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工作。 5.2.3光电施工准备：根据工程特点，准备好脚手架或电动吊篮设备，准备好技术人员与劳动力安排。按照设计图纸进行测量放线、标注部件安装位置。 5.2.4器件安装：主要是太阳光电系统中的
6.1 高效晶体硅太阳电池片具体要求及技术指标：无螺钉内置角键连接，紧固密封，抗机械强度高，高透光率钢化玻璃封装，采用密封防水多功能接线盒，确保组件使用安全。表面覆盖深蓝色碳化硅碱反射膜，颜色均匀

、中高档机电组件、碳化硅及半导体器件等。推广应用计算机辅助设计（CAD）、辅助制造（CAM）、企业资源计划（ERP）和计算机集成制造系统（CIMS），以及产品全生命周期管理（PLM）系统软件
器件和多功能化、智能控制化、绿色环保化的小型芯片和模块等。重点在公共安全、社会保障、医疗卫生、农林牧渔、资源利用和管理、环境保护、交通出行等10个重点领域开发应用北斗卫星导航系统。在工业领域加快实施

。　　目前在硅材料的生产制造过程中大量使用石墨制品。其中，石墨制品在直拉单晶硅工艺中应用尤为典型。据不完全统计，我国现有工作状态的单品炉超过2000台左右。其中直拉单晶炉用以生产硅半导体器件所需的
杂质。石墨或C/C复合材料在高温下与石英坩埚还原出来的氧反应　　 C + O CO 　　石墨或C/C复合材料与一氧化硅反应生成碳化硅颗粒　　 SiO + CSiC + CO

损坏，严重的还会直接损坏石英管和碳化硅悬臂桨。５．主送气管道在接入设备前应先排空，再通入纯净高压气体吹洗干净，否则管道内的不洁净物质会引起气路元器件的堵塞及损坏。６．压缩空气、氮气、氧气等各种气体的进
扩散到硅中去。箱法扩散，又称半开管扩散（如图４．３ｂ），是封管扩散的改进，采用一个石英或硅制成的带盖子的箱子，扩散时把硅片和杂质源一起放入箱内，盖上盖子送入扩散炉管中，炉管内的惰性气体起保护作用。封管

％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术
采用吸杂、钝化、背场等技术。近年来吸杂工艺再度受到重视，包括三氯氧磷吸杂及铝吸杂工艺。吸杂工艺也在微电子器件工艺中得到应用，可见其对纯度达到一定水平的单晶硅硅片也有作用，但其所用的条件未必