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太阳能电池组件，利用半导体材料的电子学特性，当太阳光照射在半导体PN结上，由于P-N结势垒区产生了较强的内建静电场，因而产生在势垒区中的非平衡电子和空穴或产生在势垒区外但扩散进势垒区的非平衡电子和空穴，在内
建静电场的作用下，各自向相反方向运动，离开势垒区，结果使P区电势升高，N区电势降低，从而在外电路中产生电压和电流，将光能转化成电能。太阳能光伏发电系统大体上可以分为两类，一类是并网发电系统，即和公用

无变压器的逆变器是对称的。当负极接地的时候，通常对晶体硅光伏组件是有好处的。如果是正极接地的话，对P型所组成的光伏组件是非常不好的。关于PID形成的机制，到目前为止不是太清楚，譬如说现在用的晶体硅
允许在DC端浮动，到底怎么样，现在都没有结论。PID这个东西还在争论当中，但因为P型组件要求正极接地，我们大家都要求负极接地，实际上要的是什么呢？要的是电池片和玻璃之间接地。季良俊：下面有请VDE文的

电镀金刚石钢丝线切割的工艺）生产的单晶硅片，产品包括直拉N型单晶硅片、直拉区熔单晶硅片等。公告显示，备忘录约定拟由SunPower菲律宾提供多晶硅原料，环欧国际进行晶体、晶片制造并销往SunPower菲律宾的
Mission）是一项政策推动型项目，包括政府的补贴。这是一次机会，有助于开发国内整个太阳能电池价值链的制造基地。国内产品含量的条件为国内外开发商提供了平等的机会来投资制造部门的建设

100nm的n型CdS窗口层用化学浴淀积（CBD）技术再FTO/玻璃衬底上制备，其方块电阻是14/sq。用自制的近空间升华（CSS）装置在玻璃/FTO/CdS模板上制备CdTe吸收层。改变升华时间控制CdTe
电池及效率为11%的商用组件已分别在实验室证实和常规生产了。CdTe太阳能电池正被证明是太阳能电池市场最经济的太阳能电池之一。由于载流子浓度比较低～1014cm-3并考虑到生长高质量多晶CdTe薄膜

上升,形成热斑.若热斑的温度超过一定极限,将会使电池片上的焊点融化并损坏栅线,从而导致整个光伏阵列甚至系统的损坏.为了避免热斑的产生，接线盒因应而生。在太阳能电池组件中，一般将N块电池片串联成电池组，以
，配合内置MOS管，能最大限度的减少非正常能量损失，从而变相提高了有效发电总量。附件：原文引自《太阳能》2011年第7期------智能型光伏组件目前,光伏系统的安装服务公司及投资者都希望有关的设备

G.L.Pearson获得太阳能转换器件专利权。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p型单晶硅光伏电池，这种电池抗辐射能力强，这对太空电池很重要；Hoffman电子的单晶硅电池效率达到9
元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。回顾历史有利于了解光伏技术的发展历程，按时间的发展顺序

合掉了,从而会使电池效率大大下降。尽管n型硅材料的少子迁移率较小,但其寿命较长,且对杂质沾污的敏感性较低,所以比较适合于制作背结电池。2.1.1IBC太阳电池IBC
(Interdigitatedbackcontact)电池出现于20世纪70年代,是最早研究的背结电池,最初主要应用于聚光系统中,见图1。电池选用n型衬底材料,前后表面均覆盖一层热氧化膜,以降低表面复合。利用光刻技术,在电池背面分别进行

是4倍聚光漏斗和散热片的一组照片： c）高效聚光硅基电池：硅电池的转化率越高，所消耗的多晶硅就越少。目前用的是美国Sun Power公司供应的转化率为22%的n型硅基聚光电池。如前所述
，在聚光条件下，聚光电池，会出现对数式非线性增长。4倍聚光导致开环电压增长了10%！这一n型光电池就呈现出24.5%的转化率！ d）在所有上述介绍的绿色技术中，最重要的是太阳能炼硅。 5

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能源(TOPPER SUN)智能型太阳能追日系统iPV，主要特点为追日精准、稳定度高、同时价格平易近人。在追日精准度上，运用独特的追踪角感应系统设计与双轴设计，让整个系统能够以精准的脚步同步并行于

的背面。电池正面采用由光刻制成的金字塔（绒面）结构。位于背面的发射区被设计成点状，50m间距，10m扩散区，5m接触孔径，基区也作成同样的形状，这样可减小背面复合。衬底采用n型低阻材料（取其表面及体内
硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒金字塔技术

的发射区被设计成点状，50m间距，10m扩散区，5m接触孔径，基区也作成同样的形状，这样可减小背面复合。衬底采用n型低阻材料（取其表面及体内复合均低的优势），衬底减薄到约100m，以进一步减小体内复合
结果。近年来硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