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由康斯坦茨当地德国法院任命的破产管理人员已经开始资产剥离陷入困境和破产的光伏公司Sunways AG，今天宣布其光伏逆变器业务和光伏建筑一体化(BIPV)业务已出售给顺风光电的间接子公司
。 Sunways AG于1993年建立，主要提供硅基光伏电池，逆变器，组件，系统及全面光伏解决方案，2010财年营收达到2.227亿欧元，同比增长25.5%。 2014年4月29日，债权人批准了

由康斯坦茨当地德国法院任命的破产管理人员已经开始资产剥离陷入困境和破产的太阳能公司 Sunways AG，今天宣布其太阳能逆变器业务和建筑一体化光伏(BIPV)业务已出售给顺丰光伏的间接子公司
国际有限公司。债权人于4月29日批准了对德国太阳能公司的破产协议，委员会签署了允许销售的合同，于今天，5月2日生效。合同中的一项规定是完全撤销Sunways AG的公司，专利，设计，技术诀窍，设备

% 据波恩地方法院商业登记处透露，SolarWorld AG宣布其为期一年的财务重组过程取得圆满成功。该公司的财务重组使其减少了57%的金融负债，获得了新的战略投资者，并将其剩余的4.27亿美元的金融
负债转换为两个新的有担保的五年期债券。预计这些新债券和股票将于3月5日在法兰克福证券交易所上市。作为财务重组过程的一部分，寻求新的投资者，SolarWorld AG吸引了卡塔尔太阳能技术公司(QSTec)的投资。

内部引起局部机械应力，从而导致开裂。在该工艺里，有一些半切片电池设备是已经可以商用的(或者在开发中)，例如德国激光设备供应商3D-Micromac AG或者Innolas Solutions
研究所的博士学位。在2005年到2011年期间在CSG Solar AG从事工艺开发，之后加入弗劳恩霍夫CSP担任组件技术事业部总裁。在2014年被莱比锡应用科技大学聘用，从事光伏和交叉学科的

方块电阻可提高开路电压和短路电流，但是在丝网印刷方式下，Ag电极与低表面掺杂浓度发射极的接触电阻较大，最终会由于填充因子的下降从而引起转换效率降低。为了兼顾开路电压、短路电流和填充因子的需要
Ni/Cu/Ag金属层作为前电极。由于采取电镀的方式，栅线宽度可减少至约30m，与硅片接触宽度约20m。该电池的优势在于非常小的有效遮挡面积(小于5%)和线间距(约1mm)，在这样的线间距下，可

参数之一。适当提高方块电阻可提高开路电压和短路电流，但是在丝网印刷方式下，Ag电极与低表面掺杂浓度发射极的接触电阻较大，最终会由于填充因子的下降从而引起转换效率降低。为了兼顾开路电压、短路电流
plating)在这些重掺区上电镀Ni/Cu/Ag金属层作为前电极。由于采取电镀的方式，栅线宽度可减少至约30m，与硅片接触宽度约20m。该电池的优势在于非常小的有效遮挡面积(小于5%)和线间

/钙钛矿/PCBM/BCP/Ag 结构的电池上获得了基于刚性基底最高 15.37%的光电转换效率和基于柔性基底最高12.66%的光电转换效率. 1 实验 1.1 实验材料实验中采用的氧化铟锡
(Ag)购于西安宝莱特光电科技有限公司. 1.2 电池制备首先将ITO导电基底分别用洗洁精、丙酮、无水乙醇、去离子水在超声清洗机中各超声15min，之后用干净的氮气流干燥。干燥之后，基底用紫外

咖啡因用作活性层，掺杂有TPFB的PTAA用作空穴传输层(HTL)，银(Ag)用作阴极，器件性能及TPC/TPV分析如下：表1、含有不同质量分数咖啡因MAPbI3钙钛矿器件的性能。图3
。图5、(A-F)老化的纯PVSK器件(A)Ag，(B)I和(C)Pb以及老化的含咖啡因的PVSK器件(D)Ag，(E)I和(F)Pb的能量色散X射线光谱(EDX)映射;(G-H)老化的纯

物竞天择，适者生存。由政策调整和技术创新引发的光伏业大洗牌仍在持续。行业阵痛犹在时间向前推溯到2017年5月10日，德国光伏制造巨头SolarWorld AG发布官网声明，宣布申请破产
程序。对于德国SolarWorld AG、Suniva Inc.，光伏人都不陌生，前者是对华光伏双反的发起者之一，后者在申请破产保护后，向美国国际贸易委员会(ITC)申请启动201 调查，可谓是

2017年5月10日，德国光伏制造巨头SolarWorld AG发布官网声明，宣布申请破产程序。对于德国SolarWorld AG、Suniva Inc.，光伏人都不陌生，前者是对华光伏双反的
发起者之一，后者在申请破产保护后，向美国国际贸易委员会(ITC)申请启动201 调查，可谓是死了也要拉一堆垫背的。事实上，纵观全球光伏发展史，倒下的巨头不止有SolarWorld AG、Suniva

生长TCO，具有光学透明与导电双重功能。此外，他们还在Ag电极上电镀Cu，降低了成本且提高了导电性，从而进一步优化了SHJ太阳电池的性能，其效率达到25.1%。近年来我国在SHJ电池上已取得长足的
n+掺杂的多晶硅，接着通过进行高温(70～900℃)退火和氢钝化改善硅薄膜的形貌与带隙，最后正、反金属化采用电子束蒸发的Ti/Pd/Ag叠层和热蒸发的Ag实现，最终效率达到25.1%(Voc=718mV