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逆变器。从而最大限度地减少每台逆变器在低负载、低效率状态下的运行时间，提高系统的整体发电效率。(3)群控器可以通过RS485总线获取各个逆变器的运行参数、故障状态和发电参数，以作出运行方式判断。(4)群控
作用。当谐振过电压幅值高至危害电气设备时，该防雷模块接入电网，电容器增大主回路电容，有利于破坏谐振条件，电阻阻尼震荡，有利于降低谐振过电压幅值。所以可以在高次谐波含量较高的电网中工作，适应的电网运行环境

在上世纪７０、８０年代已有的传统热浸锡的方法加工而成。此生产工艺要求的设备简单，但生产出的焊带存在表面不均匀和电阻率大等特产。上海华友研发并生产的太阳能高效焊带即可解决热浸锡工艺无法解决的问题：表面均匀和致密
锡层厚度可控制并且平整；电阻率降低１５％－２０％，组件功率的提档率可以达２０％－６０％；可实现５ｕｍ的单面锡层，为ＣＦ光伏组件领域的重大技术突破。同时以科技创新的先发优势，有效规避了行业同质化竞争与

（PV）电力系统成为火力发电厂的合理替代方案，其可以提供更低的长期运行成本、模块化的可扩展性、更高效，同时碳排放比集中式发电设施低很多。光伏发电系统由多个部分组成，例如把光能转换成电能的光伏面板
，PWM电压开关作用在全桥输出上产生一个离散的（尽管有些噪声）60Hz电流波形。高频噪声部分被滤波，并产生合适的低振幅60Hz正弦波，如图1B所示。滤波后的波形通过输出变压器传输，此变压器有三项功能

、生产成本低的生产技术和设备。（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研发机构、技术中心或
项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1 级品的要求； 2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于 2s，电阻率在 1-3。cm，碳、氧含量分别小于

、生产成本低的生产技术和设备。 (二) 光伏制造企业应具备以下条件: 在中华人民共和国境内依法注册成立,具有独立法人资格;具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力;具有省级以上独立研发
: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》 (GB/T25074)1 级品的要求; 2.多晶硅片 (含准单晶硅片) 少子寿命大于2s,电阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 16 和

、生产规模和工艺技术（一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏
：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1 级品的要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16 和18PPMA；单晶硅片少子寿命

%。二、生产规模和工艺技术2 （一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立
多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于 2s，电阻率在 1-3.cm，碳、氧含量分别小于 16 和 18PPMA；单晶硅3 片少子寿命大于 10s，电阻率在 1-3.cm，碳、氧含量分别小于 10

而言，创造低导通电阻及高转换速度，导致效率水平达98%，在实际测试中显示出性能高达1 kW，接近尖端设计。监督罗伯特博世公司(Robert Bosch)项目的沃尔特戴夫(Walter Daves
)博士指出：迄今进行的压力测试还暗示了高短路强度和热稳定性。在导通电阻运作期间，这些装置最大电流高达100 A。据说电动汽车的电池充电器中应用的晶体管已经进行测试，并且KACO新能源的

、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研发机构
多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA；3.

、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。(二)光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格;具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力;具有省级以上独立
要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA

、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立
要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA

（一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏
光伏制造企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求； 2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3。cm，碳、氧含量分别

（一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立
。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求； 2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在

、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研发机构
多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA；3.多晶硅电池

充分发挥规模输电优势。二、送电距离长。采用800千伏直流输电技术使得超远距离的送电成为可能，经济输电距离可以达到2500公里甚至更远，为西南大水电基地开发提供了输电保障。三、线路损耗低。在导线总截面、输送
容量均相同的情况下，800千伏直流线路的电阻损耗是500千伏直流线路的39%，是600千伏级直流线路的60%，提高输电效率，节省运行费用。四、工程投资省。根据有关设计部门的计算，对于超长距离、超大

的传导度调变。高压MOSFET泄极的磊晶层(Epitaxial)主宰导通电阻的关键部分，无法大幅降低导通阻抗，而IGBT内的BJT是双极元件，可大幅降低导通电阻，也就是说其具有低的集射极导通电
(PunchThroughPlanar)IGBT(图1)在内部N-chMOSFET导通时，电洞(Hole)从PNP型BJT的射极(Source)注入N-chMOSFET的泄极(Drain)，使此部分电阻降低，此现象称为接面