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为《PERC双面组件特性与发展趋势》。白银先针对双面PERC电池的技术特点进行了解读，他表示，PERC技术基于现有产线，只增加沉积背面钝化层和背面激光开槽两道过程，而将全覆盖的背铝更改为局部铝栅线，便可获得双面
PERC电池。整个工艺过程易操作，成本低，而且能极大提高组件的转换效率。白银表示，目前隆基乐叶电池示范线上的新一代双面PERC电池效率接近22%/17.5%水平，由CPVT测试的纪录达22.41

仪器MeyerBurger的一体机式镀膜机、罗博特科自动化仪器;五是PECVD正面沉积氮化硅膜，在该工艺流程中所使用到主要仪器包括CT管式镀膜机、Baumann自动化;六是背面激光开孔实现背面浆料与
硅材料局部接触，该工艺用到为帝尔激光仪;七是丝网印刷，此工艺采用ASYS印刷机;八是烘干、烧结、光照加退火工艺，此工艺用到Despatch烧结退火炉;九是测试分析，主要仪器为ASYS分选机、BERGER

，并于2017年第四季度率先实现280W组件的量产。晋能科技的高效单晶PERC组件采用先进的ALD背面Al2O3钝化工艺，背面采用皮秒激光开槽，降低激光对硅片的损伤。同时，采用业内先进的电池后处理工艺

电池组工作的可靠性，采用激光焊接工艺将电池串联起来，或者采用螺栓紧固方法。这样的连接结构造成动力电池梯次利用的难度，用户采用旧电池重新组装成电池组的成本过大，阻碍了动力电池的梯次利用。因此要在动力电池
，坚决做串联不做并联，在加上监控单元，形成一个储能系统，可以最大化地保证电池的一致性。王子冬指出，动力电池在理论上可以回收梯次利用，但问题出在动力电池的产品结构和生产工艺设计上，很多企业为提高

，半片组件是行之有效的办法，半片电池技术是使用激光切割法沿着垂直于电池主栅线的方向将标准规格的电池片(如156mmx156mm)切成尺寸相同的两个半片电池片(如尺寸156x78mm)，由于电池片的电流和
钢化玻璃、EVA和TPE(TPT、EPE)等背板进行封装。而接线盒会有所不同，一般采用三分体接线盒。在工艺上，半片组件工艺变更简单，由于电池片数量增加一倍，电池串联焊接的时间也会增加一倍，难点是汇流带引

度组件技术的发展方向)，亦有多家企业展出双面组件，同样以PERC双面和N型双面二分天下，各有拥护。 P型PERC双面组件和N型双面组件基于不同的技术路线和制造工艺，各有优势。据了解，P型PERC
双面组件只需基于现有产线，增加沉积背面钝化层和背面激光开槽两道工序，基本不增加额外成本，性价比较高;而N型双面组件得益于其基体材料的特性，双面率(标准测试条件下，背面功率与正面功率之比)可达85~90

力度，精准把握市场行情，加强行业协同，推动玻璃产品差异化，进一步增加产业玻璃市场份额。同时公司强化内部管理，持续改进工艺技术，推动节能降耗、挖潜增效等工作有序开展。浮法玻璃全年拉引量、成品率等关键性
、组件工艺技术改造及产能扩建，使公司产品品质持续提升，进入行业先进水平。同时，通过内部持续深度挖潜，各种物料单耗降幅明显，各产品综合非硅成本同比大幅下降。其中，硅材料冷氢化项目以及高效硅片的扩产项目

，进一步增加产业玻璃市场份额。同时公司强化内部管理，持续改进工艺技术，推动节能降耗、挖潜增效等工作有序开展。浮法玻璃全年拉引量、成品率等关键性指标进一步提升，产销量增长稳定，实现收入增长32%，盈利大幅提升
板块方面。2017年，各类光伏产品价格同比均价有所下滑。公司提前布局，积极应对，通过生产、项目建设同步进行的模式完成了多晶硅、硅片、电池片、组件工艺技术改造及产能扩建，使公司产品品质持续提升，进入

。在P型单晶硅上可以实现1%的效率提升，而多晶硅上可以实现0.6%的效率提升。PERC电池由于其工艺相对简单，成本增加较少，是目前和未来的主流量产工艺。 2)发展现状单晶PERC电池产业
中试线上小批量平均效率达到20.9%，最高效率达到21.4%。帝人结合丝网印刷及激光掺杂技术同步实现局部开孔并形成B掺杂层，可以实现效率提升0.2-0.3%。技术3

出：实施太阳能产业升级计划以推动我国太阳能产业化技术及装备升级为目标，推进全产业链的原辅材、产品制造技术、生产工艺及生产装备国产化水平提升。光伏发电重点支持PERC技术、N型单晶等高效率晶体硅电池、新型
双重推动下，前景料可持续。 (4)光伏发电平价上网趋势明显，将进一步加快光伏产业增长速度随着太阳能电池结构设计、微纳级激光精密加工等技术的进步，光伏发电的度电成本进入下降通道，未来有望实现平价上网

优势。它无疑是实现大规模量产和具备高性价比的高效产品，是能同时满足成本和发电量及衰减性能提升的最佳解决方案。半片电池技术通过将标准规格电池片(156mm x 156 mm)激光均割成为两片 (156
过程中需要多步掺杂等复杂的工艺，使得其制造成本较高，技术门槛高。HIT 电池工艺要求严格，要获得低界面态的非晶硅 / 晶体硅界面，对工艺环境和操作要求也较高，需要开发适宜的低温封装工艺。其他技术或

大规模量产和具备高性价比的高效产品，是能同时满足成本和发电量及衰减性能提升的最佳解决方案。半片电池技术通过将标准规格电池片(156mm x 156 mm)激光均割成为两片 (156 x 78 mm
。IBC 电池使用的 N 型硅片成本较高，电池制备过程中需要多步掺杂等复杂的工艺，使得其制造成本较高，技术门槛高。HIT 电池工艺要求严格，要获得低界面态的非晶硅 / 晶体硅界面，对工艺环境和操作