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、供需失衡等不利因素影响，公司于2012年四季度出现了流动性困难，各生产单位产量大幅下降，公司陆续收到了供应商、银行及其他债权人的起诉（公司于2012年度报告中披露了截止至2012年度报告披露日前的诉讼
年1月5日查封：别克汽车沪A5V158；别克沪K39158；金龙大巴沪B39032；金龙大巴沪BG9407；奔驰沪F88108（共5辆车）。查封房产：奉贤区光明镇牌楼村141号幢号1#及幢号2#

网内部人士透露，在此次金太阳工程骗补项目中，有几个招数最为常见：首先是投资商为控制投资成本，在需要使用多晶硅电池片时，采用B片组件代替A片。这种电池几年以后效率和性能将迅速衰减，根本无法满足相关规定中使
、英、日、澳等国都采取财政补贴方式推广高效节能产品。而其结果表明，合理的财政补贴确实可以有效地引导企业的生产行为，利于实施减排。在这一点上，我国启动节能补贴，其出发点也是为了通过补贴政策，扩大高效

绞尽脑汁。据索比光伏太阳能网内部人士透露，在此次金太阳工程骗补项目中，有几个招数最为常见：首先是投资商为控制投资成本，在需要使用多晶硅电池片时，采用B片组件代替A片。这种电池几年以后效率和性能将迅速衰减
确实可以有效地引导企业的生产行为，利于实施减排。在这一点上，我国启动节能补贴，其出发点也是为了通过补贴政策，扩大高效节能产品市场份额，推进节能减排战略，在方向上与国际社会无异。张帅认为

，公司通过采用沉积法制造出轻薄的智能硅片(SmartWafer)，主要用于光伏电池的制造。该企业已从Series B基金(该基金从当前投资者处募集)提出1000万美元，旨在将该产品推向市场
。Scifiniti首席执行官Sharone Zehavi表示：就成本削减及促进太阳能市场规模增长而言，价值链中最大的机会就存在于硅片成本之上。我们具有可伸缩性的生产技术可将硅片成本削减50%之上这无疑能大幅提升

成本在调查涵盖期内稳步下降，但因中方光伏产品出口商存在倾销行为，欧厂无法享受到生产成本下降带来的福利。而中方在原材料与设备成本与欧厂比并没有优势，因双方多晶硅成本类似，而双方所用设备往往都有欧洲设备商
法令E章的3.6节202~203段中，欧委会试图证明欧盟光伏制造业目前受到的损害是由欧盟光伏制造商成本控制不力，相关费用较中方企业比偏高造成这一观点不成立。论据是根据欧委会调查，欧厂的组件、电池生产

小部分成本相似（多晶硅）而无视更多的决定成本的因素，便认为中方企业成本控制未必比欧厂好，而判定欧盟光伏生产商自身成本控制不力不是造成其当前所受损害的主要原因很不
。论据是根据欧委会调查，欧厂的组件、电池生产成本在调查涵盖期内稳步下降，但因中方光伏产品出口商存在倾销行为，欧厂无法享受到生产成本下降带来的福利。而中方在原材料与设备成本与欧厂比并没有优势，因双方

对华出口的过程中，存在诸多规避双反调查的招数，其中最典型的当属利用加工贸易方式出口多晶硅来避税，此举严重削弱了多晶硅双反的效果。据介绍，加工贸易是A国企业向B国企业进口原料、材料或零件，利用A国的
生产能力和技术，加工成成品后再出口到B国的贸易形式。常见加工贸易分为进料加工、来料加工、装配业务和协作生产四种方式。采用来料加工方式，即A国企业全部或部分利用B国企业提供的原料加工成成品后再交给B国企

有用化学腐蚀、光刻和激光刻槽的方法进行孔的制备，这些方法工艺繁琐而且成品率也不够高，但后来随着激光技术的发展，现在大量生产的MWT和EWT都用激光打孔技术，尤其是有些多晶电池的制备，用化学腐蚀方法制孔
，主要成分有磷酸镧、CeP5O14、SiP2O7几种，硼源片的主要成分有B2O3、BN和SiO2的混合物两种，扩散时在源片的同一石英舟上放上要扩散的硅片，待炉温加热至850℃的时候缓慢将石英舟推入恒温区

索比光伏网讯:前中国女排冠军教练邓若曾等众多读者咨询本报如何建立家庭电站5月8日，本报B6版《首个家庭光伏电站开始赚钱》的新闻刊出后，有不少读者打来电话，询问个人安装光伏电站的具体事宜。其中，前
太阳能电池板大致分为单晶硅电池、多晶硅电池、薄膜电池以及非晶硅薄膜电池。对于太阳能电池而言，最重要的参数是转换效率，目前在实验室所研发的硅基太阳能电池中，单晶硅电池效率为25%，多晶硅电池效率为20.4

而且成品率也不够高，但后来随着激光技术的发展，现在大量生产的MWT和EWT都用激光打孔技术，尤其是有些多晶电池的制备，用化学腐蚀方法制孔很难得到大小均匀的孔洞，而且现在成熟的激光技术在打孔后可以改善
扩散的，其磷源片种类很多，主要成分有磷酸镧、CeP5O14、SiP2O7几种，硼源片的主要成分有B2O3、BN和SiO2的混合物两种，扩散时在源片的同一石英舟上放上要扩散的硅片，待炉温加热至850℃的

而且成品率也不够高，但后来随着激光技术的发展，现在大量生产的MWT和EWT都用激光打孔技术，尤其是有些多晶电池的制备，用化学腐蚀方法制孔很难得到大小均匀的孔洞，而且现在成熟的激光技术在打孔后可以改善
主要成分有B2O3、BN和SiO2的混合物两种，扩散时在源片的同一石英舟上放上要扩散的硅片，待炉温加热至850℃的时候缓慢将石英舟推入恒温区，并一直通氮气，P扩散一小时后其方阻约在R=20～30/sq的