太阳能电池制作流程图,衬底我们使用的是(100)单晶硅硅片,厚度为310m,电阻率为0-5.cm;用KOH腐蚀硅片表面,得到绒面结构;再用POCl3源扩散得到方阻为100/□的n+发射极;经过湿刻,用 B.Surface passivation of high efficiency silicon solar cells.Proceedings of the 21st IEEE Photovoltaic
课题。在目前的制造工艺中,单晶或准单晶硅片的通用制绒工艺采用碱液金字塔刻蚀法,硅表面形成随机金字塔结构,可对太阳光进行两次反射,一般反射率在10%左右。而具有倒金字塔形状的凹坑结构是更为理想的绒面 平、梅增霞、王燕、杨丽霞、梁会力以及杜小龙等巧妙地利用单晶硅表面上铜纳米颗粒的各向异性沉积特性,在酸溶液中实现了铜催化各向异性刻蚀,获得了大面积均匀的致密的倒金字塔绒面(图1)。所制备的156 x