光伏咨询搜索-索比光伏网

项目》的议案。2011年底建成200MW太阳电池生产线，2012年底完成产品技术升级，最终实现单晶硅电池不低于18.5%和多晶硅电池不低于17.0%的平均转化效率的目标。根据光伏产业的发展现状，以及对
在光伏上游制造业产能过剩、需求萎缩的情况下，到下游建光伏电站成了上游企业发展的趋势。近期，德国拜尔能源集团（下称拜尔能源）董事长王学军的业务变得比以前更繁忙。目前除了尚德、阿特斯等少数企业没有接触外

11/5/2012，在中国光伏产业屡遭欧美贸易壁垒的情况下，多元化制造企业3M公司却仍选择大笔加码光伏产业。3M中国近日宣布，将总投入10亿人民币打造3M材料技术（合肥）有限公司，这是3M中国在
177亩，计划将于2012年底建成投产。 3M公司大中华区总裁余俊雄表示，虽然目前中国的光伏产业遭遇到欧美的贸易壁垒，且国内面临产能过剩，但是从长期来看中国的光伏行业会发生大的洗牌

多项国际专利和核心技术。曙海公司利用自身掌握的先进设备以及自主研发的核心技术，制造和研发新一代高性价比、高产能的薄膜光伏规模化生产线，对于提高硅薄膜太阳电池组件的光电转换效率、提高组件的成品率和质量
自用外，还可提供给国内薄膜光伏企业，成为中国主要的非晶硅太阳电池销售商及生产线制造商之一，形成能够为终端用户提供完整技术方案的大规模光伏产业基地。目前公司主要产品有各种规格尺寸、各种封装方法的非晶硅薄膜

单晶硅太阳能电池，非晶硅薄膜是一种极有希望大幅度降低太阳电池成本的材料。非晶硅薄膜太阳能电池具有诸多优点使之成为一种优良的光电薄膜光伏器件。(1)非晶硅的光吸收系数大，因而作为太阳能电池时，薄膜所需
索比光伏网讯:当前，提高薄膜太阳能电池的效率是大家所关注的研究课题。除了表面绒化和抗反射层外，金属纳米图形对于增强薄膜太阳能电池的吸收已引起更多的注意。以前的研究表明，不同直径的金属纳米点能在

以上,太阳电池组件的产品必须通过国内或国际认证机构的认证，必须具有CQC或CGC等认证证书,近五年内至少承担过二个10MWp及以上并网型光伏电站EPC工程，并安全稳定运行一年及以上，同时提供由用户签署
级及以上并网型光伏电站的安全运行一年及以上的业绩证明； 5.8.2太阳电池组件分包商必须具备注册资本金在4亿元人民币及以上，其产品必须通过国内或国际认证机构的认证，必须具有CQC或CGC

元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。回顾历史有利于了解光伏技术的发展历程，按时间的发展顺序
，OFweek太阳能光伏网将与太阳电池发展有关的历史事件汇总如下：从1839年法国科学家E. Becquerel发现液体的光生伏特效应（简称光伏现象）算起，太阳能电池已经经过了160多年的漫长的发展历史。从

索比光伏网讯:在前一章中我们较为详尽地介绍了太阳能电池制造过程中的一个重要工序P-N结的制作，即常说的扩散过程，并对制作P-N结的扩散炉进行了简单介绍。而在制造太阳能电池的工艺流程中，通常都在扩散
后进行刻蚀。在扩散过程中，硅片的周边表面也形成扩散层。周边扩散层使电池的上电极和下电极形成短路，必须将它除去。这个工序是太阳电池制作中必不可少的一步，周边存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降

关元件按一定频率朝一方向动作，这样形成一个脉冲波列（拟正弦波）。然后让脉冲波通过简单的滤波器形成正弦波。光伏逆变器的功能逆变器不仅具有直交流变换功能，还具有最大限度地发挥太阳电池性能的功能和系统故障
逆变器又称电源调整器，根据逆变器在光伏发电系统中的用途可分为独立型电源用和并网用二种。根据波形调制方式又可分为方波逆变器、阶梯波逆变器、正弦波逆变器和组合式三相逆变器。对于用于并网系统的逆变器，根据

索比光伏网讯:在太阳电池制备中，扩散是一道重要工艺，其主要目的就是形成Ｐ－Ｎ结。对硅进行扩散的典型做法是将硅片置于高温石英管中（通常为８００℃～１２００℃范围），并通入含有待扩散元素的混合气体。在
目前的太阳电池工艺中，通常采用已经掺杂了一定量的硼的Ｐ型硅片作为原料，在硅片的一面通过扩散磷来形成Ｐ－Ｎ结，采用三氯氧磷（ＰＯＣｌ３）作为扩散源提供磷原子。常用的扩散方法为石英管中进行的闭管液态源

光伏组件的输出功率（实际功率）小于所有电池片的功率值之和（理论功率），我们称之为封装损失（powerloss），计算方法为：封装损失=（理论功率-实际功率）/理论功率图1 太阳电池组件封装结构如果封装损失值
索比光伏网讯:为了获得所需的电流电压和输出功率，同时也为了保护电池不受机械损伤和环境损害，必须将若干单片电池串并联连接并封装成光伏" title="光伏新闻专题"光伏组件。一般情况下，封装后的

作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心摘要晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失（powerloss）。本文对
了一些初步的结论，可为组件公司提高产品性能提供参考。另外我们只针对组件封装时的功率损失进行了研究，未涉及电池片光致衰减（LID）导致的组件输出功率下降等问题。　　封装损失的分析常规晶体硅太阳电池组件的

索比光伏网讯:作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心　　摘要:　　晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失
。　　封装损失的分析　　常规晶体硅太阳电池组件的封装结构如图一所示，自上而下的顺序分别是钢化玻璃-密封胶-晶体硅太阳电池-密封胶-背板；封装之前的单焊、串焊工艺将电池片通过涂锡焊带连接；组件层压封装