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奏效。学者们解释道。其制造工艺包括通过原位掺硼多晶硅层低压化学气相沉积法(LPCVD)形成p型后触点。工艺步骤还包括高温退火并通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在电池的两侧应用氮化硅
额外的成本，因为必须使用另一种PECVD工具来两次沉积后氮化硅(SiNx)层。我们尚未尽全力使背面的初始SiNx层在高温下保持稳定，因此实现这一点可以在保持该层的同时降低成本。就太阳能电池而言，这个

。《科创板日报》记者了解到，增加背钝化层，可以降低背表面符合，提高背内面反射率，而常用的介质钝化材料除了氧化铝外，还包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅，其中氧化铝薄膜生长及工艺率先取得突破。据了解，至

SOL6700B主栅的组合在客户端也得到了广泛的认可。图6. 分步印刷示意图 SOL6700B 独特的非接触型设计，使浆料对氮化硅或氧化铝钝化层的腐蚀非常低。EL的图示也显示出新的
SOL6700B对氮化硅的刻蚀更为微弱，从而有效提升开路电压。图7. SOL6700B 非接触型设计带来显著的效率增益随着客户端对主栅单耗的降低越来越明显，单耗的降低意味着对拉力的挑战

相对大。 b. 使用检测设备：用EL-C; c. 分析判断方法：使用破坏测试，先沿着栅线处断开，然后用EL-C 测试栅线与氮化硅膜接触面，利用图象来分析判断，如果栅线内部结合不紧凑有空
;对于方阻小的就要进行破坏测试，先去除氮化硅膜，然后测试方阻来确定; 2.15 湿刻过刻测试指标表现为：短路电流偏小、串联电阻偏大、并联电阻偏小、暗电流偏大; a. 备注说明：正常

覆盖一层氮化硅膜作为保护层。为使背面金属电极与硅形成良好的欧姆接触，需要对钝化层进行刻蚀，目前主流工艺采用激光开槽的方式来完成这一工序。 PERC 技术日趋成熟
以及特殊的边缘隔离，提升了制造的成本和复杂性，而离子注入可实现单面掺杂，均匀性好，可简化制造流程。表面钝化方面，背表面采用氧化硅/氮化硅叠层钝化膜可以起到良好的表面钝化和场钝化效果，正表面使用

定的状态。这是粉末系统在高温下能烧结成密实结构的原因。 4.2 烧结目的 a. 燃尽金属浆料中的有机成分; b. 烧穿绝缘的氮化硅膜，使浆料中的金属和硅熔融合金，形成欧姆接触; c. 对经过
等离子轰击的硅片退火，激活掺杂的原子，消除晶格损伤; d. 激活氮化硅膜(SiNx.H)中的氢离子，使之钝化硅片内部晶格缺陷。 4.3 正银烧结效果图 4.4 背场烧结效果图

黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.00.2 m，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅
& Rau SiNA XXL 平板式镀膜设备制备厚度为84～88 nm 的正面氮化硅膜和厚度为130～140 nm 的背面氮化硅膜，折射率范围为2.08～2.10，背面氮化硅膜较厚是因为需要避免铝浆中的

相比， PERC 电池背面增加了氧化铝 AlOx，氧化硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层，因此电池的表面复合速率大大的降低，电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且，由于背面钝化
钝化镀层与钝化层激光开槽两道工序。其中背面钝化镀层包括氧化铝镀层与氮化硅镀层，市场中存在两种技术路线，一是采用 PECVD+PECVD 两台设备，代表厂商为捷佳伟创;二是用