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有效措施包括前表面低折射率的减反射膜、前表面绒面结构、背部高反射等陷光结构及技术，而前表面无金属电极遮挡的全背接触技术则可以最大限度地提高入射光的利用率。减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善PN结形成
，最佳背场结构能够同时提高其Voc与Jsc，以及硅片厚度对电池性能的意义，对称结构的SHJ电池的理论极限效率为27.02%。 2013年，Wen等分析得出，界面态缺陷、带隙补偿与透明导电氧化物(TCO

。降低光学损失的有效措施包括前表面低折射率的减反射膜、前表面绒面结构、背部高反射等陷光结构及技术，而前表面无金属电极遮挡的全背接触技术则可以最大限度地提高入射光的利用率。减少电学损失则需要从提高硅片质量
指出，最佳背场结构能够同时提高其Voc与Jsc，以及硅片厚度对电池性能的意义，对称结构的SHJ电池的理论极限效率为27.02%。2013年，Wen等分析得出，界面态缺陷、带隙补偿与透明导电氧化物

(ALD)技术形成的Al2O3层被用于进行背面钝化。沉积形成的Al2O3层还要进行一次后沉积退火，这一步被集成在随后的背面SiNx减反射膜(ARC)沉积工艺上，采用的是管式等离子增强化学气相沉积
传统多晶硅电池技术高出0.9%。图二：(a)多晶硅PERC电池的效率分布。(b)60 片和120片多晶硅PERC组件的功率分配。表一比较了多晶硅PERC和传统黑硅多晶硅电池的I-V特性

以及流程，柔性光伏组件，透明导电氧化玻璃(TCO，掺杂或本证氧化锌膜层)镀膜工艺。PECVD，PVD和低压化学气相沉积(LPCVD)系统，薄膜发电光伏产品的应用平台，开发和研究薄膜太阳能电池、组件及
电池与组件材料匹配性研究、背抛光技术技改的研究等。组件研发方面：双面双玻组件的研究、高CTM组件技术的研究、60P多晶组件285W高效新产品组件研发及产业化、350W以上高功率多晶组件的研究、高效

技术，CIGS共蒸发技术，小尺寸组件的转换效率：1cm2电池转换效率达到21.0%，硅基薄膜生产设备以及流程，柔性光伏组件，透明导电氧化玻璃(TCO，掺杂或本证氧化锌膜层)镀膜工艺。PECVD，PVD和低压
：电池片研发方面：N/P型单晶双面太阳电池制备工艺的研究、高效太阳电池激光技术应用的研究、黑硅电池与组件材料匹配性研究、背抛光技术技改的研究等。组件研发方面：双面双玻组件的研究、高CTM

的发电成本(度电成本)也变得日益重要。如今，凭借先进的电池片技术，太阳能电池片背面无需进行铝背场处理，且不会造成性能损失这为双面电池片创造了条件。在单位装机容量相同的情况下，双面光伏系统的发电量
的各个组件的单位发电量：单面铝背场(对照组，设为100%) 灰色：双面PERT 蓝色：双面HJT/SWCT(异质结电池片结构/SmartWire智能网栅连接技术) 上述组件对比试验所选取的

片，测试每片电池的电性能，并计算各项参数的平均值。图2a 为不同电阻率的掺镓硅片制成常规铝背场电池的电性能数据，图2b 为不同电阻率的掺镓硅片制成PERC 电池的电性能数据
本文将电阻率为0.2～4 cm 的掺镓硅片分别制备成常规铝背场电池和PERC 电池，并对电池的少子寿命、电性能参数和光致衰减进行测量，研究了电池性能的差别，为掺镓硅片投入工业化生产提供了参考

(16-80次)、后期(81-100次)石墨舟的划伤比例，具体如图6所示。各周期石墨舟划伤比例差异不大，非要因。 2.2.5原因五：背电场浆料过于粗糙工艺分析A浆料较B浆料粗糙，跟踪
以是否造成SIN膜划伤为基准，在此称为： (1)划伤类，已造成SIN膜破损，严重时则EL发黑; (2)擦伤类，SIN膜无划伤，一般情况不会影响EL。本报告以Z公司为研究对象，重点研究(1)划伤类。划伤

