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。太极实业 2017 年，微机电系统芯片(MEMS)封装项目结合倒装芯片(Flip-Chip)技术在今年上半年已经立项，研发线基本完成， 2017年，快导入 19 纳米高新技术 DRAM 存储器芯片
研发，立 8-12 英寸集成电路级抛光片，8 英寸半导体抛光片，钻石线切割超薄硅片项目，整体太阳能级单晶硅材料。 2017项目：布局高效 PERC 电池片项目、高效叠瓦组件项目、高效光伏

年已经立项，研发线基本完成， 2017年，快导入 19 纳米高新技术 DRAM 存储器芯片的封装技术和测试技术，过导入倒装芯片技术(Flip-Chip,简称：FC)，实施锡球自动修复技术、升级
19项产品获得高新产品认证。中环股份 2018年上半年项目： 8-12 英寸半导体直拉单晶研发，立 8-12 英寸集成电路级抛光片，8 英寸半导体抛光片，钻石线切割超薄硅片项目，整体太阳能

内蒙古中环光伏材料有限公司成立于2009年，主营产品为高效率N/P型太阳能单晶硅、110100晶向太阳能单晶硅、低氧含量磁场直拉太阳能单晶硅、高效CFZ太阳能单晶硅、钻石线切割超薄太阳能硅片等
知识产权试点企业以及十二五制造信息化示范企业。公司拥有N型高效太阳能电池用硅单晶技术、DW超薄太阳能硅片切片技术、CFZ太阳能硅单晶技术等行业先进技术，其中N型高效太阳能单晶硅片光电转换效率达到24

一、金刚线介绍金刚线是金刚石切割线的简称，还被称为之位钻石切割线或者钻石线。工业上许多硬质材料都是用切割钢线或者更高质量的金钢线来切割的，比如光伏领域的多晶硅切片，单晶硅，晶棒，蓝宝石，磁性材料

300W+单玻系列MBB多晶组件，量产功率达305W，是全球量产效率最高的多晶常规版型组件，超过应用领跑者满分指标。保利协鑫以出色的硅料品质、持续降低的铸锭单位能耗、金刚线切片技术改造助力多晶硅片
5月30日，在2018年SNEC十大亮点发布会上，保利协鑫TS+第二代黑硅片凭借出色的技术参数、客户声誉、过往业绩及未来潜力脱颖而出，荣获本届展会十大亮点评选最高级别奖项太瓦级钻石奖

降低的铸锭单位能耗、金刚线切片技术改造助力多晶硅片继续保持性价比优势，通过技术升级和工艺改进，多晶硅片每年可以提升0.1%-0.2%的转换效率。此外，保利协鑫储备多年的铸锭单晶技术将迎来市场化
，荣获本届展会十大亮点、一带一路评选多项大奖。保利协鑫：多晶黑硅TS+荣获SNEC最高级太瓦钻石奖保利协鑫TS+第二代黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和

，硅片环节技术化差异并不大，以量取胜的我国企业在未来几年仍能占据全球前列。 2、应用预测目前，金刚线切片用于多晶硅片切割的主要障碍在于使用金刚线切割的多晶硅片反射率更高，常规的多晶制绒工艺难以达到
很好的效果。解决这一缺陷目前主流的技术路径是电池片环节黑硅技术的采用。如果黑硅电池实现大范围的量产，金刚线的应用将再次拉大多晶与单晶在硅片端的成本差距。随着金刚线切片+黑硅技术在多晶领域的推广

4月21日，在即将落幕的第十一届SNEC(2017)国际光伏展会上，保利协鑫高效黑硅片TS系列荣获大会组委会颁发的SNEC展会十大亮点最高奖项太瓦级钻石奖。TS系列黑硅片基于高效金刚线切多晶硅片
片由于应用了金刚线切多晶技术，切片成本可下降约0.4～0.6元/片，综合成本比常规砂线切割硅片低0.3元左右，是极具竞争力的高效产品。保利协鑫副总裁吕锦标在领奖时表示，除了大量供应TS系列黑硅

高效太阳能电池用硅单晶切片产业化工程四期项目，预计将投资67.21亿元人民币，建设期3.5年。中环股份拥有多晶硅到硅片端的太阳能上游事业，在单晶材料、钻石线切硅片等领域均有布局。中环股份表示，本次投资将能进一步发挥公司在太阳能硅片领域的优势，并藉著单晶产能的扩充来加强获利。 FR：集邦新能源网

太阳能用晶体、晶片产业全球领先的技术开发能力、产销规模优势和光伏制造业工业4.0的先进理念，打造具有全球优势的晶体晶片制造基地。公司作为全球最大的高效单晶硅材料和钻石线(DW)硅片供应商，抓住
(简称中环光伏)拟投资建设可再生能源太阳能电池用单晶硅材料和超薄高效太阳能电池用硅单晶切片产业化工程四期项目。据悉，项目建设期3.5 年。项目总投资67.21 亿元。公司表示，本次投资项目有利于发挥公司

无锡尚德在单、多晶PERC最新研究进展作了全面的讲述：单晶硅片技术方面通过金刚线切片技术导入和硅片尺寸增大来提升;电池工艺方面通过表面浓度下降到2*1020/cm3和结深增加0.15um来优化电池扩散工艺
、单晶电池最高效率21.31%，单晶组件最高功率超过300W 2、单晶组件率先通过领跑者一级能效认证 3、单晶组件平均功率比常规高10W以上 4、高可靠性：通过双倍IEC标准测试 5、蝉联2016SNEC十大亮点太瓦级钻石奖

无锡尚德在单、多晶PERC最新研究进展作了全面的讲述：单晶硅片技术方面通过金刚线切片技术导入和硅片尺寸增大来提升；电池工艺方面通过表面浓度下降到2*1020/cm3和结深增加0.15um来优化电池扩散工艺
最高效率21.31%，单晶组件最高功率超过300W2、单晶组件率先通过领跑者一级能效认证3、单晶组件平均功率比常规高10W以上4、高可靠性：通过双倍IEC标准测试5、蝉联2016SNEC十大亮点太瓦级钻石奖