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硅基薄膜太阳电池主要有非晶硅薄膜太阳电池、微晶硅薄膜太阳电池、纳米硅薄膜太阳电池，以及它们相互组合成的叠层电池双结构或者三结构的薄膜电池集成起来构成集成薄膜太阳电池。
但是，当太阳光照射到PN结时，以光子的形式与组成PN结的原子价电子碰撞，产生大量处于非平衡状态的电子-空穴对，其中的光生非平衡少数载流子在内建电场Ei的作用下，将P区中的非平衡电子驱向N区，N区中的非平衡空穴驱向

但是，因双结硅基薄膜组件的前期投入资产过大（主要是设备），而导致双结硅基薄膜组件无法大规模推广。　　　　
四、晶硅组件和双结硅基薄膜组件在电站系统中的应用　　　　1、晶硅组件和双结硅基薄膜组件在电站系统中的优缺点　　　　晶硅（多晶硅）组件和双结硅基薄膜组件因其各自的特点，均在大型地面电站中得到了应用

但是，因双结硅基薄膜组件的前期投入资产过大（主要是设备），而导致双结硅基薄膜组件无法大规模推广。
四、晶硅组件和双结硅基薄膜组件在电站系统中的应用　　1、晶硅组件和双结硅基薄膜组件在电站系统中的优缺点晶硅（多晶硅）组件和双结硅基薄膜组件因其各自的特点，均在大型地面电站中得到了应用。

在网易财经独家获得的这份报告显示，考察小组通过对比欧瑞康太阳能，对铂阳太阳能做出客观评定为：铂阳太阳能生产线转换效率低下，其锗硅合金生产线比欧瑞康非微双结低1%以上。
今年5月4日，汉能薄膜发电公告亦显示：汉能控股集团将购买铂阳6套总产能为900MW的硅基薄膜太阳能电池相关设备；铂阳亦将为汉能控股现有的部分硅基薄膜太阳能元件生产线，提供进行升级改造的技术服务，相关设备作价

同时王晓义也指出，CIGS产业化是一个技术和资金密集性产业，任何高科技产品的产业化都是双韧剑，具有高风险也伴随高收益。
自从2010年以后，薄膜电池（硅基薄膜）专业博士出身的尚德电力原董事长施正荣，一度很希望将该技术付诸实践，且大展拳脚，最终以转产晶硅而告终；同年，美国应用材料宣布重整其能源与环境解决方案（EES）部门，

但是，因双结硅基薄膜组件的前期投入资产过大（主要是设备），而导致双结硅基薄膜组件无法大规模推广。
四、晶硅组件和双结硅基薄膜组件在电站系统中的应用1、晶硅组件和双结硅基薄膜组件在电站系统中的优缺点晶硅（多晶硅）组件和双结硅基薄膜组件因其各自的特点，均在大型地面电站中得到了应用。

自主研发成功非晶微晶双结薄膜太阳能电池商用关键设备LPCVD和PECVD、压力容器、蒸发器、堆内构件、控制棒驱动机构、核电主泵、U型管、核电大锻件、核级泵阀、3.6兆瓦大型海上风机和关键零部件、2000
薄膜太阳能电池：重点发展多结硅薄膜太阳能电池等技术，支持卷对卷柔性硅基薄膜太阳能电池和化合物薄膜太阳能电池中试开发和生产线建设。硅基薄膜、铜铟镓硒(CIGS)和碲化镉(CdTe)薄膜电池实现产业化。

15、NAOS法多晶太阳能电池电性能研究-中科院上海微系统与信息技术研究所孟凡英 16、表面结构对多晶硅太阳能电池串联电阻影响研究---中科院微电子研究所刘金虎 17、硅基异质结太阳电池的进展
--------------------------------汉能控股徐希翔 4、新型量子点太阳电池--------------------------华中科技大学唐江 5、柔性硅基薄膜太阳电池技术

2009年11月，全球第一条双线双结大面积硅基高效薄膜太阳能电池项目江西赛维百世德太阳能高科技有限公司在南昌高新区宣布竣工试产。
这个项目引进了全球顶尖太阳能设备供应商美国应用材料公司技术，初期达到8.5%的稳定转换率，随后将不断提高至12%(目前非晶硅单结技术的转换率为6%)。

这同时表明，全国乃至全球最先进的一条硅基薄膜太阳能电池生产线共创光伏非晶微晶硅/叠层/双结薄膜/太阳能电池5.5代生产线正式启动。
中共衡阳市委副书记、严志辉主持仪式共创光伏非晶微晶硅叠层薄膜太阳能电池标准尺寸1100mm1300mm6.8mm，利用当代国际最先进的硅基薄膜太阳能电池生产技术，区别于传统的晶硅太阳能电池生产工艺技术

三、柔性衬底薄膜太阳电池的国内外现状当前商业化非晶硅电池的稳定效率，单结、双结、三结分别为4%~5%，6%~7%，7%~8%。
对于三结非晶硅太阳电池来说，需要在已经做好的背反射器的表面连续沉积9层硅基薄膜，包括3个P-I-N结子电池，各分离的反应室之间需要设计独特的气氛隔离室以防止相邻反应室间的气体交叉污染。

索比光伏网讯:企业应选择低成本、有利润的技术四川汉能光伏技术有限公司副总经理李伟：目前四川汉能单座厂房200兆瓦以上产能项目已经正式投产，该项目生产的电池目前是非晶锗硅三结薄膜电池，这也是我们的主打产品
成都旭双太阳能科技有限公司副总经理许其扬：薄膜电池市场占有量和需求量将不断上升薄膜电池有较大的应用开发空间，这是因为首先弱光性较好，就是说薄膜太阳能电池的光敏感系数较高，在弱光的时候能够发电。

为了减少光致衰减的影响，通常会将非晶硅材料做成非晶硅/非晶硅双结结构。其中第一结非晶硅用于吸收短波段的光波，第二结用于吸收长波波段。
另一种提高硅基薄膜电池效率的方法是在沉积非晶硅本征层（即没有掺杂的区域）时参入适量的锗元素，制作成非晶硅/非晶硅锗/非晶硅锗三结器件。