HIT：单晶perc之后的下一个光伏电池新赛道？

4/5、更低的衰减和更优秀的温度系数

P型硅片由“硼”作为主要参杂元素，硅片中的硼氧复合因子会降低电池少子寿命进而出现困扰P-perc电池片的光致衰减现象，近些年我们通过在掺入镓以及退火工艺，光致衰减现象已经得到很大程度的抑制，但初始光衰依然无法避免，隆基乐叶HI-MO2组件承诺的初始光衰在2%(实际或可做到1%以内)。HIT电池使用的N型硅片以磷作为主要参杂元素，不会出现硼氧复合因子从而从根本上避免了初始光衰的现象。

温度系数是HIT组件另一个方面的优势，随着组件工作温度的升高，组件的发电功率会出现下滑，常规P型电池的温度系数为-0.46%，这就意味着温度每升高1度，组件的功率就会下滑0.46%;HIT组件的温度系数为-0.258%，温度每升高1度，功率仅下滑0.258%。不仅如此，HIT由于转化率更高，以热的形式耗散的能量相对更少，在同等情况下工作温度就低于P型电池。种种因素叠加下，使得HIT组件可以在同等功率下有更加优异的发电表现。

6、HIT电池片更适合与叠瓦组件相结合

叠瓦组件比常规组件能封装更多的电池片(60型常规组件可封装66片)，增加有效发电面积(2%↑);用导电胶替代焊带避免了焊带遮挡(4%↑);紧密叠加的电池片叠加导电效果更佳的导电胶降低组件内阻(3%↑);叠瓦组件优秀的封装方式带来的各种优秀效应可以叠加使得叠瓦组件的发电功率比常规组件高8~9%。这里我先引入一个概念：“按比例提升功率的技术”。明确这样的概念对于我们理解高效硅片电池片的未来十分有益。半片技术就是典型的按比例提升功率的技术，它叠加在越优秀的电池片上带来的提升越大。半片技术叠加在常规多晶组件上尽可以提升5~6W的功率;但是同样的技术叠加在单晶perc组件上就可以带来8W以上的功率提升;近些年不断涌现的半片、多主栅、双面都是非常典型的按比例提升功率的技术。我了解到阿特斯为了挽救即将衰亡的多晶路线，不惜花大价钱在多晶路线上不断叠加新技术，但是阿特斯在电池技术上叠加的按比例提升的工艺环节越多，未来就会有更大的动机去选用单晶硅片。表面上是为了挽救多晶技术路线而做出种种努力，不断的采购新设备叠加新工艺，但实际上是在加速多晶技术路线的覆灭，因为终有一天阿特斯可爱的工程师朋友们就会发现，只要简单的放弃自己的执念改用单晶硅片，那些先进设备就可以发挥更大功效、更大价值(扯远了，再回到主题)。

叠瓦组件技术不仅是典型的按比例提升功率的技术，更是提升幅度最大的技术。8%的提升比例使得半片、多主栅等技术在其面前都自惭形秽。既然是按比例提升功率的技术，那么他应用在越优秀的电池片上，其发挥出来的价值就越大，如果把叠瓦技术叠加在270W功率的常规多晶组件上，带来的功率提升为270×8%=21.6W;如果叠加在305W功率的单晶perc组件上带来的功率提升为305×8%=24.4W;晋能目前可把HIT组件功率做到330W，如果这样的电池片叠加叠瓦功率可以提升330W×8%=26.4W。如果是HIT叠瓦双面，把双面发电功率考虑进来则功率差可以拉倒更大的水平。

叠瓦组件在封装环节电池片之间会出现一个凌空，这对于更厚且更脆的P-perc电池是非常不利的，P型电池片背面存在铝背场，致使电池片很脆，拿在手里轻轻一掰就会碎裂，叠瓦的封装模式对于十分脆的P型电池长期看存在发生隐裂的风险。而HIT电池的一个典型特点就是柔韧度非常好，拿在手里我们可以像扇子一样扇。HIT自身独特的结构特点，使其天然的就更加适合叠瓦组件。

目前标66型叠瓦HIT组件正面功率已可以做到360W，HIT电池片领域技术专家易治凯先生对于未来HIT叠瓦组件正面功率做到400W+的水平非常有信心。由于叠瓦技术的核心专利目前有Sunpower持有，这是目前大家研发叠瓦技术的重要障碍，好消息是再过不了多久叠瓦组件专利将会过期失效，届时将会扫清专利方面的障碍。

最后我们总结一下：叠瓦组件作为典型的按比例提升功率的技术，其叠加在HIT电池片上能发挥更大的效益;此外，柔性的HIT电池片也更适合叠瓦的封装形式。可以说HIT与叠瓦相互促进，随着未来叠瓦专利技术过期，正面功率大于400W的双面HIT叠瓦组件会引发新的一轮光伏产业的技术革命，而且这一轮产业革命后，光伏电有潜力成为全世界大部分地区最为廉价的能源!