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。 1) TOPCon 电池采用 N 型硅片，需要在 PERC 产线上增加硼扩设备，背面的 SiO2隧穿层和掺杂多晶硅层，分别采用原位热氧和原位掺杂的方式在 LPCVD(低压化学气相沉积) 中
、HBC 电池(增加光照面积，提高 Jsc) ，以及提高少子寿命如异质结、TOPCon(优化钝化性能，提高 Voc)实现。主要新型高效电池介绍异质结电池

磁控溅射工艺在P型非晶硅层上制备ITO材质的第一透明导电层(也就是异质结电池的背面);采用磁控溅射工艺在电子传输层上形成ITO材质的第二透明导电层(也就是钙钛矿电池的正面);以及采用丝网印刷工艺在第一
，对电池的光电转换效率和成本有重要影响。太阳电池技术发展迅速，短短十年间，传统的BSF电池已经成为历史，单晶PERC电池成为主流。异质结和TOPCon有望成为下一代主流电池技术，其金属化工艺仍然基于

更高效电池基本集中在TOPCon电池、异质结(HJT)电池和背接触(MWT/IBC)等N型电池上，其转换效率目前可以达到24%，未来甚至能提升到接近26%。因此，包括老巨头和新晋玩家在内，越来越多
降到130m。上述某下游环节龙头厂商高层也强调，对于现在的P型电池而言，薄片化还需要时间，170以下的P型不好做，(超薄硅片)更适合N型或者更适合低温工艺。个人认为，薄片更适合中环股份主打的

较快，将有5万吨左右，但是完全取代西门子法还需时间，因此西门子法硅料(通威股份)的供需紧张依然存在。此外，下一代电池技术如HJT、TOPCON等基于N型硅料技术，龙头厂商加快产能转化，率先完成布局的
，增量超过14GW，对比数据，N型组件需求仅预计由6.0GW小幅成长到8.0GW，这表明N型并非市场需求上涨的主要部分。而预计2021年P型单晶PERC组件需求由89GW成长到110GW，市占率突破

，电池片厂商开始相继布局具有更高效率，更低衰退率，更高发电量的N型太阳能电池技术，例如隧穿氧化钝化接触电池(TOPCon)，异质结电池(HIT)和背接触电池(IBC)等。与此同时，设备厂商正在布局
非晶硅薄膜，N型非晶硅薄膜，背面依次沉积本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜，掺杂非晶硅薄膜两侧分别沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)，在TCO两侧顶层形成金属电机。预计2023年HJT电池片成本接近

会降到大家都能接受的程度。异质结电池的优势： 1)转换效率潜力超28%，远高于PERC(P型电池材料限制原因)。 2)工艺流程更简化，降本空间更大。HJT是低温工艺，利于薄片化和减少热损伤。并且
HJT只需要4道工艺，PERC需要8道、TOPCon需要9-12道。 3)衰减更低。HJT电池10年衰减率小于3%，25年发电量下降仅为8%，衰减速度远低于PERC及TOPCon

PERC电池，当两种电池的价差、成本差缩小到一定程度，市场需求将被充分激活，形成不可逆趋势。从板块变革角度，推荐关注顺序：电池硅片硅料组件; 电池环节：从P型PERC转向N-HJT，是光伏未来10年
最重要的主题; 硅片环节：大尺寸、薄片化、N型高品质硅片是大趋势。HJT可以很好兼容182/210大尺寸，薄片化是HJT的独享技术;高品质N型硅片可以释放HJT的超高效潜力。拉晶环节，CCZ还处于前期

PERC电池，当两种电池的价差、成本差缩小到一定程度，市场需求将被充分激活，形成不可逆趋势。从板块变革角度，推荐关注顺序：电池→硅片→硅料→组件; 电池环节：从P型PERC转向N-HJT，是光伏未来
10年最重要的主题; 硅片环节：大尺寸、薄片化、N型高品质硅片是大趋势。HJT可以很好兼容182/210大尺寸，薄片化是HJT的独享技术;高品质N型硅片可以释放HJT的超高效潜力。拉晶环节，CCZ还