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有利于单晶硅片的产业革命如果要问是什么原因导致近些年单晶硅片占比不断提升？我觉得首要原因必然是单晶硅片率先实现了金刚线切割的产业化应用。金刚线切割相比于传统的砂浆切割具有细、韧、锋等三个特点，细使得切割过程损耗小

王者的地位。我认为从根本上来说，这一次改变单多晶竞争格局背后的根本原因还是技术。接下来我们就从新技术的角度分析一下新技术的应用对单多晶的竞争格局带来一些什么改变。金刚线切割是一场本质上有利于单晶硅片的
产业革命如果要问是什么原因导致近些年单晶硅片占比不断提升？我觉得首要原因必然是单晶硅片率先实现了金刚线切割的产业化应用。金刚线切割相比于传统的砂浆切割具有细、韧、锋等三个特点，细使得切割过程损耗小

，B5机台改造难题也已经突破量产在即，改造成本为买专机的十分之一，金善明自信的说。随着金刚线在多晶硅片领域的规模推广，切片端单晶成本优势不再。单晶和多晶的差异仅在长晶端。阿特斯技术总监王栩生的报告显示
绒之前，普及金刚线切割的多晶硅片已经降本0.5-0.8元/片，而且，黑硅制绒后的多晶硅片可以直接上电池线，替代了传统酸制绒环节。王栩生同时认为，黑硅技术能够与高效PERC技术高度匹配，经验证，黑硅

很难完成金刚线切割改造。 B5现在改了十几台，良率接近90%。MB271机器量产良率已经突破92%了，切多晶产量比金刚线专用机切单晶的产量还要高，我们的金刚线改造绝对是成功的，不用再怀疑。而且，改造
成本仅是买专用机的十分之一，年底全部转金刚线，刘建平表示。据报道，11月份保利协鑫金刚线切比例已经超过80%，全行业估计2018年上半年切换完毕。金刚线切割可以使多晶硅片成本直接下降0.5元/片，并

： ↓↓↓ 光伏制造业按照生产流程划分，大致可以划分为四个环节，分别为硅料、硅片、电池片、组件。经过这么多年的发展，光伏产业最终稳定的形成两股势力，一股势力以最上游的保利协鑫生产的硅料为代表
，不断地在向上游扩展。几年前，在中游还有一些独立的公司，比如说：专门制造硅片的企业和专门生产电池片的企业。但是近些年光伏产业上下游两端挤压，分分执行垂直一体化策略，中游段的小公司一个接一个的消亡。但也

的投资价值在组件端首先回顾一下光伏产业格局：光伏制造业按照生产流程划分，大致可以划分为四个环节，分别为硅料、硅片、电池片、组件。经过这么多年的发展，光伏产业最终稳定的形成两股势力，一股势力以最上游的
着把持终端消费市场，不断地在向上游扩展。几年前，在中游还有一些独立的公司，比如说：专门制造硅片的企业；专门生产电池片的企业。但是近些年光伏产业上下游两端挤压，分分执行垂直一体化策略，中游段的小公司一个

新型晶体硅太阳电池 1常规设备的改进 2常规BSF电池的关键技术：黑硅技术表3：金刚线切割多晶硅片的常规织绒技术还未解决单晶硅电池与多晶硅电池的差距在缩小
价差缩小的原因分析：金钢线切割导入单晶硅，但是多晶硅遇阻降低氧含量连续投料薄片化新型的尺寸设计单晶硅片将完全用金刚线切割 对于切片企业是个巨大的技术升级压力

和低等水质用水环节无需额外使用自来水，减小了多晶硅片制造过程中的自来水消耗。本方法实施例中的废水循环利用系统的水处理成本也较低，并可长期自动稳定运行，而且对于下一代金刚线切割制造工艺而言，该系统依然非常适用，无须升级改造。

为协鑫集成极具竞争力的技术方案。郑加镇博士表示，经过光伏产业链的共同努力，直接制绒或黑硅技术已逐渐成熟并进入量产，有效解决了金刚线切割硅片制绒难的问题;此外，关于多晶PERC光衰减问题，通过烧结
PERC电池光衰现象。数据显示，掺镓与掺硼氢钝化后衰减对比：掺B多晶PERC电池LID衰减在2%以内，平均LID衰减为1.1%;掺Ga多晶PERC电池LID衰减在2%以内，平均LID衰减为0.8%。氢钝化

存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴
需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显影响，导致5%以上的LID。通过降低硅片氧含量、改变掺杂剂、对电池进行退火处理等措施，可以将PERC电池的光衰显著降低，例如单晶

2010-2011年硅片的产能急速扩张带来了巨大的成本开支，同时近三年来，发行人通过内部原材料和其他措施，发行人不断提高硅片产生率及降低生产成本，主要包括金刚线切割技术、高效铸锭炉升级、在线回收推广等。在硅片

。以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx叠层钝化，形成PERC电池结构，大大改善背表面的钝化效果。低反射率的
金刚线切割的多晶硅片硅材料损失较少，单位时间内的切片数增加，在成本上比常规砂浆线切割的多晶硅片有优势。而且其机械损伤较少，相应的缺陷密度较小。但是用常规的酸制绒手段不能实现有效的绒面制备。金刚线切割的

如图7所示。以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx叠层钝化，形成PERC电池结构，大大改善背表面的钝化效果
金刚线切割的多晶硅片硅材料损失较少，单位时间内的切片数增加，在成本上比常规砂浆线切割的多晶硅片有优势。而且其机械损伤较少，相应的缺陷密度较小。但是用常规的酸制绒手段不能实现有效的绒面制备。金刚线切割