业界首款用于量产的PVD钛阻挡层解决方案，显著提升TSV可靠性
2014年5月28日，加利福尼亚州圣克拉拉——全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司今天宣布推出Endura® Ventura ™ PVD 系统。该系统沿袭了应用材料公司在业界领先的PVD技术，并融入了公司最新创新成果，能够完成连续薄的阻挡层和种子层的硅通孔（TSV）沉积，帮助客户以更低廉的成本制造出体积更小、功耗更低、性能更高的集成3D芯片。Ventura系统还与众不同地采用钛作为阻隔材料，从而在量产的情况下很好的实现降低成本的目的，展现了应用材料公司在精密材料工程领域的专业技术。Ventura系统的推出进一步完善了应用材料公司的硅片级封装(WLP)设备产品线，适用于硅通孔、再分布层（RDL）和凸点等各类应用。
TSV是垂直制造体积更小、功耗更低的移动和高带宽器件中的关键技术。通孔是垂直穿过硅片的短互联通道，可将器件的有源侧连接到硅片的背面，是多个芯片间连接的最短互连路径。集成3D堆叠器件需要将10:1以上深宽比的TSV进行铜互连。利用创新的材料和先进的沉积技术，全新的Ventura设备可有效解决这一问题，从而较先前的行业解决方案能更显著的降低TSV制造成本。
应用材料公司副总裁兼金属沉积产品事业部总经理 Sundar Ramamurthy博士介绍道：“凭借应用材料公司在铜互连技术领域超过15年的领导经验，Ventura 系统能生产出可靠的高深宽比硅通孔，与铜互连PVD系统相比，可使阻挡层和种子层成本降低多达50%。这些创新成果可以帮助我们更显著的提高产品性能和功能，实现功耗更低、更紧凑的芯片封装，从而进一步满足最尖端的技术需求。该款全新的PVD系统已获得客户认可，并将逐步用于大规模生产中。”
Ventura系统采用更先进的离子化PVD技术，进一步提高阻挡层和种子层的完整性，这对芯片的孔隙填充和互连尤为重要，从而能够有效提高3D芯片的良率。此外，这些技术上的新突破能够显著改善离子的方向性，可在硅通孔中完成均匀连续的薄的金属层沉积，从而实现TSV所需的无空隙填充。由于方向性的改善，沉积速率得以大幅提高，阻挡层材料和种子层材料的用量显著减少。此外，Ventura系统采用钛作为阻挡层材料，以期提高设备稳定性，降低TSV金属化过程中的整体持有成本。
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