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硅片均只进行单面扩散工艺，并按照前文中的背面抛光工艺使绒面的反射率分别为 20%、25%、30%、35%、40%;然后制备成“SE+PERC”太阳电池;根据绒面的反射率不同，将同种硅片厚度的
波段的光谱响应;2) 改进了硅片背面的抛光工艺和激光开膜的结构，使该类太阳电池的光学损失达到了最小;3) 硅片越薄，生产过程中的碎片率就会越高，为有效降低碎片率，对该类太阳电池制备过程中的关键工艺

：产业的终端光伏硅料：掌控产业上游多晶硅材料是以工业硅为原料，经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料，它是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业最
部分光能，从而增加发电量。显而易见，与传统的单面设计相比，双面电池的发电功率更佳，可有效降低电站的平均发电成本。相应的，双面电池的生产工艺也比较复杂，其背面不能使用不透光的常规背板，叠加其它生产工艺

;" alt="" / 光伏硅料：掌控产业上游多晶硅材料是以工业硅为原料，经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料，它是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和
发电量。显而易见，与传统的单面设计相比，双面电池的发电功率更佳，可有效降低电站的平均发电成本。相应的，双面电池的生产工艺也比较复杂，其背面不能使用不透光的常规背板，叠加其它生产工艺导致成本略高

的研发，2012我们把全球首个DW切片工厂展现在世界，到了2017年半导体12英寸抛光片，2019年G12夸父系列，目前在两个行业产生通量效应，更高的水平、更好的盈利。这是我们的历史。 2、中环股份发展
。组件技术趋势，从电池封装产品如何运用单面电池变成了双面。中环是如何来理解的，中环始终是秉承协同创新、联合创新，我们占有了技术上的几个领先的位置。高效叠瓦组件，通过合作，中环高度重视知识产权，中环

：PERC 技术在常规 BSF 电池基础上增加背面钝化层沉积和激光开槽两道工序，此外，针对背部抛光需对基于化学湿台的边缘隔离步骤稍作调整，即可实现传统 BSF 电池产线向 PERC 产线的升级
10 月，苏民新能源高效单晶双面 PERC 电池采用 G1 主流尺寸硅片搭配 9BB 设计图形，产业化平均效率达到 22.78%。双面 PERC 电池主要应用于双玻组件、使用背板封装的单面PERC

。保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒技术，继承了
第一代黑硅片优良的绒面结构，而陷光性能更优。经验证，TS+黑硅在上一代黑硅的基础上，电池效率增益将再提升0.05-0.1个百分点，总体提升达0.3至0.4个百分点。TS+背面采用抛光技术，使得硅片制绒

不同的吸收体材料。采用两种吸收体的电池称为双结叠层电池，超过两种吸收体的电池叫做多结叠层电池。若要提高单个太阳能组件的发电量，最简单的方法之一就是使组件正反两面都能收集太阳光。相较单面电池组件
选择晶硅/氧化铟锡(a-Si/ITO)异质结技术，或选择带ITO覆盖层的多晶硅钝化接触作为光学元件。目前，钙钛矿沉积工艺还不适用于制绒表面，因此底电池的正面需要进行抛光。不过，只要背面是制绒表面

禁带不同的吸收体材料。采用两种吸收体的电池称为双结叠层电池，超过两种吸收体的电池叫做多结叠层电池。若要提高单个太阳能组件的发电量，最简单的方法之一就是使组件正反两面都能收集太阳光。相较单面电池组件
表面，因此底电池的正面需要进行抛光。不过，只要背面是制绒表面，正面抛光只会造成些微损耗。顶电池顶电池通常采用反型结构，第一层为空穴传输层(HTL)，可采用贺利氏生产的氧化镍或PEDOT:PSS

