近日，捷佳伟创在钙钛矿电池设备领域连续实现重大突破!继钙钛矿整线出货海外和首台喷墨打印设备交付后，公司多台自主研发的磁控溅射设备(PVD)成功出货，标志着公司在钙钛矿与BC电池核心装备的研发与产业化方面再获市场高度认可。此次PVD设备的连续交付，进一步彰显了公司在光伏高端装备领域的领先实力与持续拓展国际市场的坚定步伐。
本次交付的PVD设备为钙钛矿电池产业化进程中的关键核心装备，具备多种膜层溅射功能，可满足不同应用场景下的工艺需求。该设备由捷佳伟创完全自主研制，拥有全部知识产权，广泛适用于钙钛矿电池的真空镀膜制程，支持多种靶材灵活适配与不同类型膜层的高质量制备，在成膜致密性、均匀性以及工艺稳定性方面表现卓越。
未来，捷佳伟创将继续坚持以客户需求和市场导向为创新动力，紧密跟踪光伏技术发展趋势，不断深化钙钛矿等前沿技术领域的研发与布局，以更先进的装备技术和更完善的服务体系，为推动全球光伏产业的高质量发展和绿色能源转型持续贡献“捷佳”力量。
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西安交通大学梁超等人提出一种原位双界面调控策略：在前驱体溶液中引入平面刚性电子给体四硫富瓦烯（TTF）。TTF与锡-铅钙钛矿前驱体组分间的电子给-受相互作用，辅以TTF原位自组装在钙钛矿体相及上下界面的双重富集，协同调控结晶动力学、均化Sn氧化态、促进载流子在体相与双界面处的抽取与输运，并稳固钙钛矿晶格。
2025年12月22日，元禄光电自主研发的大幅面钙钛矿全自动产线激光刻蚀设备顺利完成出厂调试，正式交付国内某头部光伏企业。
我们深入研究了BPAH对ETL能级和迁移率的影响，并揭示了其与发光层之间的强相互作用，有效钝化了发光层表面缺陷，促进了电荷传输与辐射复合。研究亮点：一分子双功能：BPAH实现ETL能级调控与界面钝化BPAH分子插入POT2T分子间隙，改善π-π堆叠，提升电子迁移率；其咪唑基团与发光层中未配位Pb配位，增强铅-卤键结合力，有效抑制卤离子迁移与界面缺陷。
捷佳伟创首条量产商业化柔性钙钛矿产线核心设备近日，捷佳伟创在新能源装备领域取得重大突破，成功斩获首条量产商业化柔性钙钛矿产线核心设备。公司为行业领先客户提供涵盖清洗、RPD、PVD、涂布等关键制程的核心装备，标志着捷佳伟创在助推钙钛矿技术产业化进程中迈出了坚实一步。捷佳伟创积极参与行业技术交流，与产业链上下游伙伴建立开放合作关系，共同推动柔性钙钛矿技术的标准化和规模化发展。
理论计算表明，镧系离子掺杂在合金态中促进了相分离并促进离子迁移，而在相分离态中抑制离子迁移，形成“相钉扎”效应。该机制在合金态与分离相中形成了迁移势垒的相反趋势，同时驱动卤化物分离并在分离相中钉扎离子迁移。
香港理工大学杨光，李刚&深圳理工大学白杨明确了宽带隙钙钛矿开路电压损失的根本原因，即其表面区域分布的移动缺陷。这两种策略的协同集成，使钙钛矿-有机叠层太阳能电池的效率突破25%，同时实现了更强的运行稳定性。进一步，创新性地采用溶液加工的氧化石墨烯作为中间连接层，成功构建了钙钛矿-有机叠层太阳能电池，实现了25.03%的稳定效率，且器件表现出良好的可重复性。
在钙钛矿与电荷传输层之间的界面工程对提升器件运行稳定性至关重要。在具有HTL/钙钛矿/ETL/HBL核心结构的倒置钙钛矿太阳能电池中，基于PCBM的电子传输层界面因其分子几何形状存在较多缺陷，导致界面附着力不足。本研究瑞士洛桑联邦理工学院MichaelGrtzel和韩国成均馆大学Nam-GyuPark等人引入钙钛矿/PCBM与PCBM/HBL双界面钝化策略，以增强界面附着力并钝化界面缺陷。
西班牙的一个研究团队声称利用MXenes或其他二维材料制造了世界上最高效的钙钛矿太阳能电池。该器件依赖Mxene夹层，抑制非辐射复合，并在钙钛矿吸收层与电子传递层界面处提升电荷提取。
锡基卤化物钙钛矿因Sn²⁺的高路易斯酸性导致结晶过快，以及Sn²⁺易氧化引起的严重p型掺杂，在其多样化应用中面临巨大挑战。
为此，我们提出了一种晶界能带反转策略，采用二丁基二硫代氨基甲酸铅作为界面钝化剂，同时实现了对1.68eV宽带隙钙钛矿薄膜的缺陷钝化以及晶界与晶粒间能带弯曲方向的反转。结合对空位缺陷的钝化作用，基于该策略的倒置结构器件实现了22.2%的功率转换效率，是目前空气中制备的1.68eV宽带隙钙钛矿电池中最高效率之一。本研究通过晶界能带反转策略，成功实现了高效率与环境制备的兼容性，推动了钙钛矿光伏技术的产业化进程。
在室内光照条件下，VIPS修饰的柔性器件效率超过40%。
