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相对P型晶硅电池，N型晶硅电池的少子寿命高，无光致衰减，弱光效应好，温度系数小，是晶硅太阳能电池迈向理论最高效率的希望。 TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel
转换效率记录情况 (1) 光致衰减低，掺磷的N型晶体硅中硼含量极低，削弱了硼氧对的影响 (2) 工艺设备产线兼容性高，可与PERC、N-PERT双面电池的高温制备工艺产线相兼容 (3) N型

不断发展，电池效率已逐渐接近瓶颈。与之相比，N型硅片具有较长的少子寿命、更小的光致衰减，公认未来高效光伏电池发展将切换到N-Topcon、HJT等N型电池方向。基于N型硅片的异质结电池
无光致衰减。 ◇ HJT在N型单晶硅上结合低温薄膜工艺，制作工序少典型的制作工艺为如图2所示，整个工艺通常不超过200℃，硅片本身受热损伤和热型变影响小，可以使用更薄的硅片。图2

，N 型单晶硅由于存在相对较多的自由电子，少子复合速率低、寿命高，且以磷为掺杂元素，无硼氧复合体，因此光致衰减小，具备更大的效率提升空间，因而成为高效电池的优选项。 PERT 电池(钝化发射极
背面全扩散电池)使用少子寿命高的 N 型硅片作为衬底，电池几乎无光致衰减，正面使用硼扩散形成发射极，背面采用磷全扩散，是钝化接触工艺流程中的入门级结构。N-PERT 电池工艺的关键在于双面掺杂和

在3月23日举办的暾说微讲堂上，东方日升新能源股份有限公司电池研发中心高级经理崔艳峰做了《HJT电池光致衰减(增益)的研究》的报告。报告介绍，东方日升对HJT电池进行了LID与LeTID的测试
，均表现为光致增益，而非光致衰减。研究了焊接过程中光+热对HJT电池的影响，发现同样有光致增益的表现，且对其进行LID与LeTID测试，仍然表现为增益。东方日升研究认为，一方面是由于a-si:H

技术优势明显。异质结电池组件同 PERC 相比，主要采用 N 型硅片，允许薄硅片的使用，同时电池背面可以利用地面的反射光发电，提高了发电量。N 型异质结电池光致衰减效应首年在 1.5%，后续每十年减少
最低值(约 80m，现在 Perc 硅片厚大概是200m);3、低温过程消除了硅衬底在高温中的性能退化，从而允许采用低品质的晶体硅甚至多晶硅来做衬底。 4、发电增益 Perc 电池存在光致衰减问题