光伏咨询搜索-索比光伏网

、天合、林洋等。其他技术路线： HJT生产工艺已不同于常规晶硅电池技术，需薄膜技术支持，所需设备也大不相同;p-PERT作为p-PERC的替代方案，推广范围及产能均不大;n-PERC尚处在研究中
较小的缺陷电池可实现再利用。然而晶体硅电池十分脆弱，切半过程增加电池片损毁;半片电池在组件中的串联过程也更加复杂、精细化、接头更多，电池破裂的概率增加。不过，半切电池成品率约95%，领先的半切公司如

环境更有利于高折射率的获得。此外，还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。 1引言氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用，是晶体
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并

发射极，方块电阻为90～98 / □; 3) 刻蚀及去磷硅玻璃层(PSG); 4) 硅片背面沉积Al2O3 和SiNx 钝化膜：Al2O3 薄膜厚度20 nm，SiNx 薄膜厚度130 nm
; 5) 硅片正面沉积SiNx 减反射膜：SiNx 薄膜厚度78 nm，折射率2.08; 6) 硅片背面激光开窗：180 根线，线宽为40 m; 7) 印刷电极; 8) 高温烧结; 9) 测试分选

近日，中国科学院大连化学物理研究所太阳能研究部薄膜硅太阳电池研究组研究员刘生忠和陕西师范大学研究员杨栋团队与美国弗吉尼亚理工大学教授Shashank Priya带领的团队合作，在平面型钙钛矿
失衡导致的界面处电荷积累，基本消除了平面型钙钛矿太阳能电池中的滞后效应。此外，在E-SnO2电子传输材料上生长的钙钛矿吸光层具有较大的晶体颗粒，大大降低了钙钛矿材料在晶界处的降解几率，提升了平面型钙钛矿

，薄膜太阳电池研究组组长整理人：王凯强能见研究员这篇文章将解答三个问题：一是光伏产业产能到底有没有过剩? 二是光伏能不能做的更便宜?能不能满足我国电力的需求? 三是未来哪一种光伏技术有
大规模应用如果要支撑我国如此大的用电发展需求，光伏必须要便宜。技术路线要做到三个基础要求成本足够低、转换效率足够高、寿命足够长。晶体硅技术已经可以做得到这三点，所以成为了主流的技术。碲化镉这

太阳能电池。据官网显示，创益太阳能(TronySolar)是一家主要生产非晶硅太阳能电池、晶体硅太阳能电池、组件、光伏发电系统及应用产品的薄膜光伏制造商。因财务纪录不一致，于2012年6月21日起开
创益太阳能最新公告称，香港联合交易所(简称联交所)宣布，自2018年8月23日上午9时起，创益太阳能的上市地位将正式予以取消。这家总部位于深圳的公司，自1993年起开始生产非晶硅薄膜

，推进全产业链的原辅材、产品制造技术、生产工艺及生产装备国产化水平提升。在光伏发电方面重点支持PERC技术、N型单晶等高效率晶体硅电池、新型薄膜电池的产业化以及关键设备研制;太阳能热发电重点突破高效率
太阳能资源好、土地资源丰富地区，研究论证并分阶段建设太阳能发电与其他可再生能源互补的发电基地。优势产业集聚重点支持高效晶硅、新型薄膜技术产业化发展山东省以推动我国太阳能产业化技术及装备升级为目标

智慧能源。北京的光伏相关上市公司有京运通(601908)、太阳能(000591)和日出东方(603366)，同时做太阳能薄膜的汉能(控股)集团总部也设在北京。天津地区则有专做单晶的中环股份坐镇
清洁能源跨国公司，全球薄膜太阳能发电领导者，致力于用薄膜太阳能改变世界。公司成立于1994年，总部设在北京，员工目前已达15000人，在国内多个省份以及美洲、欧洲与中东、亚太、非洲等地区设有分支机构

力度进一步加大。从市级重点项目建设规划中来看，以西安、渭南、咸阳三个地区为代表，其光伏重点项目投资分别为213.6亿、53.1亿、15亿，涉及到硅片、光伏电池组件、薄膜太阳能、光伏支架、光伏玻璃等
：着重突破晶体硅加工设备技术、检测设备与多晶硅制备关键设备技术，开发太阳能光伏电池的生产制造新工艺和新装备;重点突破分布式光伏发电和大型光热发电成套设备生产技术和集成技术;推进光伏建筑一体化应用等等

的且价格最低的，为2243美元/千瓦。随着技术的成熟和工程造价的下降，晶体硅已成为最广泛使用的光伏技术。由于需求和规模经济，它的安装费用每年降低400~500美元/千瓦，比薄膜技术低1000美元
，这使得光伏成为2016年美国发电的第二大通用技术，仅次于风电。太阳能光伏系统因使用的电池板和系统是否使用跟踪技术而异。2016年，具有跟踪功能的晶体硅太阳能光伏系统是太阳能技术中最具附加值

，SJT等)，通常以n型晶体硅作衬底，宽带隙的非晶硅作发射极，典型结构如上图所示。该电池具有双面对称结构，n型硅衬底两侧两层薄本征非晶硅层，正面一层P型非晶硅发射极层，背面一层n型非晶硅膜背表面场;在两侧
非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜，最后制备金属栅极。 HIT太阳能电池的优势低温工艺由于使用a-Si构成PN结，所以能在200℃以下的低温完成整个工序，远低于传统晶硅太阳电池的形成

理想的减反射膜材料。而且，钝化膜制备过程中还能对硅片产生氢钝化的作用，能显著改善硅太阳电池的光电效率。在实际的晶体硅太阳能电池工艺中，氮化硅薄膜作为一种常见的钝化膜，其折射率在1.8～2.5，因此
薄膜，可以得到3.5ms的有效少子寿命，通过离子体增强化学气相淀积方法得到的有效少子寿命为3ms。实验表明，氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜由射频磁控溅射沉积可以获得很好的晶体硅表面钝化膜，类似于通过

成组件)实施保障性关税，以保护本国产业免受进口产品的严重损害。 2) 2018年1月，保障措施总局发布公告，宣布对光伏保障性关税的初步调查结果，同时提出建议对进入印度的太阳能光伏产品(包括晶体硅电池及
组件和薄膜电池及组件)征收70%的从价税作为临时保障性关税，为期200天，而在同年4月又对外宣传取消该建议实施。 3) 2018年6月，印度工商局下属的贸易救济总局(DGTR)再次就关于进入印度的

。 0 引言随着能源日益紧张，环境保护越来越迫切，可再生绿色能源越来越受到人们的关注。硅太阳电池是研究热点之一，也是目前唯一产业化的太阳电池。为了进一步优化其生产工艺、提高晶体硅电池片效率、降低
生产成本，此前已有诸多研究，20世纪80年代，澳大利亚新南威尔士大学光伏实验室提出了PERC结构太阳电池，打破了当时晶体硅太阳电池转换效率的记录，也是目前唯一产业化的高效太阳电池技术。PERC电池在常规电池

基于函数的数据库，将实验获取的C-V 曲线与数据库进行比对找出实验数据对应函数，提取出钝化参数Nf和Dit，并以此分析钝化层的钝化效果。一 MOS模型建立为了更好地研究晶体硅钝化层的钝化
; E 为电池能级; Ev、Ec 分别为电池能级上下能级界限; Eg为电池能级带宽， Eg =Ec -Ev;Eit 为晶体硅能级;Dit,m 为能级划分处的缺陷密度; D0v、D0c 分别为Ev、Ec