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薄膜电池总体上具备材料消耗少、生产时间短、制备能耗低、制造环节少、适配柔性组件、弱光效应好、重量轻等特点。CdTe 目前是主流薄膜电池。
其中，VOC 是多晶体薄膜太阳能电池中最难改善的参数。这是因为多晶体薄膜电池相比单晶电池通常含有更多的缺陷，如点缺陷和晶界(GBs)。

02、打造光伏装备制造中心依托园区光伏产业基础，积极引入平板玻璃、太阳能高效电池片(PERC电池、N型双面吸光太阳能电池、HJT异质结电池、CdTe薄膜电池等)、光伏组件(双面组件、叠栅、叠瓦、拼片等
二、发展基础 01、开发区是我国光伏材料上游产业主要集聚区依靠煤电硅一体化优势，全国的工业硅、多晶硅产能向新疆集中，到2019年全球多晶硅产能65%集中在中国，到2020年中国多晶硅产量39.6万吨

重点突破高效多晶、单晶电池量产转换效率，碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池、柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池、高效低成本异质结硅基太阳能电池组件生产工艺及成套制造设备。
重点发展新一代高效太阳能电池组件、智能化光伏生产设备、冶金法提纯多晶硅生产工艺及设备、高效低成本光伏辅助材料，以及逆变器等光伏电站配套产业，显著提升晶硅电池、薄膜电池的效率、稳定性等核心指标，逐步实现光伏生产装备国产化

受First Solar成功商业化生产和快速崛起的冲击，2006年QCELL又大举布局蹄化镉CdTe薄膜和铜铟镓硒(CIGS)等非硅薄膜和硅薄膜电池技术，成立子公司Briliant 234 (后来更名为
2002年开始走向盈利的QCELL,立马继续扩产升级，产能扩产到22MW，上马6英寸的多晶硅电池片Q6。 2003年开始扩产升级。

BP Solar默默无闻的为产业做了许多先烈探路式的开发研究，如BP 研究薄膜碲化镉(CdTe)18年，直到2002年放弃，可惜未能经历黎明前的黑暗。
京瓷在多晶硅电池方面突破很多，取得和保持了一些电池光电转换率的世界纪录，夏普在单晶硅电池和非晶硅电池等方面取得了突破和创造了一些电池光电转换率的世界纪录。

从结构上看，钙钛矿电池中折旧成本低于 CdTe 电池，但封装、电极的制作成本远高于 CdTe和晶硅电池，因此其后续需要明确和优化部分功能层的制备工艺，然后通过规模化降低设备成本。
值得一提的是，钙钛矿活性材料本身不仅成本低廉，而且配制过程简易，远远低于多晶硅料的生产成本。

2019年全球薄膜电池产量占太阳电池组件总产量的比例为4.4%，与2018年相比上升了1.2个百分点，主要是来自美国First Solar公司CdTe薄膜组件的产量增长拉动。
第六篇：2019年薄膜及其他新型太阳能电池/组件发展情况薄膜太阳能电池主要包括硅基薄膜、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)、砷化镓(GaAs)、钙钛矿电池及有机薄膜电池等。

2004年世界太阳能电池年产量超过1200MW;德国FraunhoferISE多晶硅太阳能电池效率达到20.3%;非晶硅太阳能电池占市场份额4.4%，降为1999年的1/3，CdTe占1.1%;而CIS
2004年，洛阳单晶硅厂与中国有色设计总院共同组建的中硅高科自主研发出了12对棒节能型多晶硅还原炉，以此为基础，2005年，国内第一个300吨多晶硅生产项目建成投产，从而拉开了中国多晶硅大发展的序幕。

碲化镉(CdTe)本来有望成为候选材料，但其禁带过窄，只有1.4eV。非晶硅和铜镓硒(CGS)的禁带宽度在1.7eV左右，比较合适，但其转换效率太低。
晶硅PERC(钝化发射极及背接触)电池是目前最先进的太阳能电池技术之一，其量产转换效率已达到22%，并且相较薄膜电池或传统铝背场(BSF)电池， PERC电池的度电成本优势显著。

晶硅PERC(钝化发射极及背接触)电池是目前最先进的太阳能电池技术之一，其量产转换效率已达到22%，并且相较薄膜电池或传统铝背场(BSF)电池， PERC电池的度电成本优势显著。
碲化镉(CdTe)本来有望成为候选材料，但其禁带过窄，只有1.4eV。非晶硅和铜镓硒(CGS)的禁带宽度在1.7eV左右，比较合适，但其转换效率太低。

为什么CIGS薄膜电池能够多发电呢?孙云教授分析认为，首先CIGS比晶体硅及CdTe电池有更宽的光谱响应;其次CIGS弱光下有更高的发电效率;另外在高温、遮阴环境下，CIGS具备更稳定的发电性能。
在演讲中，孙云教授假设：CIGS电站与多晶硅电站均以10MW为单位，CIGS组件效率为15%，多晶硅组件效率为16%，两者售价相同，两电站在同一地点，CIGS电站年发电量高于晶硅电站8%，CIGS组件25

薄膜组件有很多种，铜铟镓硒CIGS薄膜电池，效率达19.6%;碲化镉CdTe薄膜电池效率达16.7%，硅基薄膜电池的效率为10.1%，主要生产厂家的汉能，尚越，龙焱等。
单晶硅组件效率高，平均效率为21%左右，价格比多晶贵10%左右，国内比较出名的厂家有隆基硅。多晶硅组件效率稍低，平均效率为19%左右，同内比较出名的厂家有英利，天合，晶澳，尚德，昱辉等。