2018上半年新项目：N型5BB双面双玻、5BB单多晶单面双玻、4光4电综合布电线、0.9低烟无卤阻燃多模紧套纤光缆、超柔5/4金属铠装光电混合缆等11项新品 2017年项目：智能光伏+科技
研发，立 8-12 英寸集成电路级抛光片，8 英寸半导体抛光片，钻石线切割超薄硅片项目，整体太阳能级单晶硅材料。 2017项目：布局高效 PERC 电池片项目、高效叠瓦组件项目、高效光伏

封装测试 Hybrid 设备，极加大对芳纶、玄武岩纤维等新材料的研发力度。中利集团 2018上半年新项目：N型5BB双面双玻、5BB单多晶单面双玻、4光4电综合布电线、0.9低烟无卤阻燃多
19项产品获得高新产品认证。中环股份 2018年上半年项目： 8-12 英寸半导体直拉单晶研发，立 8-12 英寸集成电路级抛光片，8 英寸半导体抛光片，钻石线切割超薄硅片项目，整体太阳能

+背面抛光的独特工艺，背面抛光更适用于PERC技术。未来金刚线+黑硅PERC技术将成为300W+多晶组件的标配。9月12日，在常州举办的第三届金刚线与黑硅技术论坛上，保利协鑫(3800.HK)晶体与
，保利协鑫成功发布了TS系列黑硅硅片新品，并于2017年11月进一步开发了单面黑硅工艺。金刚线切割技术和湿法黑硅技术的突破，使得金刚线切高效多晶片+黑硅+PERC的组合，全面实现1+1+13的技术效果，成为

常规技术。PERC近年来效率记录不断被刷新，将成为未来三年内最具性价比的技术。 (单面PERC电池结构) PERC技术通过在电池的后侧上添加一个电介质钝化层来提高转换效率。标准电池结构中更好的
，然后开口以形成背面接触。这是比常规光伏电池生产流程多出来的两个重要步骤。此外，基于化学湿台的边缘隔离步骤需要针对背部抛光稍做调整。也就是说，硅片背部绒面金字塔型结构需要被溶蚀掉。抛光的程度基于选用技术

。保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒
技术，继承了第一代黑硅片优良的绒面结构，而陷光性能更优。经验证，TS+黑硅在上一代黑硅的基础上，电池效率增益将再提升0.05-0.1个百分点，总体提升达0.3至0.4个百分点。TS+背面采用抛光技术

。保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒技术，继承
了第一代黑硅片优良的绒面结构，而陷光性能更优。经验证，TS+黑硅在上一代黑硅的基础上，电池效率增益将再提升0.05-0.1个百分点，总体提升达0.3至0.4个百分点。TS+背面采用抛光技术，使得硅片制

玻璃(PSG)，磷原子向硅中扩散 ,制得N型半导体。三、刻蚀在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着
(H2SO4 HNO3 HF)→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片 HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为

得N型半导体。三、刻蚀在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成
HF槽水洗下片HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应

，实现正面“鑫绒面”，背面“抛光面”的单面黑硅结构，进一步提升多晶硅片的产品性能。TS+产品在TS产品基础上，又为多晶硅片带来0.05至0.1个百分点的电池效率提升，同时产品制作成本几乎下降一半
声光电等多种互动形式展示协鑫在能源领域的创新及其应用。保利协鑫发布单面黑硅片新品——鑫多晶TS+系列单面黑硅片新产品。该类型硅片在保利协鑫最新研发的“鑫绒面”亚微米多孔制绒技术基础上

氧化铝/ 氮化硅叠层钝化，利用氧化铝中固定负电荷场钝化效应同烧结中形成的氧化硅的化学钝化，背面复合速率大幅降低至10 cm/s。PERC 电池背面抛光可降低背表面的比表面积以降低复合速率，也可增加电池
内反射。平整的表面使得钝化膜沉积更加均匀，对于业内常用的梅耶博格公司的Maia 系列PECVD 设备，可降低沉积时间，节省三甲基铝耗量。目前，背面抛光技术路线有两种：1) 增加酸刻蚀清洗工序的刻蚀量