N型区接触的电极是电流输出的负极。正面电极由两部分构成,主线和副线

【深度解析】光伏系统发电量低之组件因素来源:索比光伏网 发布时间:2017-11-29 09:20:30

本身缺陷也可能使组件在工作时局部发热,这种现象叫热斑效应。当热板效应达到一定程度,组件上的焊点熔化并毁坏线,从而导致整个太阳电池组件的报废。据行业给出的数据显示,热斑效应使太阳电池组件的实际使用
负压;通过提升组件的电压,让所有的组件对地都实现正电压,可以有效地消除PID现象。 三、如何从逆变器端检测组件 组串监控技术就是在逆变器组件输入端,安装电流传感器和电压检测装置,检测到每个组串的

太阳能电池片科普系列——发电原理篇来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2017-11-27 14:41:14

重掺杂的N型层。然后经刻蚀到达PECVD在整个N型层表面上镀上一层减反射膜用来减少太阳光的反射损失,达到丝网在扩散面印刷上金属线作为太阳能电池片的正面接触电极。在刻蚀面印刷金属膜,作为太阳能电池片的背面
四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子,因为硼原子周围只有三个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴,这个空穴因为没有电子而变得很不稳定容易吸收电子而中和,形成P型半导体。 二、N型半导体的形成 如上图