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索比光伏网讯:扩散过后的下一个工序是刻蚀，由于扩散采用背靠背扩散，硅片的边缘没有遮挡也被扩散上磷（边缘导通状态），太阳能电池PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而
，进而降低了Voc和Isc；3、磷硅玻璃会使得PECVD后产生色差。一、刻蚀的原理工艺流程：上片蚀刻槽（H2SO4 HNO3 HF）水洗碱槽(KOH)水洗HF槽水洗下片刻蚀槽HNO3和HF的混合液

看左边是它的工艺流程图，我们尝试了三种方式去进行它的选择性背场的研究和制作，一种是激光的方式，一种用腐蚀的浆料把背面的高掺杂去腐蚀掉，第三用化学的方式刻蚀掉它，通过对比，在实验中增益的程度也不一样
结合起来，增加的东西并不是太多，成本增加也不是太多，还是容易集成到现有的生产工艺流程上。随着背场刻蚀以后的方组，随着方组腐蚀的增加，电池的短路电逐渐的提升，但是同时也带来填充的下降，怎么去找这个平衡点，从

内反射。平整的表面使得钝化膜沉积更加均匀，对于业内常用的梅耶博格公司的Maia 系列PECVD 设备，可降低沉积时间，节省三甲基铝耗量。目前，背面抛光技术路线有两种：1) 增加酸刻蚀清洗工序的刻蚀量
，实现背面抛光，但刻蚀量增加会造成碎片率升高，也降低了电池吸收光波的有效厚度;2) 先去除扩散后背面的磷硅玻璃，然后以正面磷硅玻璃为掩膜，用碱溶液进行背面抛光，除了刻蚀量高之外，碱抛光表面少子寿命常低于

一支支特殊的机械臂有序挥舞，一个个灵巧的机器人动作娴熟，一辆辆无人驾驶的IGV智能小车往来穿梭，12条全封闭的智能制造高效太阳能电池片自动化生产线高速运转，一块块单晶硅片在经过制绒、扩散、刻蚀、退火

了多晶制绒的70%，有极为广泛的应用。黑硅技术：解决绒面问题，电池效率提高黑硅技术得名主要是源于其制作的电池硅片外观呈黑色，其技术核心是通过刻蚀形成纳米级小绒面达到陷光效果。一方面在常规硅片表面制绒的
基础上形成纳米级的小绒面，纳米锥型的小绒面长径分别为400和450nm，长径比为0.9，从而加大陷光的效果降低反射率，增加对光的吸收;另一方面，通过二次刻蚀来降低表面复合，从而将常规电池的转换效率绝对值

激光脉冲法、等离子体刻蚀法及金属离子辅助刻蚀法等。但这些传统方法所制成的黑硅纳米陷光结构通常具有结构较小、密、深且缺陷多的特征，甚至有杂质残留，这些黑硅结构如果没有进行优化的话，将导致严重的表面复合反而

）的反射率较高，如何才能降低这部分的损失？将材料表面加工成介于微米-纳米级的微孔即可有效降低硅反射率从而提高短波的光吸收。黑硅电池，核心是通过刻蚀技术，一方面在常规硅片表面制绒的基础上形成纳米级的小绒面
，从而加大陷光的效果降低反射率，增加对光的吸收；另一方面，通过二次刻蚀来降低表面复合，从而将常规电池的转换效率绝对值提高。主流黑硅技术为干法制绒的离子反应法（ReactiveIonEtching