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;推进科技创新，就要面向经济主战场，面向国家重大需求。虽然铜铟镓硒薄膜太阳能电池拥有诸多优势，但需要攻克的技术难点不少。为了迎头赶上，凯盛光伏瞄准产业前沿和发展趋势，以安徽省大力发展硅基新材料产业为契机
托尔高CIGS(铜铟镓硒)工厂、慕尼黑研发中心等固定资产及发明专利、专有技术等全部知识产权，掌握了国际领先的CIGS薄膜电池核心技术。全线打通中国薄膜太阳能光伏产业链，以中国创造的技术和品牌优势参与

硅基新材料产业为契机，通过并购国外企业、引进消化吸收再创新的方式，借梯登高，在较短时间内攻克诸多难点，实现了工艺技术的跨越发展。时间拨回到5年前，中国建材集团所属的凯盛科技集团有限公司全资收购德国
阿旺西斯公司，包括其托尔高CIGS(铜铟镓硒)工厂、慕尼黑研发中心等固定资产及发明专利、专有技术等全部知识产权，掌握了国际领先的CIGS薄膜电池核心技术。全线打通中国薄膜太阳能光伏产业链，以中国创造的

满足人类全年的能源需求。为了有效地收集太阳能，人们尝试了各种方法，比如开发大面积、高效、低成本的太阳能电池。目前已有产业化的晶体硅(单晶硅、多晶硅)太阳能电池，部分投产的薄膜电池(非晶/微晶硅硅基
薄膜、碲化镉和铜铟镓硒)，以及主要处于研究中的染料敏化电池、有机薄膜电池等。一种叶绿素太阳能电池，因为尽可能模仿了自然界中的光合作用而备受关注。从阳燧取火到太阳能电池说起来，人类利用太阳能的

晶硅PERC(钝化发射极及背接触)电池是目前最先进的太阳能电池技术之一，其量产转换效率已达到22%，并且相较薄膜电池或传统铝背场(BSF)电池， PERC电池的度电成本优势显著。当前的问题是
到量产标准。图7：磷化镓铟/硅基双结叠层太阳能电池的结构示意图第二个选项是采用钙钛矿太阳能电池作为顶电池。近年来，全球各地的实验室在钙钛矿电池研发方面都取得了重大进展。钙钛矿单结电池的

晶硅PERC(钝化发射极及背接触)电池是目前最先进的太阳能电池技术之一，其量产转换效率已达到22%，并且相较薄膜电池或传统铝背场(BSF)电池， PERC电池的度电成本优势显著。当前的问题是
示意图。目前，普遍认为该技术在经济性上未达到量产标准。图7：磷化镓铟/硅基双结叠层太阳能电池的结构示意图第二个选项是采用钙钛矿太阳能电池作为顶电池。近年来，全球各地的实验室在

光伏制造企业及项目产品则应满足一系列技术指标要求，其中多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换
效率分别不低于8%、13%、12%、10%。新建和改扩建企业及项目产品的技术指标要求则更高：多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%;硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的

突破性进展。他们设计和制备的叠层有机太阳能电池材料和器件，实现了17.3%的光电转化效率，刷新了世界纪录。相比硅基无机太阳能电池，有机太阳能电池可以弯曲，并且足够薄，可在建筑物或服装内弯曲和扭曲
是厚约1微米的铜铟镓硒薄膜(CIGS)电池。薄膜电池表面经过纳米级的加工，再加上聚合有机物空穴传输层。这种设计可以让电池产生更高的电压，从而增加输出功率。整个组件安装在厚约2毫米的玻璃基板上。这项

效率晶体硅电池、新型薄膜电池技术、N型双面技术等技术研发进一步强化。诸多光伏企业正在以持续创新研发来迎接即将到来的新挑战。那么，光伏主流企业在技术研发投入上究竟有多大?这些新技术未来的市场规模如何
技术，CIGS共蒸发技术，小尺寸组件的转换效率：1cm2电池转换效率达到21.0%，硅基薄膜生产设备以及流程，柔性光伏组件，透明导电氧化玻璃(TCO，掺杂或本证氧化锌膜层)镀膜工艺。PECVD，PVD和低压

。全球薄膜太阳能电池产量主要集中在以CdTe电池为代表的FirstSolar，以CIGS电池为代表的SolarFrontier，以及以硅基薄膜为代表的汉能控股公司中。3家公司产量约占全球薄膜电池
澳大利亚纽卡斯尔大学近日宣布，该校已成功使用传统打印机制作出了厚度不足1毫米的薄膜太阳能电池，并完成了首次大规模的商业化安装! 薄膜太阳能电池是缓解能源危机的新型光伏器件。薄膜电池由于理论效率高

(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。新建和改扩建企业及项目产品的技术指标要求则更高：多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%;硅基
项目，最低资本金比例为20%。现有光伏制造企业及项目产品则应满足一系列技术指标要求，其中多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉

他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、 10%、 11%、 10%。《光伏制造行业规范条件》(2015版)：硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别

技术指标要求，其中多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10
%。新建和改扩建企业及项目产品的技术指标要求则更高：多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%;硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于12

组件年产能不低于200MWp; 7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp; 8.逆变器年产能不低于200MWp(微型逆变器不低于10MWp)。 (四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求： 1.
和16PPMA。 3.多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%。 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于16%和16.8%。 5.硅基