底，体钝化技术，多层减反膜技术、选择性发射极技术和细栅金属化技术等。其中选择性发射极(SE)和细栅金属化技术极大降低了电池表面复合损失，有效提高了PERC电池开路电压和电池效率。同时晶科特有的多层膜
合作。2017年8月，韩华Q CELLS采用1366科技的直接硅片(Direct Wafer)技术，使得Q.ANTUM背钝化电池转化效率达20.3%。韩华Q CELLS曾在2016年3月与1366

优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC设计。PERC概念的核心就在于为常规光伏电池增加全覆盖的背面钝化膜
，从而降低少数载流子浓度。背钝化材料在钝化膜材料的选择上。氧化铝(Al2O3)由于具备较高的电荷密度，可以对P型表面提供良好的钝化，目前被广泛应用于PERC电池量产的背面钝化材料。除氧化铝外

右边HF110 后的汇流条，左边DH3000 后的汇流条表面涂层有明显的腐蚀现象。将HF110 及DH3000后的组件焊带剥离出来，如图8b 所示，湿热试验对组件汇流条腐蚀程度更深，而且湿冻试验
汇流整体光泽度很差，很像是水汽长期凝附于表面的结果。图9a 中，湿冻试验焊带并未腐蚀，组件正面却出现轻微的黄变现象;湿热试验组件的焊带出现了局部腐蚀，但整体光泽度较好。图9b和图9c 也

恢复。经过几年的联合研究，通过大量的实验清楚的认识了Cz-Si光衰减的缺陷，证实了引起Cz-Si光衰减缺陷的主要成分是硼和氧。研究指出在晶体硅中硅的原子半径要比B的原子半径大25%，故后者更易于吸引硅
中的间隙氧原子。同时，由两个间隙氧原子组成的双氧分子O2i与替位的硼原子结合，从而形成B-O复合体。这种观点已得到Adey等的理论计算支持，并提出了如下反应的B-O形成机制模型。 2 改进

，如图2(a)和(b)所示，可见黑斑位置并不确定、形状似圆形、而非规则的圆点或同心圆。利用太阳电池分选机测试实验电池片的电学性能参数，如表1所示。表中，黑斑电池片的串联电阻Rs和FF因子
及比例如表2所示，两个样片表面的元素种类的含量如图3(a)和(b)所示，电池样片表面SEM形貌扫描图如图4(a)和(b)所示。从上述结果可以看出，黑斑样片表面层10m

由二次清洗造成的。二次清洗后背面产生杂质，在背面沉积一层Al2O3 之后存在不均匀现象，导致背膜产生缺陷。为消除这个缺陷，通常采用退火的方法，即在温度500～550 ℃、时间10～20
内容摘要介绍了一种通过调整背钝化工艺改善多晶硅背钝化电池缺陷的方法。采用背钝化新型电池片工艺，在正常生产过程中EL会呈现有规律的区域发暗，严重影响电池片性能。本文通过优化PECVD工艺时间和退火

浆料发展的方向，为未来光伏技术的发展及正银浆料国产化提供了一定的思路 01不同硅基太阳电池技术晶体硅太阳电池主要由经过不同工艺处理的硅基片、正面电极、铝背场及背面电极等组成。图1～图5 分别为不同
太阳电池，结构如图2 所示。PERC 太阳电池与常规太阳电池的主要区别在于：1)PERC 太阳电池在背表面有钝化介质层( 多为Al2O3) 和保护层( 多为SiNx);2) 常规太阳电池铝背场与硅片

，如图2(a)和(b)所示，可见黑斑位置并不确定、形状似圆形、而非规则的圆点或同心圆。利用太阳电池分选机测试实验电池片的电学性能参数，如表1所示。表中，黑斑电池片的串联电阻Rs和FF因子
比例如表2所示，两个样片表面的元素种类的含量如图3(a)和(b)所示，电池样片表面SEM形貌扫描图如图4(a)和(b)所示。从上述结果可以看出，黑斑样片表面层10

黑斑片，如图2(a)和(b)所示，可见黑斑位置并不确定、形状似圆形、而非规则的圆点或同心圆。利用太阳电池分选机测试实验电池片的电学性能参数，如表1所示。表中，黑斑电池片的串联电阻Rs和FF
表面元素及比例如表2所示，两个样片表面的元素种类的含量如图3(a)和(b)所示，电池样片表面SEM形貌扫描图如图4(a)和(b)所示。从上述结果可以看出，黑斑样片表面