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索比光伏网讯:随着节能观念兴起，再生能源的发电效率也逐渐受到重视，为迎合市场需求，太阳能业者皆无所不用其极努力打造节能高效的太阳能发电系统。受惠近期太阳能光伏逆变器中的IGBT与MOSFET两项功率
元件技术显著进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。IGBT技术演进日趋成熟IGBT与N通道(N-ch)型MOSFET不同处在于，N-ch型MOSFET的基板极性为N；而IGBT的基板极性为P。由IGBT

索比光伏网讯:如今市场上先进功率元件的种类数不胜数，工程人员要为一项应用选择到合适的功率元件，的确是一项艰巨的工作。就以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的
效益，其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制，并能使逆并联二极管与IGBT配合。本文将介绍如果利用全桥逆变器拓扑及选用合适的IGBT，使太阳能应用的功耗降至最低。太阳能逆变器是一种功率电子电路，能把

（比如电容）来提供或者通过增加待关断整流阀（像MOSFET或IGBT）的电阻值来实现。输出电压被脉冲调制的自励逆变器被称为脉冲逆变器。这种逆变器通过增加周期内脉冲的切换次数，来降低电压、电流的谐波含量
指定为高压侧IGBT，Q2和Q4则是低压侧IGBT。该逆变器用于在其目标市场的频率和电压条件下，产生单相位正弦电压波形。有些逆变器用于连接净计量效益电网的住宅安装，这就是其中一个目标应用市场，此项应用

逆变器不需要外部交流电压源，整流电压由逆变器的一部分储能元件（比如电容）来提供或者通过增加待关断整流阀（像MOSFET 或IGBT）的电阻值来实现。输出电压被脉冲调制的自励逆变器被称为脉冲逆变器。这种
架构一般采用四个开关的全桥拓扑，如图1所示。图1 全桥拓扑示意图　　在图1中， Q1 和Q3被指定为高压侧IGBT,Q2 和Q4 则是低压侧 IGBT.该逆变器用于在其目标市场的频率和电压条件下，产生

，2012年实现销售37亿元。公司产品：集中型逆变器SolarOcean，采用高效率IGBT功率器件，先进的MPPT自动跟踪技术，适应严酷的电网环境，多语种的LCD显示功能，方便用户选择，工频高效率
、安装、调试、维修、技术咨询、技术转让。产品系列：包括有变压器型和无变压器型两种技术，可满足不同应用需求，采用国际先进的IGBT和智能功率模块（IPM），MPPT自寻优技术；多语种液晶显示，界面

日期：2011年03月21日评论:公司借助金融危机之后国家经济转型的重要时机，完成了自身产品布局与产业转型。公司通过内蒙光伏产业基地建设，突出新能源材料在产业结构中的重要地位；通过IGBT、MOSFET
，但毛利率已转负为正，这将对公司现金流状况带来有利影响。在产品创新方面，公司1200VTrenchIGBT是国内首类1200沟槽型非穿通IGBT系列产品，具有电流密度大、芯片尺寸小、饱和压降低、良好拖

Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器（gate driver），有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。当输入电流为
1mA 时，该闸极驱动器通常可提供 4A 的驱动电流，使其成为控制器的高输出阻抗和 IGBT 的低输入阻抗之间高增益缓冲级的最佳选择。ZXGD3006E6 拥有一个发射极跟随器配置，可防止闩锁效应

最大功率追踪器(MPPT)算法，上述算法对太阳能逆变器的转换效率十分重要。陈思儒指出。目前逆变器会根据不同功率采用IGBT、MOSFET和高速二极管作为功率变换的主要器件，市场要求这些器件具有更低的传导
损耗与开关损耗及高可靠性等优点。随着高能效的功率变换技术不断引入，新一代的IGBT、超级结MOSFET和碳化硅二极管的使用，使得效率的标杆不断被刷新。一般来说，在逆变器系统设计中，选择IGBT器件的

（Shine Magazine/光能杂志 & www.solarbe.com/索比太阳能光伏网记者刘珊珊编译) 三菱电机最新开发的Smart-1系列IGBT模块，将首度在6月21日至23日于
更小、损耗更低、和容量更大的功率模块。三菱电机的最新开发的Smart-1系列IGBT模块，采用第6代CSTBTTM硅片技术和自动压接装配技术。模块的饱和压降低，功率损耗低，且硅片结温可高达175°C

。其超声波焊接功率端子也提高了机械坚固性，并且可以支持更高电流。此外，这种模块实现了更低导通损耗和优化的杂散电感。同时，归功于最先进的芯片技术IGBT4，这种模块可以支持最高为150C的更高工作结温
，从而可支持更高IRMS电流。结合IGBT4优秀的功率循环能力，英飞凌新推出的这个功率模块将行业标准提升至新的高度。　　借鉴汽车行业广泛采用的做法，EconoPACKTM + D系列模块的控制管脚采用