4月19日，保利协鑫在2017SNEC国际太阳能产业及光伏工程展览会上重磅发布新一代整锭单晶G3硅片产品。据介绍，该产品使用铸锭技术生产单晶，具有“高产能、高效率、低成本、低光衰”等多重优势。来自多家电池组件企业的数据显示，整锭单晶硅片G3在常规电池工艺、PERC高效电池工艺下与直拉单晶的效率差均小于0.5个百分点，同时在成本上有较大优势，对光伏的高效化、平价化发展意义重大，有望给传统单晶技术带来深刻变革。
铸锭全单晶技术取得突破性进展
不同于采用直拉法制备的传统单晶，新产品采用铸锭技术，单次投料量更大，生产成本甚至优于采用“一炉三根”、“一炉四根”的直拉法单晶。同时，由于整锭单晶硅片晶向一致，可使用碱制绒工艺，因此转换效率非常接近直拉单晶产品，并可融合PERC等高效电池技术，带来更高的产品效率。
据介绍，整锭单晶硅片G3基于保利协鑫最新的整锭全单晶技术平台，单晶面积可达99%以上，显著优于“鑫单晶”前代产品和业界同类产品。数据显示，批量生产的整锭单晶硅片G3在常规工艺下的电池转换效率可达19.52%，在PERC电池工艺下可达20.85%，与同样工艺的直拉单晶效率相差不超过0.5个百分点。与同样边长的直拉单晶硅片相比，整锭单晶硅片面积更大，组件封装损失更小。普通电池工艺的G3硅片60片组件功率达到280-285瓦，应用PERC工艺可达295-300瓦。
不仅如此，G3硅片还继承了铸锭技术产品“光衰”较低的优点，与常规多晶持平，显著优于传统直拉单晶。对应用端来说，G3新产品同时实现了“高效率”、“低衰减”的双重目标，实际效率更高。
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