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薄膜太阳能电池前途光明

来源：索比光伏发布时间：2007-12-21 13:59:42

太阳光谱加以利用。例如，SolFocus采用锗衬底来吸收红外光，并添加GaAs和InP层来吸收蓝光和紫外光，以用于航空领域。　　不幸的是，多结太阳能电池的价格是硅电池的两倍。太空中是没有办法获得

太阳能光伏市场

筑波大学成功把量子点型太阳能电池转换效率提高到8.54％

来源：索比光伏发布时间：2007-11-23 22:17:56

的未来高效太阳能电池的候选之一。　　筑波大学开发的量子点型太阳能电池是在pn结之间层叠多个量子点层的量子点超晶格型产品，在1cm见方的GaAs底板上交替叠加了30层GaNAs和30层InAs的超晶格结构

太阳能电池光伏科技

ANADIGICS 和昆山砷化镓晶圆制造工厂奠基动工

来源：索比光伏发布时间：2007-07-11 10:31:32

ANADIGIC S, Inc. (Nasdaq: ANAD) 今天在昆山高新技术产业园区 (KSND) 举行最新的一流六英吋砷化镓 (GaAs) 整合电路晶圆制造厂奠基动工仪式，这是全市

太阳能光伏能源光伏要闻

太阳能基本知识

来源：索比光伏发布时间：2007-07-02 23:00:33

效率电池类型面积（cm2）效率（%）电池结构一般Si太阳电池 64cm2 14.6 单结太阳电池先进Si太阳电池 4cm2 20.8 单结太阳电池GaAs太阳电池 4cm2
21.8 单结太阳电池InP太阳电池 4cm2 19.9 单结太阳电池GaInP/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge

光伏太阳能能源光伏科技

太阳能光伏技术——世界太阳能开发利用现状

来源：索比光伏发布时间：2007-06-08 17:29:30

非晶硅与多晶硅串联电池转换效率最高。它具有成本低、耗能少、工序少、价廉高效等优点 (3)用化学束外延(CBE)技术生产的多结Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池〔19〕：Ⅲ-Ⅴ族化合物(如GaAs,InP)具有较高

太阳能光伏多晶硅光伏科技

n-CulnSe2／p-CulnSe2、（InCd）S2／CulnSe2、CdS／CulnSe2、ITO／Cu1nSe：、GaAs／CulnSe2、ZnO／CulnSe2等。在这些光伏器件中，最为人们重视
薄膜的制音方法 4．1．1 半导体液相外延生长法（LPE法） LPE法生长技术已广泛用于生长高质量的外延层和化合物半导体异质结构，如GaAs、AIGaAs、Si、Ge、siGe等。LPE

太阳能光伏光伏科技

（二）2006年中国太阳级硅材料及硅太阳电池研讨会报告

来源：索比光伏发布时间：2007-06-08 15:08:57

聚光单晶硅电池$ 26.8±0.8 美国SunPower公司 96倍聚光 GaAs多结电池 34.7±1.7 Spectrolab 333倍聚光
多晶硅太阳电池 20.3±0.5 德国弗朗霍夫研究所 1.002cm2面积 InGaP/GaAs 30.28±1.2 日本能源公司 4cm2面积

太阳能多晶硅光伏展会