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以异质结和TOPCon为代表的钝化接触电池继续提效（Fraunhofer ISE 相关数据显示TOPCon实验室效率已提升至26.0%），未来PERC市场份额将开始逐步降低，而异质结和TOPCon将
最终成本受良率影响较大。在技术选择方面，对于选择N型还是P型，前结还是背结等问题都需要考量。对于PERC、TOPCon、异质结的未来发展，倪志春总结： PERX将Al-BSF替换为B-BSF

，韩华在诉讼中提到的背钝化膜的制备是PERC电池最为核心的工艺步骤，主要分为以韩华为代表的原子层沉积（ALD），和以梅耶博格为代表的板式（PECVD）沉积方式。据了解，该项技术在业内并非垄断性技术，其
，主张权利。 2019年当地时间3月5日，韩华Q-Cells先后在美国、德国和澳大利亚对中国的晶科能源、隆基股份和挪威的REC提起专利侵权诉讼。韩华声称，三家竞争对手使用其专利钝化技术来提高太阳能电池

衰减1%，逐年衰减0.4%，温度系数0.26%/℃，双面率较PERC提升15%。天合TOPCON组件：低电压输出，地面电站度电成本之王，集成量子隧穿钝化接触电池，最高量产转化效率24.58%，N
%的双面率，较低的温度系数(-0.32%/K)，无LID和LeTID等优势，其首年衰减仅1%，功率年衰减率0.4%。日托光伏 C-ProMWT+HJT 高效光伏组件 C-Pro继承了高效背

镓背钝化电池网格涂氟透明背板双面发电组件荣获本届SNEC十大亮点评选兆瓦级翡翠奖。贝盛绿能认为双面组件的大规模应用已是大势所趋，得益于中国对高效光伏技术的推动，双面组件的市占率逐年提高，而目前
透明背板的双面组件无疑可以成为另一有效选项。大尺寸掺镓背钝化电池网格涂氟透明背板双面发电组件具有以下主要优势： 1. 晶体硅电池进入 PERC时代之后，采用常规掺硼工艺的掺硼 p 型 PERC

文章，希望对您有所收获。 PERC发展现状 PERC电池全称为发射极和背面钝化电池，是从常规铝背场电池(BSF)结构自然衍生而来。与常规电池相比， PERC 电池背面增加了氧化铝 AlOx，氧化
硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层，因此电池的表面复合速率大大的降低，电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且，由于背面钝化层可以增加光学内反射作用，因此电池的电流 ISC 也会有显著

工业化标准电池的前侧p-n结相反，该电池在背表面以全域多晶硅钝化接触的形式产生了p-n结。弗劳恩霍夫太阳能研究所表示，与IBC高效电池相比，这种电池具有表面复合损耗低、载流子传输效率高的优势。
世界上最先进的技术，比如叠层太阳能电池等。欧盟对这些关键技术的投资将加强欧洲在关键战略技术方面的领导地位。就在上周，弗劳恩霍夫太阳能研究所宣布，双面钝化接触晶硅太阳电池转换效率创下了26%的新纪录。与

with Intrinsic Thin Layer, HJT)全称本征薄膜异质结，其通过在P-N结之间插入本征非晶硅层进行表面钝化来提高转化效率。基于HJT的诸多优点，其有可能会成为下一代主流技术：1)传统HJT理论
资料来源：Solar Energy，中金公司研究部表面钝化是提高光伏电池转化效率的关键影响光伏电池片转化效率的因素主要包括光学损失和电学损失。光学损失包括光的表面反射、表面遮光和光谱

潜力。这种电池的正面和背面都有金属触点。由Fraunhofer ISE的Armin Richter博士领导的研究团队使用隧穿氧化钝化接触(TOPCon)技术作为电池结构的基础。该研究机构表示，与叉
指背接触(IBC)电池相比，这种电池拥有表面复合损耗低、载流子传输效率高的优势。实现效率记录的电池使用了背面成形pn结，而不是行业标准的正面pn结，背面成形pn结被用作全表面的TOPCon触点

2021年4月13日，通威股份有限公司发布《2020 年年度报告》。年报信息显示，太阳能电池方面，公司在原子层沉积背钝化、选择性发射极工艺、双面电池、多主栅、HJT电池、高效组件等核心技术领域形成
年底公司电池产能规模超过55GW。降本增效方面，公司继续推进精益化管理制造水平，实现采购降本、生产降本、管理降本。技术研发方面，紧密跟踪前沿工艺和技术，一方面在现有技术多主栅、背钝化、SE工艺、高阻密栅

年中国光伏技术发展报告》，还有悬浮主栅技术、背抛光技术、焊带改进、光注入或者电注入再生技术等，以及还在试验中的众多技术，可继续提高PERC路线的转换效率。 TOPCon属于PERC+中较有前景
的技术，可能将扛起PERC+的大旗。TOPCon即为隧穿氧化层钝化接触技术(Tunnel Oxide Passivated Contact)，是一种既可满足良好的表面钝化要求，又无需开孔即可

钝化膜上激光开槽，能有效减少少子复合，提高电池的开路电压和填充因子，进而提高电池效率。交叉背接触或全背电极接触电池(Interdigitated Back Contact
(Heterojunction，HJT)：由两种不同的材料组成，即在晶硅和非晶硅薄膜之间形成PN 结，因此它兼具晶硅电池优异的光吸收性能和薄膜电池的钝化性能。具体是在 N 型晶体硅片正反两面依次沉积厚度为