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，获得日本J-PEC和JET认证的公司及组件情况(见表三)。除以上统计外，最新了解到的企业还有力诺光伏、辉伦太阳能这两家企业也获得了 J - P E C 认证，但 J
， J - P E C 主要是 C B ，而 J E T 会有一些 C B 以外的其他测试，同时对于测试报告的实验室也有不同的认可要求

度的阴影损失和电池上的应力）没有了。对于p型单晶硅，与用串焊机制造的常规H形组件比较，能获得2%的FF相对增益及1%的Jsc相对增益。除了因MWT布局提高效率外，用电性能改进的硅基材料也能提高效率
简单就允许丝网印刷对准误差大。而且，电池结构包含正面发射极，因此对材料质量变化不太敏感。如上所述，我们的MWT电池和组件综合技术（初始设计用于p型硅材料）已得到证明，显示比常规非背接触H形电池和组件有

太阳能电池组件，利用半导体材料的电子学特性，当太阳光照射在半导体PN结上，由于P-N结势垒区产生了较强的内建静电场，因而产生在势垒区中的非平衡电子和空穴或产生在势垒区外但扩散进势垒区的非平衡电子和空穴，在内
建静电场的作用下，各自向相反方向运动，离开势垒区，结果使P区电势升高，N区电势降低，从而在外电路中产生电压和电流，将光能转化成电能。太阳能光伏发电系统大体上可以分为两类，一类是并网发电系统，即和公用

中间环节的电池及组件，赛维的触角触及光伏领域几乎每个端口。一个垂直一体化的光伏帝国正在冉冉升起。数年间，赛维先后在南昌、合肥、苏州等地投资建设多晶硅电池及组件，2011年12月，又在内蒙古投资100
。 8 9 10 11 下一页笔者在位于新余市国家级高新技术开发区的赛维公司看到，这个集多晶硅片、电池和组件生产的总部基地内部，不少厂房大门紧闭，厂房与厂房之间的道路上偶有几个

是：B I P V可以帮助一些用电大户平均替代掉40%左右的用电，而普通居民用户可以用自发电与电网供电做电量对冲，以净电量结算。对于土地比较多的农村居民，干脆可以建微型光伏电站，做电网生意。尽管上述的
景象已经在欧洲一些国家开始运行，但长城证券分析师沈成也向记者表示，抛开电网庞大的建设投入不算，如果运行净电量结算，电网自身的利益也将受到巨大影响，因此，B I P V的推进一定会遇到不小的阻力。李河君

可能是由从背接触扩散进入CdTe中的Cu引起的。Cu是P型CdTe中的易扩散材料，它不局限于背接触层中。相当多数量的Cu可能扩散到CdTe和CdS层中，对于吸收层厚度在微米级的薄CdTe太阳能电池来说尤其
电池及效率为11%的商用组件已分别在实验室证实和常规生产了。CdTe太阳能电池正被证明是太阳能电池市场最经济的太阳能电池之一。由于载流子浓度比较低～1014cm-3并考虑到生长高质量多晶CdTe薄膜

即相互吸引、又相互排斥，所有的硅原子都形成有规则的排列，横看成一，竖看成列，纵看成行，美丽而神奇。原子间的空格也叫晶格，是自由电子活动的空间。P型半导体就是在美丽的四价单晶硅中掺杂了三价的硼原子，结果
表现出使晶格趋于稳定的态势。这就是P型半导体的特性。再说说N型半导体。与P型半导体相类似，单晶硅在高温高压下形成结晶态之前，在纯硅当中掺杂了五价的磷原子，结晶形成后，某一个磷原子占据了硅原子的位置混在

G.L.Pearson获得太阳能转换器件专利权。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p型单晶硅光伏电池，这种电池抗辐射能力强，这对太空电池很重要；Hoffman电子的单晶硅电池效率达到9
元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。回顾历史有利于了解光伏技术的发展历程，按时间的发展顺序

后进入n型衬底形成n+区,而未印刷掩膜层的区域,经磷扩散后形成p+区。通过丝网印刷技术来确定背面扩散区域成为目前研究的热点。图1早期IBC太阳电池2.1.2PCC太阳电池美国SunPower公司利用
德国ISFH研究所结合激光烧蚀及LFC技术开发出RISE(Rearinterdigitatedsingleevaporation)电池,见图3。电池以p型FZ2Si作为衬底,正面制作随机金字塔绒面,并