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直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动
氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结

绝对领先，摆脱过去代工宿命，加速建构台湾成为太阳能王国。业者指出，高效N型异质接面太阳能电池是目前美、日、中、韩、欧产学研界大力研发的主流新技术之一，由于它的转换效率自21％起跳，效率可再往
上提升到25％，相较于现在主流的P型太阳电池20％的效率而提升空间不大，前者的优势十分明显。台湾太阳能厂商有能力在高效率异质接面HJT工艺设备基础上研究开发更新颖的工艺，形成差异化的研发能量。前真空学会

年底，半导体所承担了为实践1号卫星研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射，造成电池衰减，使电池无法长时间在空间运行。1969年，半导体
。法国奥德约太阳能发电站是世界上第一个实现太阳能发电的太阳能电站。虽然当时发电功率才64千瓦，但它为后来的太阳能电站的研究与设计奠定了基础。2008年12月19日，我国第一个荒漠化并网型光伏电站大唐甘肃

筑波大学的研究者利用量子点的太阳能电池单元的光电转换效率可达到8.54％。其量子点型太阳能电池是在p-n结之间层叠多个量子点层，在1cm2的GaAs衬底上交替叠加了30层GaNAs和30层InAs的超
、量子点结构，以及In(Ga)N氮化物材料。新型材料的研发始终是一个活跃的领域，研究者们首先想到的是掺氮材料。因为从III-V族半导体能带结构和晶格常数关系图中可以看出，对于GaInNAs材料

型太阳能电池是在p-n结之间层叠多个量子点层，在1cm2的GaAs衬底上交替叠加了30层GaNAs和30层InAs的超晶格结构（见图2）。在GaNAs上生长InAs时，自组织生成高为3～4nm、直径为
多结太阳能电池的转换效率，研究者们从新材料开发、器件结构乃至整个系统等方面对多结太阳能电池进行了优化。在新材料开发方面，主要有掺氮材料、量子点结构，以及In(Ga)N氮化物材料。新型材料的研发始终是

研究生院的56所高校和广东省重点建设的广东省211工程高校。中山大学太阳能系统研究所主要以太阳能材料与光伏技术的应用基础和关键技术为研究内容，力争在光伏物理、太阳能材料和太阳电池理论与实验三个方面
的整体研究处于国内领先水平；并建成在国内具有重要影响的太阳能信息中心和太阳能测试中心两个重要技术平台，以对国家太阳能发展战略和太阳能产业和技术标准产生重大影响。已建成的实验室包括太阳电池实验室、纳米功能