单晶硅片的产能在2017农历年年底前就会达到38GW;半片、MBB多主栅等技术刚开始流行，产能远小于单晶硅片产能。
鉴于新技术叠加效果更好，只要单、多晶硅片能保持合理价差，拥有最新最先进Perc、半片、多主栅产能的厂家会优先选用单晶硅片。而300W的多晶黑硅Perc+半片+多主栅组件可能只会存在于理论当中，现实中不会有厂家把一系列先进产能叠加于效果不佳的多晶硅片上。
二、新技术可以减少隐裂产生
隐裂之所以产生是由于：
1)生产、运输、安装、清洗、降冰雹等过程中对组件施加的不均匀外力。
2)组件正面光伏玻璃和背面背板采用不同材质，温度系数不同，因此热胀冷缩的过程中对电池片正反面产生不同应力。
3)电池片正面的银浆焊带处工作温度低，电池片自身温度不同导致隐裂。
单晶由于内部晶格序列一致，容易沿着某些特定方向产生连续、贯通式的裂纹，相较于多晶组件，单晶组件在生产、运输、安装的过程中产生隐裂的概率更高。
几项新技术应用于单晶硅片上都有利于解决隐裂问题。
1)半片技术
半片技术是把电池片对切，把一张电池片一分为二然后进行封装的技术。原先的60片组件实际上是封装了120片“半片电池片”单元。由于单张电池片面积小了一半，单晶硅片容易产生的贯穿式裂纹所波及的范围也对应减少;组件产生的变形时对于单张电池片的累积变形量也会减少。根据晶澳披露的数据，单晶半片组件在同等强度的破坏力作用下，比常规组件的隐裂纹少15%左右。
2)双玻技术
双玻技术是正反面均采用玻璃封装的组件封装技术，由于正反面均采用玻璃材质，温度变化所导致的热胀冷缩的变化一致，被封装在其中的电池片正反面的应力一致，能有效减少温度变化所引发的隐裂。
3)MBB多主栅技术
现在常规电池片多采用4~5主栅的技术，而多主栅技术使得单张电池片上的主栅数量达到12条;与之相对应，单条主栅的宽度只有常规电池片的三分之一，栅线遮挡不会使得栅线背面的温度明显偏低。电池片更均衡的温度减少隐裂的发生。除此之外，多主栅技术有利于电池片上的电流搜集，所以即便产生细微隐裂，在多主栅技术的帮助下，也不会明显影响光伏电池效率。所以MBB多主栅技术在降低产生隐裂几率的同时也提升电池片对隐裂发生的容忍度。
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