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SiC的一些优势在功率升压电路中发挥了作用，它使太阳能转换的效率更高。本文主要谈到一种电路设计，用于使太阳能电池阵列的输出阻抗(随入射光的水平而变化)与逆变器所需的输入阻抗相匹配，以实现最高效的转换
，它会损坏由纯正弦波AC供电的更复杂的电子设备。因此，逆变器设计成为一个平衡的关键，一方面增加开关频率以提高能效、工作电压和发电量，另一方面将平滑方波所用的辅助元器件的成本降至最低。 SIC的优势

微电子产业; 第二代半导体材料包括砷化镓以及磷化铟，主要应用在射频通讯产业以及光电产业; 第三代半导体以碳化硅以及氮化镓为代表，可应用在更高阶的高压高频的功率元件领域。碳化硅(SiC)的
击穿电压是传统硅器件的十倍以上，并具有比硅更低的导通电阻，栅极电荷和反向恢复电荷特性，以及更高的热导率。这些特性意味着SiC器件可以在比硅器件更高的电压，频率和电流下切换，同时更有效地管理散热。由于

德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)开发出一种250千瓦碳化硅(SiC)逆变器,可用于连接到中压电网的公用事业规模光伏项目。与使用硅晶体管的标准光伏逆变器相比,这种SiC设备的创造者声称当
SiC晶体管,其功率损耗比标准硅晶体管低。弗劳恩霍夫科学家指定:这使得逆变器堆栈有可能以16 kHz的开关频率运行,使用最先进的硅晶体管,在这个电压等级下,开关频率只可能低10倍左右。根据科学家

首家!阳光推出可量产车用全SiC电机控制器》。老红过去知道电驱、电控、电池是电动车行业的三大基础技术，可怎么也没想到光伏行业的阳光电源一夜之间跨界进入电动车行业，还成为国内首家开发出使用第三代宽禁带
功率半导体(单管SiC MOSFET)并联技术的电机控制器企业。据悉，此前国际上批量应用此技术方案的仅特斯拉一家。更让人惊喜的是6月11日的《逆势升级小蚂蚁牵手阳光再造标杆力作》和6月17日的

输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)的研究人员周林、李寒江、解宝、李海啸、聂莉，在2019年第20期《电工技术学报》上撰文指出(论文标题为SiC MOSFET的Saber建模
及其在光伏并网逆变器中的应用和分析)，SiC MOSFET高频、高效、高功率密度的特性符合光伏逆变器的发展趋势，但随之而来的开关振荡问题亟待解决。开关频率提升后，由于开关振荡的存在，可能导致高频下的

晶体管，它集中了GTR和MOSFET的优点，驱动电路简单和开关频率高，和MOSFET相似，输出电流大和GTR相似，第五代是加入SIC碳化硅材料的MOSFET和IGBT以及碳化硅肖特基二极管。碳化硅
(SiC)器件属于宽禁带半导体组别，与常用硅(Si)器件相比，有许多优势：一是耐高压，碳化硅器件具备更高的击穿电场强度，最高耐压可达10kV，比硅(Si)器件耐压提高了几倍;二是耐高温，其最高结温可达

熔铸锭过程中如何保留住籽晶是关键。目前普遍使用的籽晶类型有异质形核和同质形核两种类型。异质形核有SiC、SiO2、Si3N4、C颗粒等。同质形核的硅质材料主要有碎硅片、硅颗粒和硅粉等。戚凤鸣等采用
SiC-SiO2复合颗粒铺设在坩埚底部作籽晶，能显著降低硅锭中下部的氧含量。常州天合的康海涛等用两面均涂有硅氧层-硅氮层的单晶硅片，诱导形核来抑制位错，降低多晶硅材料体内缺陷。籽晶料种类见图3。 2.2