光伏咨询搜索-索比光伏网

除了单晶硅和多晶硅材料外，在光储一体化设计方面，碳化硅(SiC)等宽禁带器件和驱动类产品正在推进功率密度不断提升，系统成本进一步降低，同时实现更多的功能。技术迭代助推光伏度电成本持续降低。
目前，SiC二极管在光伏行业也已经得到了成熟的应用。为此，纳芯微推出了1200V系列SiC二极管产品。

，提升液晶材料和有机发光二极管(OLED)、高分子发光二极管(PLED)等新一代显示材料的技术水平，积极布局柔性、主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术。
整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极推进碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术研发和产业化，着重布局从衬底和外延材料、器件设计和工艺到模块及电路应用的宽禁带半导体产业链

最左图显示了成本最低的方法，使用硅二极管和MOSFET。第一个优化方案如中图所示，是用SiC二极管取代硅二极管，这将提高电路的功率密度和转换效率，从而降低系统成本。
这正在推动发电和配电系统从以集中式的轮辐式为主的架构，重塑为更网格化的本地化发电和用电，通过智能电网互连来平稳供需。

三安集成的碳化硅MOSFET通过优化器件结构和布局，大大增强碳化硅体二极管的通流能力，不需要额外并联二极管，降低系统成本，减小系统体积。
从碳化硅肖特基二极管到MOSFET，三安集成在3年时间内便完成了碳化硅器件产品线布局。在保证器件性能的前提下，提供高质量高可靠性的碳化硅产品。

比如，由二极管和开关管组成的逆变电路中，仅将二极管材料由硅换成碳化硅，逆变器的电能损失就可以降低15～30%左右，如果开关管材料也换成SiC，则电能损失可降低一半以上。
相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工作频率更高，也能够耐受更高的环境温度，相对于硅器件，碳化硅器件在降低导通电阻和减小开关损耗等方面具有优势。

Gourab Majumdar) 碳化硅功率模块由于有耐高温、低功耗和高可靠性的特点，可以拓展更多应用领域。对于以后开拓新市场来说，碳化硅是最好的选择。Dr.Gourab Majumdar说。
这款产品将构成三相逆变桥的RC-IGBT(反向导通IGBT)、高电压控制用IC、低电压控制用IC，以及自举二极管和自举电阻等器件集成在一个封装中。

3) 采用全新第五代Sic碳化硅二极管，降低导通损耗，可以支持更高的开关频率，具备更强的浪涌电流承受能力，具备卓越的散热性能。 4) 国际知名品牌的电容和继电器，使用寿命长，运行可靠。
公益人项目由深圳太阳能学会和中国可再生能源学会光伏专委会共同组织，持续了4年之久。

供货和定价　　CoolSiCTM JFET产品和驱动芯片的首批样品于2012年第二季度供货。OEM量产预计将于2013年上半年开始。
CoolSiCTM JFET集成了一个体二极管，其开关性能可媲美外置SiC肖特基势垒二极管。这种组合最大限度提高了器件的效率、可靠性、安全性和易用性。　　

特别是碳化硅二极管和碳化硅IGBT技术的应用，将带来逆变器的革命，使其体积减少一半以上，开关频率提升3倍以上。在这些新技术的带动下，未来旅行箱发电厂也将成为现实。
在应对能源挑战方面，法国和中国面临许多相似的问题。在发展可再生能源和新能源领域，法国和中国可以共享经验，具有广阔的合作空间。