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只能进行一次。2、直拉法的优缺点设备和工艺比较简单，容易实现自动控制；生产效率高，易于制备大直径单晶；容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低阻单晶。易被坩埚污染，硅单晶纯度降低，拉制的硅单晶电阻率大于50
，硅单晶的生长则主要采用悬浮区熔法，生长过程中不使用坩埚，熔区悬浮于多晶硅棒和下方生长出的单晶之间，区熔法不使用坩埚，污染少，经区熔提纯后生长的硅单晶纯度较高，含氧量和含碳量低。高阻硅单晶一般用此法生长

处于很低水平时，电池的效率才会超过21%。当电池的厚度超过110m时，效率的提升幅度明显降低。2.实验　　2.1、PERC电池的制备工艺流程实验采用标准156mm156mmP型单晶硅片，扩散后方阻均为
为7%，即I2/I1=7%；前表面二次反射率为90%，即I6/I5=90%。反射率、扩散方阻以及硅材料本身的参数设定后，改变特定厚度下的表面复合速率，即可得到同一厚度下不同复合速率的硅片模拟效率。改变

表面浓度和上到110Ohm的方阻上都有着良好的接触，扩散匹配窗口很宽。从下方某客户在使用Solamet? PV76x浆料时的实际烧结曲线也显示出Solamet? PV76x相对于常规正银可以在低
。从下方某客户在使用Solamet? PV76x浆料时的实际烧结曲线也显示出Solamet? PV76x相对于常规正银可以在低30-40℃的温度下进行烧结。在较低的烧结温度下对于更低

烧结表现可以有效减少钝化层损伤和背部铝浆空洞，来进一步提升电池效率、改善可靠性。从下方某客户在使用Solamet PV76x浆料时的实际烧结曲线也显示出Solamet PV76x相对于常规正银可以在低
30-40℃的温度下进行烧结。在较低的烧结温度下对于更低表面浓度和上到110Ohm的方阻上都有着良好的接触，扩散匹配窗口很宽。3. 2 杜邦 Solamet PV76x优异的印刷性能业内众多人士对

摘要：本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率，对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响，采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻，结果显示基体电阻率越高，扩散后的方阻越高，采用电化学电压电容（ECV
）测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化， ECV测量的结果表明了电阻率高的硅片扩散后表面浓度低、结深越小，是扩散后方阻高的原因，这些结果对太阳能电池生产的扩散工艺有一定的指导意义。引言：目前，在国际环境

，具体实施存在诸多困难。就好比屋顶资源，这些资源并不是政府的，而是企业租赁或者自己投资的。我们去一些园区谈合作，园区方是非常欢迎的，但到了企业那里就推三阻四。她表示，有些业主感觉节省下来的电费投资回报率
微跌。根据PVInsights，多晶硅价格持平，PV级、次级多晶硅价格分别为22.00$/Kg、21.60$/Kg；中下游各环节价格略有下降，156多晶、125单晶硅片价格分别为0.93$/片

; 2.多晶硅片 (含准单晶硅片) 少子寿命大于2.5s,电阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 8 和 6PPMA;单晶硅片少子寿命大于 11s,电阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分别
、生产成本低的生产技术和设备。 (二) 光伏制造企业应具备以下条件: 在中华人民共和国境内依法注册成立,具有独立法人资格;具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力;具有省级以上独立研发

》（GB/T12963）2 级品以上要求； 2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于 2.5s，电阻率在 1-3.cm，碳、氧含量分别小于 8 和 6PPMA；单晶硅片少子寿命大于 11s
%。二、生产规模和工艺技术2 （一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立

，全球太阳能电池的主流产品为硅基产品，占太阳能电池总量的85％以上。多晶硅太阳能电池占太阳能电池总量的56%。多晶硅太阳能电池由于产能高，单位能源消耗低，其成本低于单晶硅片，适应降低太阳能发电成本的
提高了等经控制精度和晶体生长良品率，根据晶体生长的工艺特点，结合热场设计进行计算机辅助控制的软、硬件开发工作，正向国际先进水平靠拢。同时不断研发新的产品，JRDL-900型单晶炉、QR-400区熔高阻

　　目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率
，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。　　（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么效应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须

。若Se／（Cu＋In）＜1，则薄膜为p型，具有高的电阻率，或薄膜为n型，具有低的电阻率。其中当Cu／In＜1且Se／（Cu＋In）＜1时的高阻p型薄膜已在实验中获得了高效电池（10
的是CdS／CulnSe2电池，所以这里主要以CdS／CulnSe2电池为例，对其结构和光伏性能作一些描述。 2．5．1 In-CdS／p-CulnSe2太阳电池一般由低阻的n型CdS和