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效果，具备着转换效率高、双面率高、几乎无光致衰减、温度特性良好、可使用薄硅片、可叠加钙钛矿等多种天然优势，成为后PERC时代最可能的替代者。目前各大企业的异质结投产比例在逐年上升，预计在2021年
了在极冷和极热地区也能有稳定的收益率。同时，产品零光衰，无应力，没有B-O效应引起的LID以及采用TCO膜抗PID最佳，保证长时间的耐久性和收益率。近日，东方日升的半年财报显示，报告期内，公司

发展阻力是成本较高。随着设备国产化、硅片减薄、低温银浆用量等成本降低，未来 HIT 电池有成为下一代主流光伏电池技术。HJT 与现有的生产线不兼容，单 GW 的投资额达到数亿元，新技术路线会
，添加 LPCVD、B 扩以及绕镀清洗等设备即可完成产线升级，升级投资较小。 HJT HJT(Hereto-junction with Intrinsic Thin layer)技术最有可能

主栅、半片、叠焊、大硅片、N型电池等。2018年以来，主流组件供应商新品推出速度明显加快，市场对组件企业的产品迭代能力提出较高的要求，二三线企业处于明显劣质。通过技术进步与产品创新，头部组件企业不断
的低利润率也被视作理所当然。也是因此，市场上几乎不存在纯组件企业(代工厂除外)，头部组件供应商均为一体化企业，其利润以往主要由配套的硅片、电池片环节贡献。我们对光伏各环节盈利能力进行拆分，结果显示，单

m。使用Gemini Sigma 300SEM 场发射扫描电镜观察抛光效果，如图1 所示。从图1 中可以看出，5000 倍放大观察，硅片部分区域存在凹凸;而图1b 是20000 倍观察
侵蚀性成分腐蚀减薄氮化硅层，最后形成的氧化铝/ 背面氮化硅叠层厚度约为230～250 nm，如图5 所示。背抛光后硅片印刷氧化铝并烧结，使用WT-2000 设备测试少子寿命值在10 s 左右

、本次发行不会导致公司控股股东和实际控制人发生变化。 11、本公司董事会已制定《关于非公开发行A股股票摊薄即期回报及填补回报措施》，本公司提示投资者制定填补回报措施不等于对公司未来利润做出保证
证券交易所上市、以人民币标明股票面值、以人民币认购和交易的普通股元、万元、亿元指人民币元、人民币万元、人民币亿元硅片指由硅棒切割形成的薄片，是光伏行业及半导体行业的基础原材料 SEMI指国际半导体

，在清洗制绒后通过热氧生长的方法在硅片表面形成一层较薄的氧化层，然后根据丝网印刷前电极的图案在氧化层上开槽，再用弱碱清洗激光损伤层。这样，在扩散时，没有开槽的区域由于氧化层的阻挡作用形成浅扩，开槽的
选择性发射极(iveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合

制备方案。该方案要点是，在清洗制绒后通过热氧生长的方法在硅片表面形成一层较薄的氧化层，然后根据丝网印刷前电极的图案在氧化层上开槽，再用弱碱清洗激光损伤层。这样，在扩散时，没有开槽的区域由于氧化层
选择性发射极(selectiveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面

有限，应当鼓励应用高效组件，降低BOS成本，提升系统效率，同时利用双面发电+跟踪支架的方式，降低度电成本。毫无疑问，随着单片组件效率的提升，光伏系统BOS成本将被摊薄，实现降低初始投资、提高收益率
的目的。也正因为如此，高效组件与常规组件之间会存在一个合理价差，在这个范围内，使用高效组件更经济。但从目前的市场价格来看，无论是硅料、硅片环节还是电池、组件环节，高效产品与常规产品的差距都比较大，等待

(BOS)的成本的降低，一方面是依靠逆变器、箱变等设备成本降低及方阵容量设计的优化，一方面在于组件效率的提升与规格变化来摊薄，本文将对后者做具体分析。组件效率提升降低BOS成本高效组件降低
组件总功率提高，这样同样容量的电站所用到的： A. 支架 B. 汇流箱(或组串逆变器) C. 光伏电缆与直流电缆 D. 桩基础的施工 E. 组件、支架的安装成本 F. 初始土地成本大致

，依托其领先业内的技术，将在各个全球领先的各个领域上(多晶硅、单晶硅、硅片、电站运营)上疾行到怎样的高度; B.出口竞争力：保利协鑫的硅料生产已是全球第一，并已出口到全球第二的韩国，随着成本的降低，将在
全球最大的多晶硅企业、全球最大的硅片生产企业、旗下的协鑫新能源是全球第二大光伏电站运营企业。数据显示，2017到今年年底，江苏中能多晶硅产能为7万吨，而至2018年将达到12万吨，占据我国多晶硅产能的

VaporDeposition，PECVD) 在背面镀一层Si3N4 薄膜，对Al2O3 起保护作用;同时，这层Si3N4薄膜还能提高少子寿命，增加对长波的反射，对光进行充分利用，增加硅片对长波的吸收，显著
。这种EL 测试暗片会在组件端大量出现，引发组件热斑效应，从而降低组件质量和寿命。 2 实验设计和结果讨论选取同一批次的200 片p 型原硅片制作成电池片，其中，100 片按照常规流程