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二者最主要的区别，CPV太阳能阵列系统的核心是采用化合物半导体电池。这些电池在锗衬底上单片集成了GaInP和GaAs薄层，每层吸收光谱中的不同部分。三结电池轻而易举地保持太阳能转换效率的最高纪录40
展示其GaAs电池的研发成果，而是他们的CPV系统。借用Emcore之前作为化合物半导体外延生长设备供应商的经验，CPV商业部的副总裁Earl Fuller提升了他的系统。Fuller谈到了包括参与到

：Si、Ⅱ-Ⅵ族化合物CdX（X=S、Se、Te）、Ⅲ-Ⅴ族化合物（GaAs、InP）、二硫族层状化合物（MoS2、FeS2）、三元化合物（CuInSe2、CuInS2、AgInSe2）及氧化物半导体
茂铁衍生物修饰CdSe，薄膜电极，将电极表面的微观分子设计与宏观电极过程联系起来，为修饰分子的优化提供大量信息，使半导体电极表面修饰技术有很大的提高和发展。对Ⅲ~Ⅴ族化合物半导体主要研究GaAs和

、聚光、扩展光谱响应(紫外、红外)。　　由于汇聚太阳光导致光斑上的温度较高，会使太阳能电池转换效率衰退，同时还会降低系统使用寿命。硅基太阳能电池随温度上升很快衰减，而耐热的GaAs(含剧毒，可能影响
设计，其次更改聚光系统、倍数和散热，以求在高倍时可以光热互补。　　目前产业化的三结面InGaP/GaAs/Ge太阳能电池(更大光谱范围吸收太阳能)转换效率达35%-40.7%，而三安光电称其目前GaAs

太阳能电池最理想的替代　　砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池由于具有较高的转换效率受到人们的普遍重视。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1．4eV，正好为高吸收率太阳光的值，因此
，是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和LPE技术，其中MOVPE方法制备GaAs薄膜电池受衬底位错、反应压力、III-V比率、总流量等诸多参数的影响。　　除

外延片生产，也已经被三安光电掌握。目前我国外延片产量有限，产品以中低端为主且规模偏小，只能满足国内封装企业需求量的20％~30％，大部分高性能LED和大功率LED产品均依赖进口。　　储备GaAs
太阳能电池项目　　上周三安光电停牌后，联合证券发布报告透露了公司正在筹划再融资的信息；在该份报告中，募集资金投向除了本次公司公布的天津基地外，还有GaAs太阳能电池。　　尽管公司公布的方案

产品均依赖进口。储备GaAs太阳能电池项目上周三安光电停牌后，联合证券发布报告透露了公司正在筹划再融资的信息；在该份报告中，募集资金投向除了本次公司公布的天津基地外
，还有GaAs太阳能电池。尽管公司公布的方案并未将后者纳入本次募投范围，然而昨日岳雄伟在接受《每日经济新闻》记者采访时表示，这一业务有望在未来成为公司的又一增长点

、CdTe、CIGS、GaAs）的产品各拥利基，其中又以非晶硅的产品最具成本竞争力，被视为今年的明星产业。原本是晴空万里的太阳能产业，在去年第四季先是受到了全球金融风暴衝击，导致金融机构大缩
％。在碲化碣（CdTe）方面，以美国First Solar执牛耳，国内并无投入者；而俗称为三五族（GaAs）的聚光型太阳能电池方面，台湾则是有华旭环能、全新、亿芳和台达电等业者投入，其特色在于

和GaAs薄层，每层吸收光谱中的不同部分。三结电池轻而易举地保持太阳能转换效率的最高纪录40%，而硅太阳电池的转换效率相对仅有27%。以往化合物半导体与硅的比较当中，有两点共性：即器件性能
其GaAs电池的研发成果，而是他们的CPV系统。借用Emcore之前作为化合物半导体外延生长设备供应商的经验，CPV商业部的副总裁Earl Fuller提升了他的系统。Fuller谈到了包括参与到