近日，捷佳伟创在钙钛矿电池设备领域连续实现重大突破!继钙钛矿整线出货海外和首台喷墨打印设备交付后，公司多台自主研发的磁控溅射设备(PVD)成功出货，标志着公司在钙钛矿与BC电池核心装备的研发与产业化方面再获市场高度认可。此次PVD设备的连续交付，进一步彰显了公司在光伏高端装备领域的领先实力与持续拓展国际市场的坚定步伐。
本次交付的PVD设备为钙钛矿电池产业化进程中的关键核心装备，具备多种膜层溅射功能，可满足不同应用场景下的工艺需求。该设备由捷佳伟创完全自主研制，拥有全部知识产权，广泛适用于钙钛矿电池的真空镀膜制程，支持多种靶材灵活适配与不同类型膜层的高质量制备，在成膜致密性、均匀性以及工艺稳定性方面表现卓越。
未来，捷佳伟创将继续坚持以客户需求和市场导向为创新动力，紧密跟踪光伏技术发展趋势，不断深化钙钛矿等前沿技术领域的研发与布局，以更先进的装备技术和更完善的服务体系，为推动全球光伏产业的高质量发展和绿色能源转型持续贡献“捷佳”力量。
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近日，快可电子在接受投资者调研时表示，近年来公司积极关注钙钛矿组件的应用场景和技术路线，组织研发团队进行产品研发，光伏接线盒和光伏连接器产品可适配钙钛矿组件，已有批量出货并形成销售。
近日，杭州鼎能光电迎来新年开门红——2026年首套GW级定制化钙钛矿光伏核心装备正式完成装配、检验与装车，并发往头部客户现场，标志着鼎能光电钙钛矿设备达成GW级规模化量产交付新高度，为钙钛矿光伏技术产业化再添重磅里程碑!本次出货的GW级定制化钙钛矿光伏核心设备，是鼎能光电聚焦高效率、高稳定性、高均匀度、低成本打造的标杆级装备。
FirstSolar与OxfordPV签署了专利许可协议，该协议使FirstSolar能够使用OxfordPV现有的已授权专利及目前正在申请的专利。其他条款未予披露。据悉，FirstSolar在薄膜研发方面已投入超过20亿美元，其中重点聚焦于钙钛矿技术。OxfordPV拥有全球最强大的钙钛矿太阳能技术专利组合。此次进一步收购，呈现进一步加码势态。另一方面，FirstSolar对专利的布局可谓十分执着，并因此获利。
马年伊始，逸飞激光与国内光伏行业某龙头企业达成重要合作，成功签署2㎡+级钙钛矿叠层激光加工设备批量订单。此次合作标志着逸飞激光在钙钛矿光伏这一前沿技术领域的激光装备研发创新与产业化能力获得头部客户的高度认可，实现了公司在高端光伏制造领域新业务拓展的重大突破，为公司在新一年的发展赢得了“开门红”。逸飞激光将持续以先进的激光加工技术与智能化解决方案，助力全球客户加速钙钛矿太阳能电池的规模化量产进程。
有报道称，SunicSystem的钙钛矿太阳能电池沉积设备目前正在北美进行概念验证测试。这家韩国设备制造商正与一家北美领先的太阳能电池公司合作，验证设备的性能和良率。如果设备顺利通过测试，SunicSystem最早可于今年下半年开始交付。这项交易很可能涉及目前正在测试的同一批钙钛矿太阳能电池沉积设备。SunicSystem表示，其专有的干法能够均匀地在大面积表面沉积多层。SunicSystem的第8代设备可支持扩展至更宽表面，推动PSC进入行业发展的下一阶段
近日，云南大学发布34项仪器设备采购意向，预算总额达1.01亿元，涉及超快载流子动力学成像系统、原位微纳结构分析系统、全自动生化分析仪、全自动血细胞分析工作站、全光谱流式细胞仪、液相色谱串联质谱检测系统等，预计采购时间为2025年9月~2026年2月。
近日，氢导智能为某中国头部科技企业量身定制的钙钛矿太阳能电池整线设备项目顺利通过高标准验收。本次交付的钙钛矿整线设备覆盖以涂膜为主，涵盖基片清洗、激光划线、涂布、真空镀膜等核心工序，全面打通钙钛矿电池制备的关键环节，是真正意义上的量产级交钥匙工程。截止目前，氢导智能已成功助力多家客户推进钙钛矿量产进程，其中部分客户实现平米级电池效率突破20%，产业化能力持续得到验证。
2026年1月1日，合肥京东方光能科技有限公司《高效钙钛矿薄膜太阳电池中试线项目-评标结果公示公告》发布。公告内容显示，合肥欣奕华智能机器股份有限公司位列高通量-干法制膜系统候选人第一名。
西安交通大学梁超等人提出一种原位双界面调控策略：在前驱体溶液中引入平面刚性电子给体四硫富瓦烯（TTF）。TTF与锡-铅钙钛矿前驱体组分间的电子给-受相互作用，辅以TTF原位自组装在钙钛矿体相及上下界面的双重富集，协同调控结晶动力学、均化Sn氧化态、促进载流子在体相与双界面处的抽取与输运，并稳固钙钛矿晶格。
2025年12月22日，元禄光电自主研发的大幅面钙钛矿全自动产线激光刻蚀设备顺利完成出厂调试，正式交付国内某头部光伏企业。
我们深入研究了BPAH对ETL能级和迁移率的影响，并揭示了其与发光层之间的强相互作用，有效钝化了发光层表面缺陷，促进了电荷传输与辐射复合。研究亮点：一分子双功能：BPAH实现ETL能级调控与界面钝化BPAH分子插入POT2T分子间隙，改善π-π堆叠，提升电子迁移率；其咪唑基团与发光层中未配位Pb配位，增强铅-卤键结合力，有效抑制卤离子迁移与界面缺陷。
