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公司Crystal Solar 开发的n型晶片。位于硅谷的Crystal Solar 的Direct Gas to Wafer技术可生产6寸大小、160至180微米厚的单晶硅片，在结晶过程中会有一个
p-n结形成。Crystal Solar的外延晶圆生产工艺通过气体生成单晶硅晶片。该公司声称，这是一种高生产量工艺，会导致低成本/瓦特。IMEC和Crystal Solar宣布的结果表明

说多晶存在效率提升的瓶颈，但过去的2015年看，高效多晶已经突破20%的理论瓶颈，单是效率数据，现在市场上的高效多晶的转换效率已经高过目前占单晶主流的普通P型单晶，不仅仅在成本上，而且在转换效率上匹敌单晶
%上升到15%，未来还会往20-25%提升，改局部展望了，其实2015年的中国市场如果没有主要单晶硅片企业跳出来，往下游做了单晶电池组件，在中国电站市场和多晶一起拼价格，单晶下滑幅度还会更惨

不总是单晶占优势，前几年我们都在说多晶存在效率提升的瓶颈，但过去的2015年看，高效多晶已经突破20%的理论瓶颈，单是效率数据，现在市场上的高效多晶的转换效率已经高过目前占单晶主流的普通P型单晶
5%上升到15%，未来还会往20-25%提升，改局部展望了，其实2015年的中国市场如果没有主要单晶硅片企业跳出来，往下游做了单晶电池组件，在中国电站市场和多晶一起拼价格，单晶下滑幅度还会更惨

显著。黑硅技术设备商常州比太科技CEO上官泉元表示：今年比太已预期接获1GW的订单，不论是在量产性、或是导入成本与提效的效果上，RIE都是目前最成熟、也最能获得效益的黑硅技术。从目前比太与P型技术领导
随着去年下半年单晶硅片的让利抢占市场效果显著，多晶硅片庞大的产能也欲以金刚线切降本以扳回一城。这样的热潮在各大垂直整合厂近日的财报会议也可见一斑，市场讨论金刚线切多晶硅片以及黑硅技术的热度又再

关键一年。产业技术更迭之时，行业对未来主流技术发展的看法存在分歧。而乐叶对于未来的选择是，坚持做单晶，尤其是随着PERC技术的规模化应用，届时单晶P型电池转换效率将会提升1%（量产转换效率由20%提升
P型晶硅技术路线中，多晶电池转化效率为18%~18.4%，单晶电池已经达到19.8%~20%。应用了PERC技术之后，单晶可将转化效率提升至21%，远远超出多晶转换效率的提升空间。李文学表示，在当

，目前单晶与多晶的成本差距正在快速缩小，而单晶转换效率优势则不断扩大，多晶在达到18-19%的转换效率后边际效应开始显现，增长缓慢。而P型单晶目前转换效率在19.5%-20.5%，1年内将突破21.5
%，N型单晶转换效率在22%-25%，N型理论上甚至可以达到30%的高效率。目前P型单晶在性价比方面已经超越多晶，可以预见不远的将来随着成本迫近甚至达到持平，多晶有望大面积被单晶取代。

虽然在产品性能上有一定优势，但是单晶组件的价格仍高出多晶组件不少，在性价比方面处于劣势。在追求投资回报的市场看来，自然会选择性价比高的产品，这是当前光伏市场上普遍的规律。事实上，当前的单晶产品仍以P型为主
，而P型单晶产品先天上存在着电池封装成组件损失（CelltoModuleLoss）较高、光衰（LID）也高的劣势。若以PERC工艺生产电池，虽然转换效率大幅提升，但光衰也会从一般的2%左右飙高至3~6

晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。图3 ITRPV预测未来晶硅电池转换效率提升空间与速度另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的
衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功研发和推广应用成为历史。近年来，随着单晶降氧工艺技术的进步，单晶中的氧含量大幅降低，低氧单晶的衰减优于多晶。如下图4所示，低氧单晶组件平均光衰低于普通

现有很大差异。目前的单晶电池以P型为主，这种电池在日照2-3周后会发生2%~3%的快速功率衰减，原因是晶体生长中使用硼作为掺杂剂，同时有较多的氧原子混杂，替位硼和间隙氧在光照下激发形成较深能级缺陷，引起
，每一种新技术的导入都必然引致单晶相对多晶的转换效率优势扩大。目前P型单晶相对多晶的平均转换效率优势是1.5个百分点，当PERC技术实现产业化时，单晶效率提升了0.8-1个百分点，多晶效率只能提升

差异。目前的单晶电池以P型为主，这种电池在日照2-3周后会发生2%~3%的快速功率衰减，原因是晶体生长中使用硼作为掺杂剂，同时有较多的氧原子混杂，替位硼和间隙氧在光照下激发形成较深能级缺陷，引起载流子复合
新技术的导入都必然引致单晶相对多晶的转换效率优势扩大。目前P型单晶相对多晶的平均转换效率优势是1.5个百分点，当PERC技术实现产业化时，单晶效率提升了0.8-1个百分点，多晶效率只能提升0.5-0.6个

在这两类衰减上表现有很大差异。目前的单晶电池以P型为主，这种电池在日照2-3周后会发生2%~3%的快速功率衰减，原因是晶体生长中使用硼作为掺杂剂，同时有较多的氧原子混杂，替位硼和间隙氧在光照下激发
本身无法克服的高位错密度和高杂质缺陷，每一种新技术的导入都必然引致单晶相对多晶的转换效率优势扩大。目前P型单晶相对多晶的平均转换效率优势是1.5个百分点，当PERC技术实现产业化时，单晶效率提升

环节的技术发展，预期多晶硅片的成本具有更大的下降空间，可相比单晶硅片保持0.28元/Wp左右的优势，同时预期多晶硅片的品质会持续提升，与P型单晶片的转换效率差将保持在约1.5%以内。多晶硅片产品的
，可带来多晶电池效率增加0.5～0.8%。事实上，绝大多数高效电池技术对单晶、多晶硅片都适用。电池厂家一般先在单晶硅片上研发新工艺、新技术，进而推广到多晶硅片，P型单晶电池和多晶电池产业化效率差距仍会