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为系统工程，存在难度但潜力可期 (一)技术路线优势各异，降本提效殊途同归 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)指借助微波或射频波使腔室内的反应气体分子电离，形成的高化学活性等离子体在基片表面
突出静态镀膜工艺运行时，固定硅片的载板在成膜期间静止不动，射频电源需进行开关转换，等离子体不断开启和关闭，导致节拍时间被迫增加，超过实际镀膜时间。动态镀膜方式下，等离子体在腔室内不间断产生

将带来等离子体气化熔融技术，该技术是中广核自主研发的核心技术，是国际公认的最先进的危固废处理技术，被誉为固废终结者。该技术利用瞬间产生的上万度高温对废物进行熔融裂解处理，将有机物彻底分解成无毒小分子物质
2套9900吨/年等离子体气化熔融生产线，其危固废处置量可达1.98万吨/年，打造等离子体气化熔融标杆项目。中广核除了等离子体气化熔融技术外，还将带来我国自主研发、具备完全自主知识产权的三代核电

，中广核参与加入环保机器人的研发可以说填补了国内空白。值得一提的是，本次展会上中广核除了带来我国自主研发、具备完全自主知识产权的三代核电技术华龙一号之外，还将带来等离子体气化熔融技术，该技术是中广核自主
化、稳定化处理以及资源化的目标。该技术具备自主知识产权，获得第十八届中国专利优秀奖、中国广核集团科技进步一等奖。目前，江苏无锡已开展相关应用项目建设，将新建2套9900吨/年等离子体气化熔融生产线，其

。中国自行研制的超导托卡马克受控核聚变装置(EAST)与美国NIF实现聚变的方式不同。目前托卡马克实现了磁束缚等离子体和中心温度1亿度，下一个目标是维持束缚，且达到1亿度维持1000秒。位于法国南部的
通力合作ITER。ITER装置主机最重要部分之一的PF6线圈，由中科院合肥研究院等离子体所承担研制并于近日正式交付，为ITER计划2025年第一次等离子体放电的重大工程节点奠定了重要基础。 (四)高性能

工艺为 RCA 清洗或臭氧(O3)清洗。本环节的目的是去除机械损伤层、降低表面反射率、提高表面清洁度。非晶硅薄膜沉积：常用的工艺包括等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)与热丝化学气象沉积
(HWCVD)，其中本征非晶硅薄膜是 HIT 电池表面的钝化层，沉积后需要掺杂膜层来形成发射极和背表面场。 TCO 薄膜沉积：常用的工艺是磁控溅射(PVD)和反应等离子体沉积(RPD)，沉积非晶硅薄膜后

放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。PECVD主要由工艺管及电阻加热炉、净化推舟系统、气路系统、电气控制系统、计算机控制系统、真空系统6大部分组成。PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源
，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其他CVD

。HWCVD 沉积基于热丝对反应气体的热分解，无等离子体对基底的轰击过程，有助于形成高质量、突变明显的氢化非晶硅/晶体硅界面，HWCVD 能够形成高密度氢原子从而提升钝化效果。此外，HWCVD
为收集光生载流子并将其输送到金属电极上，导电性好、透过率高是 TCO 薄膜需要具备的关键特性。在工艺方面，目前主要采用 PVD(磁控溅射)和 RPD(反应 等离子体沉积法)两种方式，PVD 利用