,Heterojunction with Intrinsic Thin layer)是一种在 P 型氢化非晶硅和 n 型氢化非晶硅与 n 型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。标准 晶体硅太阳能电池是一种同质结电池,即 PN 结是在同一种半导体材料上形成的,而异质结电池的 PN 结采用不同的半导体材料构成。日本三洋公司在 1990 年发明出 HIT 电池并申请为注册商标,因此
11月27日,「PV TOP 50」2019光伏行业创新力企业50强榜单发布暨颁奖典礼(PV TOP 50光伏创新榜)在苏州圆满落下帷幕!
「PV TOP 50」光伏创新榜由光伏产业网、PV现代 光伏发起,旨在表彰受光伏市场认可,具有突出创新力的企业和品牌,自发榜以来,吸引了行业众多企业广泛关注与积极参与。
从9月1日开启报名通道伊始,我们一直在寻找光伏行业最具创新力榜样企业,在本次评选