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，汉能集团开始在战略布局、销售模式及管理模式上进行重大调整，撤销原有的高端装备产业集团及产品开发集团，并成立移动能源、柔性工业应用、柔性民用、分布式能源、硅锗产品等五个新的事业群。值得一提的是，记者
、分布式能源、硅锗产品等事业群，都是门槛相对较低的领域，可以把已有的技术尽快转化成产品，用以提升业绩。大力拓展第三方业务除了重组，汉能的关联交易也是各界关注的焦点。公开资料显示，汉能自2010年以来合计

半自动生产线，通过这套生产线，小尺寸的硅锗薄膜光伏组件生产得以实现，不过，其转换效率不足7% 陈石说。2008年2月，林朝晖成立钧石能源，生产非晶硅薄膜太阳能电池。随后，林朝晖在钧石能源旗下Apollo
低下，其锗硅合金生产线比欧瑞康非微双结低1%以上。主要设备PECVD，在两年使用期内便发生严重变形现象，其长期运行可靠性低。汉能考察小组认为，铂阳太阳能生产线转换效率低下，主要设备PECVD长期运行

单晶硅材料，而本报告主要讨论高倍聚光的技术路径。原材料供应问题：聚光芯片是采用了多种不同的元素，Ga(镓)、In (铟)和Ge（锗），在全球供应上是有限的。镓和铟来自采矿副产品的还原
，2013年的产量分别是280吨和770吨。2011年锗的产量约为118吨。这是原始产品的产量，不包含回收和重复利用。假定锗衬底片的厚度为200微米，则理论使用量是0.1g/cm2，考虑30%的产出

，铂阳太阳能的售价在5000万美元左右。随后，李河君通过汉能出手并收购铂阳太阳能的方式切入到了薄膜电池生产设备这一领域。薄膜电池有多种技术，为人所熟知的是以下几种：非晶硅/非晶硅锗(a-Si/a-SiGe
)、铜铟镓硒及碲化镉。据同行介绍，目前汉能的几家工厂内(成都、禹城、河源等)正在运作的生产线技术主要是非晶硅锗的生产线，其中河源基地还有欧瑞康的生产线。虽然薄膜市场不如晶体硅市场(相对于薄膜的另一种

索比光伏网讯:中国科学院上海微系统与信息技术研究所在锗基石墨烯应用研究中取得新进展。信息功能材料国家重点实验室SOI材料课题组在国际上首次采用单侧氟化石墨烯作为锗基MOSFET的栅介质/沟道界面钝化
层，调制界面特性，有望解决未来微电子技术进入非硅CMOS时代，锗材料替代硅材料所面临的栅介质/沟道界面不稳定的难题。研究论文Fluorinated graphene in interface

，汉能薄膜日前遭受未指明的延迟，就非晶硅和非晶硅锗串联连接薄膜组件生产的开始和提高产量方面，与所有者汉能集团无法达成合同里程碑。在2014年上半年底，汉能薄膜仅向汉能集团交付总计2.3MW的非晶硅薄膜
非晶硅和非晶硅锗组件，其总计订单为1.5GW。作出的假设是发往汉能集团的非晶硅锗组件转换效率为10%及更高，并且其子公司此前宣布在中国尚未建设的地面安装光伏发电站达千兆瓦，以及在加纳等地的项目总计达

。1941年奥尔在硅上发现光伏效应。1951年生长p-n结，实现制备单晶锗电池。1953年Wayne州立大学DanTrivich博士完成基于太阳光普的具有不同带隙宽度的各类材料光电转换效率的第一个理论计算
E.G.Linder发表锗和硅p-n结电子电流效应的文章。1957年Hoffman电子的单晶硅电池效率达到8%;D.M.Chapin，C.S.Fuller和G.L.Pearson获得太阳能转换器件专利权

综合多层制造以降低光感反射效应，而P.I.N又是主要导电层，因此由非晶质与锗元素等材料结构，使带隙空特性来调和能量转换率可达8.6%左右。太阳能谱辐射电场范围涵盖X光辐射及珈码辐射其波长有：紫外线
太阳能产品更多的电能。顶层使用非晶硅材料，光学能阶间隙达1.8eV，利于吸收蓝光。底层使用非晶硅与40-50%之锗合金材料，光学能阶间隙达1.4eV，可吸收红光与远红光。中层使用非晶硅与

多用的是3结结构。所谓的3结结构，就是分为三层吸光层，各吸收不同的太阳光谱波段。他采用P.I.N综合多层制造以降低光感反射效应，而P.I.N又是主要导电层，因此由非晶质与锗元素等材料结构，使带隙空特性
结构设计，分层吸收太阳各种波长光普，因此可转换并输出比一般太阳能产品更多的电能。顶层使用非晶硅材料，光学能阶间隙达1.8eV，利于吸收蓝光。底层使用非晶硅与40-50%之锗合金材料，光学能阶间隙达