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ZnO，由于制备的TCO表面具有一定绒度，可直接用在电池上。研究人员通过优化LPCVD沉积工艺参数获得的ZnO:B整体性能优于FTO，在此基础上获得单结非晶硅薄膜电池稳定效率达到9.1%。研究人员研究
本征非晶硅薄膜(I-A-SI:H)、P型非晶硅薄膜(p-A-SI:H)，形成光生载流子分离的p-n异质结;在硅片的背面依次沉积本征非晶硅薄膜(I-A-SI:H)、n型非晶硅薄膜(n-A-SI:H)形成

背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线
摘要 异质结技术是目前硅光伏行业积极讨论的热门话题。Hevel最近成为首批采用其旧的微晶组件生产线用于生产高效硅异质结(SHJ)太阳能电池和组件的公司之一。根据Hevel自身的经验，本文将介绍从

第二届非晶硅/晶体硅异质结（HAC）光伏技术发展与国产化道路论坛将于12月6-7日在江西南昌举行。论坛宗旨 非晶硅/晶体硅异质结
上海伟信新能源科技有限公司江西省非晶硅/晶体硅异质结太阳电池辅材与产线装备国产化重点创新中心江西昌大高新能源材料技术有限公司媒体

一种通过光电效应或者光化学反应直接把光能转化成电能的装置。从结构上来看，太阳能电池一般是由很多层材料堆积起来的，其中起到光吸收作用的层叫做吸收层。太阳能电池也按照吸收层的材料特性来命名，比如晶体硅
块太阳能电池硒上覆薄金的半导体/金属结太阳能电池, 其光电转换效率仅约1%。1954年，美国贝尔实验室Pearson、Fuller和Chapin等人研制出了第一块晶体硅太阳能电池，获得4.5%的转换效率

0引言近年来，能源危机与环境压力促进了太阳电池研究和产业的迅速发展。目前，晶体硅太阳电池是技术最成熟、应用最广泛的太阳电池，在光伏市场中的比例超过90%，并且在未来相当长的时间内都将占据主导地位
效率的方法，考虑了新标准的太阳光谱、硅片光学性能、自由载流子吸收参数以及载流子复合与带隙变窄的影响，当硅片厚度为110m时，单晶硅太阳电池理论效率为29.43%。硅异质结(SHJ)太阳电池的模拟指出

光伏发电是绿色新能源中重要的组成部分，而光伏电池则是光伏发电的核心组件。目前广泛使用的光伏电池主要基于晶体硅，但是其存在成本高、生产过程污染大等缺点。随后出现的薄膜光伏电池(非晶硅、铜铟镓硒
8. 邓青云博士与双层异质结型有机光伏电池结构示意图 1980年起，美籍华裔邓青云博士开创了双层异质结结构的有机光伏电池。其思路就是利用两种不同的有机半导体材料来模仿晶体硅异质结结构，即将两层不同的

伏电站发电收益的，工厂制造环节开始引入智能机器人，非晶硅薄膜太阳能电池及设备研发与产业化，薄膜太阳能电池用 TCO 导电玻璃研发及产业化;高效晶体硅太阳能电池组件封装工艺的研发和应用，直驱式太阳能空调
各种应用形式。爱康科技提出以高效 HJT 异质结电池+高效叠瓦组件为核心的产品技术路线。新一代迭代技术光伏组件生产项目落地，光伏核心设备制造研发，同时在能源互联网领域发力。协鑫集成在

，光伏技术出现新的整合趋势，产业链上中下游的研发路线都在调整。可增效降本的双玻、双面、半片、MBB、多主栅和叠瓦等趋势更为凸显，代表未来趋势的PERC技术、金刚线切割、高效 HJT 异质结电池等高
效率晶体硅电池、新型薄膜电池技术、N型双面技术等技术研发进一步强化。诸多光伏企业正在以持续创新研发来迎接即将到来的新挑战。那么，光伏主流企业在技术研发投入上究竟有多大?这些新技术未来的市场规模如何

高效、低成本晶体硅电池商业化关键技术之研发与应用，要在 2020 年前将晶硅太阳能电池效率提高到 23%以上。 ②光伏发电系统单位建设成本持续下降光伏电站初始投资大致可分为光伏组件、并网逆变器
组件行业，是光伏行业中的主体部分，该子行业所形成的产业链也叫作光伏原料产业链，也是狭义意义上统称的光伏产业链。光伏行业分类数据来源：公开资料整理光伏产业链的上游是晶体硅原料的采集和

在P型a-Si和c-Si之间插入一层10nm厚的i-a-Si本征非晶硅，在形成pn结的同时本征a-Si:H具有很好的钝化晶体硅表面缺陷的作用，极大地降低了晶体硅的表面复合，复合速率可降至3cm/s
晶硅电池由于p+发射结均匀性差导致填充因子较低，并且长期使用或存放时，由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退。另外，B2O3的沸点很高，扩散过程中始终处于液态状态，扩散均匀性难以控制，且与磷

研发遥遥领先，其它研究成果如德国Fraunhofer ISE的23%，ISFH的23.1%，IMEC的23.3%等等。最近，日本的研发人员将IBC与异质结（HJ）技术相结合，在2014年将晶体硅电池的
HJ-IBC电池的发展采用IBC与HJ技术结合的HIBC技术可以使电池效率进一步提升，其结构如图4所示，在硅片表面同时采用本征的非晶硅进行表面钝化，在背面分别采用N型和P型的非晶硅薄膜形成异质结。其优点是